R1：動態(tài)阻抗

　　C1：動態(tài)電容

　　L1：動態(tài)電感

　　C0：靜態(tài)電容

　　CL：負載電容

　　并行振蕩模式的頻率可根據以下公式：

　　FL=[1/2π√(L1*C1))] 2eq eq *√[1+C1/(C0+CL)]

　　其中[1/2π√(L1*C1))]是晶體串行振蕩模式的頻率

　　根據泰勒展開：

　　FL=[1/2π√(L1*C1) 2eq eq ]*[1+C1/2(C0+CL)] (1)

　　從公式中可以看出，頻率與C0,C1和CL都有關。

　　在基頻諧振中C1為10-30fF，一般取值為20fF。C0取值與晶體的尺寸有關，一般取值為5pF。但是CL的計算與晶體外接電容和PCB設計和材料有關。下圖是參考電路圖

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　　圖3 晶體外接負載電容示意圖

　　從上面電路中可得出：

　　1/(C11+CS1)+1/(C12+CS2)=1/(CL) (2)

　　其中C11，C12是外接電容，也就是線路設計中放在晶體兩邊接地的兩個電容。CS1和CS2是寄生電容，和PCB 電路板的走線，焊盤及芯片的管腳有關。一般為5-10pF(在本文的計算中可設為8pF)。對于C11和C12，沒有確定的值(15pF-30pF)，這和實際設計有關，例如取18pF。

　　CL如有變化，并行振蕩模式的頻率也隨之變化，請看圖4

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　　圖4 負載電容變化與頻率的關系

　　由公式(1)可得頻率變化為：

　　(FCL1-FCL2)/FCL1=C1/2 * [1/(C0+CL1)-1/(C0+CL2)] * 10E6 (3)

　　從公式(2)和公式(3)中可知C11和C12的精度將影響頻率的精度。具體數據如表1所示。其中參數的取值如前文：C1=20fF，C0=5pF，CS1=CS2=8pF，C11=C12=18pF。

　　表1

在很多應用場合，電容精度取5%，從上表可看出它對頻率精度的影響可達到28PPM。這在設計中容易被忽略的。

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　　其他因素：如回流焊接的影響，濕度的影響，大氣壓的影響等。這些因素影響不大，不再這里詳述。

　　晶體振蕩總的頻率精度就是上述五個方面之和。