IGBT模塊的運行溫度范圍是非常重要的參數(shù)。一些設備要求工作在室溫下，而另一些設備要求工作在很寬的溫....

IGBT元件的損耗總和分為：通態(tài)損耗與開關損耗。開關損耗分別為開通損耗(EON)和關斷損耗(EOFF....

額定門極驅動電壓：門極驅動電壓在±20V范圍內(nèi)施加超過此范圍的電壓時，門極-發(fā)射極間的氧化膜（SiO....

變流器主電路在空間產(chǎn)生的磁場強度隨輸入、輸出母線中通過電流的強弱而變化，同時IGBT模塊產(chǎn)生的空間交....

IGBT最常見的形式其實是模塊（Module），而不是單管。

在文件數(shù)據(jù)表中，按照IGBT 模塊（IGBT，二極管，殼體，溫度傳感器等）的各個組成部分別給出它們的....

這是某產(chǎn)品輸出特性曲線，可以看到IGBT工作區(qū)分為三個部分。

所有功率模塊內(nèi)部的熱循環(huán)變化都會導致模塊老化。原因是使用材料的熱膨脹性不同，所以它們之間熱應力是連接....

? IGBT模塊參數(shù)詳解-模塊整體參數(shù) 該部分描述與IGBT模塊機械構造相關的電氣特性參數(shù)，包括絕緣....

? IGBT模塊內(nèi)部 雜散電感的定義 IGBT半橋逆變電路工作原理以及當IGBT1開通關斷時的電壓電....

開關速度：當需要高速開關時，三極管是更好的選擇。例如，在瞬態(tài)電路中，需要快速切換的信號通常需要使用三....

我們就從常見的開關說起，這邊給他接一個電源，右邊接一個負載，然后不停的開關這個開關，那么這個負載上的....

功率循環(huán)試驗中最重要的是準確在線測量結溫，直接影響試驗結果和結論。比較總結了各種溫度測量方法的一致性....

超出關斷安全工作區(qū)引起擎住效應而損壞擎住效應分靜態(tài)擎住效應和動態(tài)擎住效應。IGBT為PNPN4層結構....

通過制動單元外接制動電阻，該方式配合母線電壓檢測。當電機迅速停機時，電機繞組上的能量會通過逆變側的反....

如下圖，是IGBT產(chǎn)品典型的輸出特性曲線，橫軸是C，E兩端電壓，縱軸是歸一化的集電極電流。可以看到I....

場效應晶體管是由p型和n型兩部分組成。當給pn結加上正向電壓時，由于p區(qū)中的空穴由n區(qū)注入到pn結電....

將萬用表撥在R×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT的集電極(C)，紅表筆接IGBT 的發(fā)射極(E)，此時....

由于具有較低的導通電阻（RDS(on)）和較小尺寸，N溝道MOSFET在產(chǎn)品選擇上超過了P溝道。在降....