三菱電機(jī)開發(fā)了工業(yè)應(yīng)用的NX封裝全SiC功率模塊，采用低損耗SiC芯片和優(yōu)化的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，與現(xiàn)有的Si....

三菱電機(jī)株式會(huì)社近日宣布，將于2月15日起開始提供新型工業(yè)用LV100封裝1.2kV IGBT模塊樣....

在Si-IGBT的DIPIPM基礎(chǔ)上，三菱電機(jī)開發(fā)了超小型全SiC DIPIPM，保持相同的封裝及管....

三菱電機(jī)集團(tuán)近日宣布，將于12月26日開始提供兩款新的S1系列高壓絕緣柵雙極型晶體管（HVIGBT）....

三菱電機(jī)開發(fā)了高耐壓SiC MOSFET，并將其產(chǎn)品化，率先將其應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)鐵路車輛的變流器中，是一家....

1200V級(jí)SiC MOSFET是一種能充分發(fā)揮SiC優(yōu)勢的器件，廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車等領(lǐng)域。目前，....

三菱電機(jī)集團(tuán)近日宣布，將投資約100億日元，在日本福岡縣的功率器件制作所建設(shè)一座新的功率半導(dǎo)體模塊封....

柵極氧化層可靠性是SiC器件應(yīng)用的一個(gè)關(guān)注點(diǎn)。本節(jié)介紹SiC柵極絕緣層加工工藝，重點(diǎn)介紹其與Si的不....

三菱電機(jī)集團(tuán)近日宣布提供用于下一代光收發(fā)器的新型200Gbps PIN光電二極管（PD）芯片樣品，以....

三菱電機(jī)集團(tuán)近日宣布，其功率器件制作所（Power Device Works）福山工廠即日起開始大規(guī)....

本文介紹了為工業(yè)應(yīng)用設(shè)計(jì)的第8代1800A/1200V IGBT功率模塊，該功率模塊采用了先進(jìn)的第8....

SiC是由硅（Si）和碳（C）按1:1的化學(xué)計(jì)量比組成的晶體，因其內(nèi)部結(jié)構(gòu)堆積順序的不同，形成不同的....

與Si材料相比，SiC半導(dǎo)體材料在物理特性上優(yōu)勢明顯，比如擊穿電場強(qiáng)度高、耐高溫、熱傳導(dǎo)性好等，使其....

SiC晶體中存在各種缺陷，對(duì)SiC器件性能有直接的影響。研究清楚各類缺陷的構(gòu)成和生長機(jī)制非常重要。本....

高質(zhì)量低缺陷的SiC晶體是制備SiC功率半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵，目前比較主流的生長方法有PVT法、液相法以....

SiC單晶是一種硬而脆的材料，切片加工難度大，磨削精度要求高，因此晶圓制造是一個(gè)長時(shí)間且難度較高的過....

SiC外延生長技術(shù)是SiC功率器件制備的核心技術(shù)之一，外延質(zhì)量直接影響SiC器件的性能。目前應(yīng)用較多....

近日，三菱電機(jī)集團(tuán)宣布，將于11月14日開始提供用于電動(dòng)汽車（EV）、插電式混合動(dòng)力汽車（PHEV）....

離子注入是SiC器件制造的重要工藝之一。通過離子注入，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)n型區(qū)域和p型區(qū)域?qū)щ娦钥刂啤１疚暮?...

三菱電機(jī)新開發(fā)了3.3kV金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管碳化硅模塊（SiC-MOSFET），采用了嵌入式肖....

三菱電機(jī)紅外傳感器采用三菱電機(jī)自主研發(fā)的熱敏二極管紅外傳感器技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了高像素和高溫分辨率。即使在昏....

三菱電機(jī)集團(tuán)近日宣布，開始為5G massive MIMO*1（mMIMO）基站提供新型16W平均功....

三菱電機(jī)集團(tuán)近日宣布，將推出一項(xiàng)基于網(wǎng)絡(luò)的服務(wù)，提供有關(guān)配備包含三個(gè)LV100絕緣柵雙極型晶體管（I....

三菱電機(jī)從事SiC器件開發(fā)和應(yīng)用研究已有近30年的歷史，從基礎(chǔ)研究、應(yīng)用研究到批量商業(yè)化，從2英寸、....

三菱電機(jī)從事功率半導(dǎo)體開發(fā)和生產(chǎn)已有六十多年的歷史，從早期的二極管、晶閘管，到MOSFET、IGBT....

三菱電機(jī)集團(tuán)近日宣布，從6月10日起開始為包括鐵路和電力系統(tǒng)在內(nèi)的大型工業(yè)設(shè)備提供低電流版本3.3k....

功率模塊從硅IGBT技術(shù)過渡到基于SiC MOSFET技術(shù)是不可避免的。然而，從硅IGBT時(shí)代留下來....

4月12日至14日，第十七屆中國高校電力電子與電力傳動(dòng)學(xué)術(shù)年會(huì)在安徽宣城隆重舉辦，本屆會(huì)議由中國高校....

三菱電機(jī)集團(tuán)近日（2024年3月21日）宣布，將于4月1日開始提供其新型光器件樣品——內(nèi)置波長監(jiān)視器....

2024年3月13日，2024年度海爾智家全球供應(yīng)商合作伙伴大會(huì)在上海隆重舉行。