2019年5月，我國集成電路行業(yè)有所升溫。5月，集成電路產量一改年初以來同比下降趨勢，環(huán)比增長24.1億塊，同比增長6.7%，1-5月累計產量降幅縮小至1.2%；5月，我國集成電路行業(yè)進口數(shù)量同比略減，進口金額同比大幅下降，5月，我國集成電路行業(yè)出口數(shù)量同比減少，出口金額繼續(xù)保持高增長趨勢。

一、集成電路產量情況

2019年1-5月，我國集成電路累計產量為659.6億塊，同比下降1.2%，降幅有所回落。其中5月當月，集成電路產量為165.2億塊，同比增長6.7%。2019年5月，集成電路產量提升幅度較大，處于2018年以來單月生產最高值。

表1 2018年3月-2019年5月中國集成電路產量分月數(shù)據

數(shù)據來源：國家統(tǒng)計局

數(shù)據來源：國家統(tǒng)計局 |圖1 2018年3月-2019年5月中國集成電路產量分月變動圖

二、集成電路進出口情況

（一）進口情況

從數(shù)量來看，2019年5月，我國集成電路進口數(shù)量環(huán)比有所增長。2019年5月，我國集成電路進口數(shù)量355.4億塊，較2018年同期減少0.5%。

從金額來看，2019年5月，我國集成電路進口金額繼續(xù)保持縮減態(tài)勢。2019年5月，我國集成電路進口金額為23957.3百萬美元，較上年同期下降10.8%，降幅較上月有所擴大。

數(shù)據來源：海關總署 |圖2 2018年3月-2019年5月集成電路進口數(shù)量統(tǒng)計

數(shù)據來源：海關總署 |圖3 2018年3月-2019年5月集成電路進口金額統(tǒng)計

（二）出口情況

從數(shù)量來看，2019年5月，我國集成電路出口數(shù)量環(huán)比回升。2019年5月，我國集成電路出口數(shù)量為167.3億塊，較上月有小幅增長，出口數(shù)量同比減少2.1%。

從金額來看，2019年5月，我國集成電路出口金額保持環(huán)比增長態(tài)勢。2019年5月，我國集成電路出口金額為7596.4百萬美元，較上年同期增長12.3%，增幅環(huán)比回落。

數(shù)據來源：海關總署 |圖4 2018年3月-2019年5月集成電路出口數(shù)量統(tǒng)計

數(shù)據來源：海關總署 |圖5 2018年3月-2019年5月集成電路出口金額統(tǒng)計

三、集成電路行業(yè)未來展望

全球半導體市場在2018年增長13.7%至4688億美元，創(chuàng)歷史新高。預計2019年將下降3.0%，為4545億美元，預計到2020年將回歸適度增長。

預計2019年，美國、歐洲和亞太地區(qū)市場規(guī)模經過連續(xù)兩年的強勁增長后將出現(xiàn)負增長。存儲器市場規(guī)模將下降14.2%，其他產品市場增速將放緩。

（一）半導體市場驅動因素

驅動全球半導體市場未來發(fā)展的主要因素包括器件創(chuàng)新、技術創(chuàng)新、產品創(chuàng)新。

器件創(chuàng)新?；诮胶鈶B(tài)物理的半導體產業(yè)已經成熟，半導體產業(yè)技術逼近極限。盡管目前依賴于特征尺寸不斷縮小的硅基CMOS技術發(fā)展遇到越來越多的挑戰(zhàn)，但不依賴于特征尺寸的器件創(chuàng)新此起彼伏。特別是MEMS器件和系統(tǒng)級封裝技術（SIP）的發(fā)展促使集成電路的“集成”涵義更為廣泛。2004年石墨烯的發(fā)現(xiàn)，對于下一代工作速度更快、規(guī)模更大、成本更低、功耗更小的集成電路提供了可能的路徑。雖然目前利用石墨烯制備FET（場效應晶體管）還有許多困難，但從石墨烯固有的卓越本征電學特性以及近年來對石墨烯FET開發(fā)的進展程度來看，碳基集成電路可能會成為一個重要的發(fā)展路徑。

技術創(chuàng)新。與以往相比，當前硅基CMOS技術面臨著許多前所未有的重大挑戰(zhàn)。從28nm向22nm，甚至更小特征尺寸過渡時，平面MOSFET被立體的FinFET所替代。為加工更細的線寬，EUV（極紫外）光刻技術或電子束光刻技術將替代目前的193nm浸沒式光刻技術。從經濟生產規(guī)模出發(fā)，采用18英寸（450nm）晶圓和建設單片晶圓全自動生產線或將是新的解決方案?？梢韵胂蟮?/3nm及以下特征尺寸時，半導體芯片工藝又將進入一個全新的時代。

產品創(chuàng)新。產品創(chuàng)新是推動半導體產業(yè)發(fā)展的永恒動力。即使摩爾定律趨于失效，但產品創(chuàng)新仍是引領半導體產業(yè)維持高速發(fā)展的主導因素。目前世界集成電路產品在經歷了Tr（晶體管）、ASSP（標準通用產品）、MPU（微處理器）、ASIC（專用IC）、FPGA（現(xiàn)場可編程門陣列）、SoC（系統(tǒng)級芯片）的產品特征循環(huán)周期，目前正在向U-SoC（超系統(tǒng)級芯片）過渡。新一代信息技術的每一個需求都可能激發(fā)半導體新一代產品的誕生。

（二）半導體市場發(fā)展趨勢

全球半導體市場未來發(fā)展將呈現(xiàn)出以下五方面的主要趨勢。

一是5G、AI等新興應用成為市場增長的驅動力。隨著傳統(tǒng)PC市場進一步萎縮和移動智能終端需求的下降，5G、AI、汽車電子、IoT等新興應用成為半導體市場新的重要增長點。5G方面，5G網絡設備和終端發(fā)展將為芯片帶來巨大的市場需求，業(yè)界認為2020年5G將會實現(xiàn)大規(guī)模商用，將帶動千億美元的半導體市場。在5G商用初期，運營商大規(guī)模開展網絡建設，5G網絡建設投資帶來的設備制造收入將成為5G直接經濟產出的主要來源。預計2020年，網絡設備和終端設備收入將超過5000億元，大幅拉動半導體市場需求。人工智能方面，人工智能計算任務可借助GPU、FPGA、ASIC等芯片結合軟件算法庫實現(xiàn)加速，為集成電路領域帶來新的市場增長空間。同時，人工智能芯片與深度學習算法和特定場景融合，為全球芯片初創(chuàng)企業(yè)提供新的發(fā)展機遇。

二是摩爾定律持續(xù)成為技術發(fā)展的關鍵驅動力。雖然摩爾定律在過去兩年有放緩的趨勢，但很多物理極限仍被不斷打破和刷新，半導體產業(yè)依然沿著摩爾定律不斷推進。目前最先進的量產工藝已經達到7nm、5nm，并有望繼續(xù)推進至3nm工藝。英特爾、臺積電、三星等領軍企業(yè)在先進工藝方面持續(xù)推進。英特爾2018年量產10nm，2020年以后預計推出7nm。臺積電和三星都宣布采用深紫外（EUV）光刻技術，臺積電已經投資新建5nm生產線，2020年后將啟動建設3nm制程工廠。

三是圍繞超越摩爾定律的產品技術創(chuàng)新活躍。在半導體技術繼續(xù)延續(xù)摩爾定律發(fā)展的同時，以新材料、新結構、新器件為特點的超越摩爾定律為半導體產業(yè)提供了新的發(fā)展方向。一方面，三維異質器件系統(tǒng)集成成為發(fā)展趨勢，英特爾、三星、臺積電等企業(yè)在三維器件制造與封裝領域發(fā)展迅速。英特爾聯(lián)合鎂光推出革命性的3D Xpoint新技術；三星實現(xiàn)多層3D NAND閃存，成為存儲領域的顛覆性產品；臺積電的整合扇出晶圓級封裝技術（InFowlp）應用于蘋果公司最新的處理器中。另一方面，微電子學、計算機科學等多學科與信息技術的交叉滲透日益深入，促使新型微機電系統(tǒng)工藝、寬禁帶半導體材料器件、二維材料與神經計算、量子信息器件等創(chuàng)新技術的集中涌現(xiàn)，拓展了半導體技術發(fā)展方向。超越摩爾產業(yè)不追求器件的尺寸，而是通過研究新原理、新工藝、新材料、新器件以及新裝備加速促進處理器、存儲器、模擬器件、功率器件等實現(xiàn)變革，推動半導體產業(yè)持續(xù)快速發(fā)展。

四是產業(yè)綜合競爭能力向體系化、生態(tài)化演進。隨著產品競爭日益加劇，產業(yè)競爭模式正在向體系化、生態(tài)化方向演進變革。一方面，圍繞新興領域生態(tài)布局的兼并重組活躍。軟銀收購ARM布局物聯(lián)網領域，三星收購汽車電子零部件供應商哈曼公司進入汽車電子行業(yè)，英特爾收購以色列公司Mobileye打造無人駕駛領域的整體解決方案。另一方面，整機和互聯(lián)網等應用企業(yè)涉足上游芯片領域成為產業(yè)發(fā)展新特征。終端企業(yè)為了維持綜合競爭實力，通過使用定制化芯片產品，實現(xiàn)整機產品具備差異化與系統(tǒng)化優(yōu)勢。繼蘋果公司后，谷歌、亞馬遜、Facebook、特斯拉等應用企業(yè)紛紛進入半導體領域，自研或者聯(lián)合開發(fā)芯片產品。

五是全球主要國家和地區(qū)圍繞芯片競爭態(tài)勢加劇。美、歐、日、韓等半導體發(fā)達國家和地區(qū)發(fā)布相關政策，加快半導體產業(yè)的布局，進一步強化政府對產業(yè)的支撐力度，鞏固先發(fā)優(yōu)勢和競爭地位。2016年7月，創(chuàng)新英國技術戰(zhàn)略委員會成立“化合物半導體應用創(chuàng)新研究中心”；2016年，由韓國三星、海力士聯(lián)合成立總規(guī)模超過2000億韓元“半導體希望基金”；2017年美國發(fā)布《持續(xù)鞏固美國半導體產業(yè)領導地位》報告。2018年美國DARPA提出了“電子復興計劃”，計劃未來5年投入超過20億美元，組織開發(fā)用于電子設備的新材料，開發(fā)將電子設備集成到復雜電路中的新體系結構。