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• 發布了文章 2025-01-23 14:58

  邁克耳孫干涉儀白光等傾干涉的實現、條紋特征及形成機理

  

  邁克耳孫干涉儀白光等傾干涉的實現、條紋特征及形成機理是光學研究中的重要內容。以下是對這些方面的詳細解釋： 一、邁克耳孫干涉儀白光等傾干涉的實現 邁克耳孫干涉儀利用分振幅法產生雙光束以實現干涉。在白光等傾干涉的實驗中，需要在邁克耳孫干涉儀的反射鏡前放置一塊玻璃板，以實現白光的等傾干涉。這是因為附加的玻璃板使光程相等時光源經兩反射鏡所成的虛像間有了幾何間隔，而且

  3D 白光干涉儀 表面輪廓儀

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• 發布了文章 2025-01-23 10:30

  碳化硅襯底的特氟龍夾具相比其他吸附方案，對于測量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

  

  一、引言 隨著碳化硅在半導體等領域的廣泛應用，對其襯底質量的檢測愈發關鍵。BOW（翹曲度）和 WARP（彎曲度）是衡量碳化硅襯底質量的重要參數，準確測量這些參數對于保證器件性能至關重要。而不同的吸附方案會對測量結果產生不同程度的影響。 二、常見吸附方案概述 在碳化硅襯底測量中，常見的吸附方案包括真空吸附、靜電吸附等。真空吸附通過產生負壓將襯底固定，操作相對簡

  晶圓 測量 碳化硅

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• 發布了文章 2025-01-22 14:23

  白光干涉為什么對于環境防振要求那么高

  

  白光干涉對于環境防振要求高的原因，主要可以從其測量原理和應用需求兩個方面來解釋。 一、測量原理 白光干涉儀是利用干涉原理測量光程之差從而測定有關物理量的光學儀器。光源發出的光經過擴束準直后經分光棱鏡分成兩束，一束光經被測表面反射回來，另一束光經參考鏡反射，兩束反射光最終匯聚并發生干涉。兩束相干光間光程差的任何變化都會靈敏地導致干涉條紋的移動，而某一束相干光的

  3D 測量 白光干涉儀

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• 發布了文章 2025-01-22 09:43

  測量探頭的 “溫漂” 問題，都是怎么產生的，以及對于氮化鎵襯底厚度測量的影響

  

  在半導體產業這片高精尖的領域中，氮化鎵（GaN）襯底作為新一代芯片制造的核心支撐材料，正驅動著光電器件、功率器件等諸多領域邁向新的高峰。然而，氮化鎵襯底厚度測量的精準度卻時刻面臨著一個來自暗處的挑戰 —— 測量探頭的 “溫漂” 問題。深入探究 “溫漂” 的產生根源，以及剖析其給氮化鎵襯底厚度測量帶來的全方位影響，對于保障半導體制造工藝的高質量推進有著舉足輕重

  晶圓 氮化鎵 測量

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• 發布了文章 2025-01-21 14:30

  為什么說白光干涉的掃描高度受限

  

  白光干涉的掃描高度受限，主要是由于其測量原理和技術特點所決定的。以下是對這一問題的詳細解釋： 一、白光干涉的測量原理 白光干涉技術是一種基于光的波動性進行測量的技術。當兩束或多束相干光波在空間某點相遇時，它們會產生干涉現象，形成明暗相間的干涉條紋。這些干涉條紋的位置和形態取決于光波的相位差，而相位差則與光波經過的光程差有關。 在白光干涉測量中，通常使用白光作

  測量 白光干涉儀

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• 發布了文章 2025-01-21 09:36

  特氟龍夾具的晶圓夾持方式，相比真空吸附方式，對測量晶圓 BOW 的影響

  

  在半導體制造領域，晶圓作為芯片的基礎母材，其質量把控的關鍵環節之一便是對 BOW（彎曲度）的精確測量。而在測量過程中，特氟龍夾具的晶圓夾持方式與傳統的真空吸附方式有著截然不同的特性，這些差異深刻影響著晶圓 BOW 的測量精度與可靠性，對整個半導體工藝鏈的穩定性起著不可忽視的作用。 一、真空吸附方式剖析 真空吸附方式長期以來在晶圓測量領域占據主導地位。它借助布

  半導體 晶圓 碳化硅

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• 發布了文章 2025-01-20 14:48

  通過電光晶體的電光效應，實現白光干涉中的電光調制相移原理

  

  通過電光晶體的電光效應，實現白光干涉中的電光調制相移原理，是一個基于物理光學和電光學原理的高級測量技術。以下是對這一原理的詳細解釋： 一、電光效應與電光晶體 電光效應是指某些材料（主要是晶體）在外加電場的作用下，其折射率會發生變化的現象。這種效應是電光調制的基礎。電光晶體是具有顯著電光效應的材料，它們在外加電場的作用下，能夠改變光的傳播特性，如相位、振幅和偏

  3D 電光效應 白光干涉儀

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• 發布了文章 2025-01-20 09:36

  測量探頭的 “溫漂” 問題，對于氮化鎵襯底厚度測量的實際影響

  

  在半導體制造這一微觀且精密的領域里，氮化鎵（GaN）襯底作為高端芯片的關鍵基石，正支撐著光電器件、功率器件等眾多前沿應用蓬勃發展。然而，氮化鎵襯底厚度測量的準確性卻常常受到一個隱匿 “敵手” 的威脅 —— 測量探頭的 “溫漂” 問題。這一看似細微的現象，實則對氮化鎵襯底厚度測量產生著諸多深遠且實際的影響，關乎整個半導體制造工藝的成敗。 一、“溫漂” 現象的內

  晶圓 測量探頭 碳化硅

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• 發布了文章 2025-01-17 14:45

  通過聲光介質的聲光效應，實現白光干涉中的聲光調制相移原理

  

  通過聲光介質的聲光效應，實現白光干涉中的聲光調制相移原理，是一個涉及光學和聲學交叉領域的技術。以下是對這一原理的詳細解釋： 一、聲光效應與聲光調制 聲光效應是指超聲波在介質中傳播時，會引起介質折射率的周期性變化，這種變化可以看作是一個動態的光柵。當光波通過這個動態光柵時，會發生衍射現象，衍射光的強度、頻率和方向都會隨著超聲波場的變化而變化。聲光調制則是利用

  3D 測量 白光干涉儀

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• 發布了文章 2025-01-17 09:27

  不同的氮化鎵襯底的吸附方案，對測量氮化鎵襯底 BOW/WARP 的影響

  

  在當今高速發展的半導體產業浪潮中，氮化鎵（GaN）襯底宛如一顆耀眼的新星，憑借其卓越的電學與光學性能，在眾多高端芯片制造領域，尤其是光電器件、功率器件等方向，開拓出廣闊的應用天地。然而，要想充分發揮氮化鎵襯底的優勢，確保其 BOW（彎曲度）和 WARP（翹曲度）的精準測量至關重要，因為這直接關聯到后續芯片制造工藝的良率與性能表現。不同的吸附方案恰似一雙雙各異

  晶圓 氮化鎵 測量 碳化硅

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