偏置電路是什么

　　晶體管構(gòu)成的放大器要做到不失真地將信號(hào)電壓放大，就必須保證晶體管的發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏。即應(yīng)該設(shè)置它的工作點(diǎn)。所謂工作點(diǎn)就是通過(guò)外部電路的設(shè)置使晶體管的基極、發(fā)射極和集電極處于所要求的電位（可根據(jù)計(jì)算獲得）。這些外部電路就稱為偏置電路。

　　工作原理

　　穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn)原理：

　　由于流過(guò)發(fā)射極偏置電阻（Re）的電流IR遠(yuǎn)大于基極的電流Ib（Ie》》Ib），因此，可以認(rèn)為基極電位Vb只取決于分壓電阻Re的阻值大小，與三極管參數(shù)無(wú)關(guān)，不受溫度影響。

　　靜態(tài)工作點(diǎn)的穩(wěn)定是由Vb和Re共同作用實(shí)現(xiàn)，穩(wěn)定過(guò)程如下：

　　設(shè)溫度升高→Ic↑→Ie↑→VRe↑→Vbe↓→Ib↓→Ic↓

　　其中：Ic↑→Ie↑是由并聯(lián)電路電流方程 Ie = Ib+Ic得出，Ie↑→Vbe↓是由串聯(lián)電路電壓方程Vbe= Vb－Ie×Re得出，Ib↓→Ic↓是由晶體三極管電流放大原理 Ic =β×Ib （β表示三極管的放大倍數(shù)） 得出。

　　由上述分析不難得出，Re越大穩(wěn)定性越好。但事物總是具有兩面性，Re太大其功率損耗也大，同時(shí)Ve也會(huì)增加很多，使Vce減小導(dǎo)致三極管工作范圍變窄，降低交流放大倍數(shù)。因此Re不宜取得太大。在小電流工作狀態(tài)下，Re值為幾百歐到幾千歐；大電流工作時(shí)，Re為幾歐到幾十歐。

　　應(yīng)用

　　晶體三極管常用的共射放大電路。

　　以常用的共射放大電路為例，當(dāng)是PNP型晶體三極管時(shí)，主電流是從發(fā)射極（e極）到集電極（c極）的Ic，偏置電流就是從發(fā)射極（e極）到基極（b極）的Ib。相對(duì)與主電路而言，為基極提供電流的電路就是所謂的偏置電路。這些外部電路，為發(fā)射極（e極）與基極（b極）之間（即發(fā)射結(jié)）提供正向偏置電壓；為基極（b極）與集電極（c極）之間（即集電結(jié)）提供反向偏置電壓，偏置電路可理解為，設(shè)置晶體管PN結(jié)正、反電壓的電路，偏置電路為晶體管基極（b極）提供的電流Ib稱為偏置電流。

　　偏置電路往往有若干元件，其中有一重要電阻，往往要調(diào)整阻值，以便集電極電流Ic在設(shè)計(jì)規(guī)范內(nèi)，保證晶體管正常工作，這要調(diào)整的電阻就是偏置電阻Re阻值大小。

　　關(guān)于偏置電路的總結(jié)

　　1、是基本的偏置電路結(jié)構(gòu)，就是依靠?jī)蓚€(gè)電阻的分壓。但是因?yàn)槭?a target="_blank">電源電壓影響較大，所以就提出了下面的電路

　　2、這是R+MOS diode結(jié)構(gòu)，但是還是和電源電壓相關(guān)，只不過(guò)這種相關(guān)是弱相關(guān)罷了

　　3、這是利用MOS管恒流源和恒壓源產(chǎn)生的偏置，但是有襯偏效應(yīng)

　　4、這是利用MOS管恒流源和恒壓源產(chǎn)生的偏置，沒(méi)有襯偏效應(yīng)

　　5、這是利用BJT管恒流源和恒壓源產(chǎn)生的偏置，沒(méi)有襯偏效應(yīng)

　　6、這是利用BJT管恒流源和恒壓源產(chǎn)生的偏置，但是有襯偏效應(yīng)

　　7、這是CMOS NWELL工藝的一種偏置

　　8、由于兩個(gè)PMOS的柵源電壓相等，所以I1=I2

　　9、由于兩個(gè)NMOS的電流相等，所以VA=VB

　　10、CMOS NWELL工藝

　　11、可以看到P N P

　　12、可以看到對(duì)應(yīng)的·三個(gè)極