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編輯：黃飛
高功率GaN晶體管大功率器件的器件設計
- GaN晶體管(7657)
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Teledyne e2v HiRel新增兩款大功率GaN HEMT
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1220GaN晶體管與其驅動器的封裝集成實現高性能
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2019-06-25 07:41:00
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2019-09-04 08:07:56
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功率晶體管（GTR）具有控制方便、開關時間短、通態壓降低、高頻特性好、安全工作區寬等優點。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點，阻礙它的進一步發展。—、結構特性1、結構原理功率晶體管是雙極型大功率
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功率元器件
在Tech Web的“基礎知識”里新添加了關于“功率元器件”的記述。近年來，使用“功率元器件”或“功率半導體”等說法，以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立（分立半導體）元器件備受矚目。這是
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功率在設計電路與系統時處理更高的功率電平
（GaN）場效應晶體管（FET））的功率電平的日益增加，當安裝在精心設計的放大器電路中時，它們也將受到連接器等器件甚至印刷電路板（PCB）材料的功率處理能力的限制。了解組成大功率器件或系統的不同部件的限制
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功率電子器件的介紹
MOSFET又叫功率場效應管或者功率場控晶體管。其特點是驅動功率小，速度高，安全工作區寬。但高壓時，導通電阻與電壓的平方成正比，因而提高耐壓和降低高壓阻抗困難。適合低壓100V以下，是比較理想的器件
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大功率晶體三極管的檢測
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大功率TVS管與小功率TVS管的區別
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一、PN結：大功率TVS和小功率TVS兩者之間的PN結不一樣，大功率TVS二極管有很大的散熱片，而小功率TVS二極管沒有；二、結電容：大功率TVS的結電容可高達上百pF；小功率TVS的結電容可以做到
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大功率白光LED封裝
與封裝材料。大的耗散功率，大的發熱量，高的出光效率給LED封裝工藝，封裝設備和封裝材料提出了新的更高的要求。要想得到大功率LED器件就必須制備合適的大功率LED芯片，國際上通常的制造大功率LED芯片
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大功率短波
尋求有做過大功率短波項目的人員，27.12M40.68M等的大功率短波功率能達到二百瓦，主要涉及信號震蕩，選頻，放大，耦合，控制精度較高，需符合電磁兼容標準要求YY0505有合作意向的聯系我***吳先生
2016-07-11 11:38:22
晶體管晶圓芯片
供應晶圓芯片，型號有： 可控硅， 中、大功率晶體管，13000系列晶體管，達林頓晶體管，高頻小信號晶體管，開關二極管，肖特基二極管，穩壓二極管等。有意都請聯系：沈女士***
2020-02-17 16:24:13
晶體管的分類與特征
的電流、電壓和應用進行分類。 下面以“功率元器件”為主題，從眾多晶體管中選取功率類元器件展開說明。其中，將以近年來控制大功率的應用中廣為采用的MOSFET為主來展開。 先來看一下晶體管的分類與特征
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題，從眾多晶體管中選取功率類元器件展開說明。其中，將以近年來控制大功率的應用中廣為采用的MOSFET為主來展開。首先是基礎性的內容，來看一下晶體管的分類與特征。Si晶體管的分類Si晶體管的分類根據
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晶體管的選用經驗
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高功率電動機各種元件給設計工程師帶來了新的挑戰
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CGHV96100F2氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管
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IB0810M210功率晶體管
脈沖功率。 在沒有外部調諧的情況下，所有設備都在寬帶RF測試夾具中100％屏蔽了大信號RF參數。硅雙極匹配50歐姆210W輸出功率經過100％大功率射頻測試C級操作IB0607S10功率晶體管
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IB1011M800是高功率脈沖航空電子晶體管
`IB1011M800是高功率脈沖航空電子晶體管，專為工作在1.03-1.09 GHz的L波段航空電子系統而設計。 當在VCC = 50V的模式S脈沖突發條件下以C類模式運行時，此通用基本設備可提供
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IB2729M170大功率脈沖晶體管
`IB2729M170是專為S波段ATC雷達系統設計的大功率脈沖晶體管，該系統工作在2.7-2.9 GHz的瞬時帶寬上。 在C類模式下工作時，該通用基礎設備在100μs脈沖寬度和10％占空比的條件下
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IDM165L650是一種高功率脈沖晶體管
`IDM165L650是一種高功率脈沖晶體管，專為工作于0.125-0.167 GHz的Sub-1 GHz系統而設計。 該雙MOSFET器件以1ms的脈沖寬度和20％的占空比工作，在瞬時工作帶寬上以
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IGBT在大功率斬波中問題的應用
，維修費用高，器件參數把控難，供貨時間長等因素都應該在產品化時慎重考慮。盡管普通晶閘管存在關斷困難的缺點，如果能夠加以解決，仍然是近期大功率斬波應用的主導方向，理由是普通晶閘管的其它優點是晶體管無法替代的。
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IGN0450M250高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管，旨在滿足P波段雷達系統的獨特需求。它在整個420-450 MHz頻率范圍內運行。 在100毫秒以下，10％占空比脈沖條件
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IGN2856S40是高功率脈沖晶體管
，裝在基于金屬的封裝中，并用陶瓷環氧樹脂蓋密封。GaN on SiC HEMT技術40W輸出功率AB類操作預先匹配的內部阻抗經過100％大功率射頻測試負柵極電壓/偏置排序IGN2731M5功率晶體管
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`MACOM以分立器件、模塊和單元的形式提供廣泛的射頻功率半導體產品，支持頻率從DC到6GHz。高功率晶體管完美匹配民用航空、通訊、網絡、雷達、廣播、工業、科研和醫療領域。MACOM的產品線借助于
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NPTB00025B射頻功率晶體管介紹
`產品型號：NPTB00025B產品名稱: 射頻功率晶體管NPTB00025B 產品特性針對DC-4000MHz的寬帶運行進行了優化散熱增強的行業標準包裝100％射頻測試具有高達32V的工作電壓
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RF功率器件特性與建模
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RF功率晶體管耐用性的三個電氣參數驗證
能夠在高輸出功率電平下承受嚴苛的負載失配狀況而不降低性能或造成器件故障。當晶體管工作在負載失配狀態下時，它的輸出功率有很大一部分會被反射進器件，此時功率必須在晶體管中耗散掉。但在比較不同耐用性的晶體管時，重要的是檢查不同器件制造商達到其耐用性結果的條件，因為不同制造商的測試條件可能有很大變化。
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SiC功率元器件的開發背景和優點
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【基礎知識】功率半導體器件的簡介
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中國功率器件市場發展現狀
中國功率器件市場發展現狀:功率器件包括功率 IC 和功率分立器件，功率分立器件則主要包括功率MOSFET、大功率晶體管和IGBT 等半導體器件，功率器件幾乎用于所有的電子制造業，所應用的產品包括
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什么是GaN透明晶體管？
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什么是晶體管 晶體管的分類及主要參數
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目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
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什么是基于SiC和GaN的功率半導體器件？
元件來適應略微增加的開關頻率，但由于無功能量循環而增加傳導損耗［2］。因此，開關模式電源一直是向更高效率和高功率密度設計演進的關鍵驅動力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導體器件 碳化硅
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什么是達林頓晶體管？
的微小變化非常敏感。由于這個原因，達林頓通常用于觸摸和光傳感器。光電達林頓專為光敏電路而設計。 輸出側通常是高功率、低增益的。使用非常高功率的晶體管，它可以控制電機，電源逆變器和其他大電流設備。中等功率
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分析大功率TVS管和小功率TVS管有何區別？
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場效應晶體管的選用經驗分享
MOS場效應晶體管。所選場效應晶體管的主要參數應符合應用電路的具體要求。小功率場效應晶體管應注意輸入阻抗、低頻跨導、夾斷電壓（或開啟電壓）、擊穿電壓待參數。大功率場效應晶體管應注意擊穿電壓、耗散功率
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基于GaN的開關器件
在過去的十多年里，行業專家和分析人士一直在預測，基于氮化鎵(GaN)功率開關器件的黃金時期即將到來。與應用廣泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強的功耗處理能力
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基于MOS場效應管的大功率寬頻帶線性射頻放大器設計概述
情況下，在HF~VHF頻段設計的寬帶射頻功放，采用場效應管(FET)設計要比使用常規功率晶體管設計方便簡單，正是基于場效應管輸入阻抗比較高，且輸入阻抗相對頻率的變化不會有太大的偏差，易于阻抗匹配
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射頻功率晶體管究竟有多耐用？
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
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新型高壓大功率器件IGCT的建模與仿真
能,尤其適用于高壓大功率電力電子裝置.目前通用電路仿真軟件中還沒有專門的IGCT仿真模型,不能滿足可靠的仿真性能的要求.基于電力電子器件的物理現象,建立IGCT模型的方法有:功能模型法、電學模型法、集
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氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管對分分析哪個好？
效率和功率密度。GaN功率晶體管作為一種成熟的晶體管技術在市場上確立了自己的地位，但在軟開關應用中通常不被考慮使用。雖然在硬開關應用中使用GaN可以顯著提高效率，但軟開關轉換器（如LLC）對效率和頻率
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氮化鎵晶體管GaN的概述和優勢
650V的MOSFET。根據應用程序的要求，開發人員可以針對最高效率，最大功率密度或兩者之間的折衷。 由于其“0反向恢復”行為，GaN晶體管使得一些拓撲實際上可用，例如圖騰柱PFC，其需要比傳統
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消費類電子大功率空中交通控制的RF功率晶體管
(MicrosemiCorporation)擴展其基于碳化硅襯底氮化鎵(GaNonSiC)技術的射頻(RF)晶體管系列，推出新型S波段500WRF器件2729GN-500，新器件瞄準大功率空中交通控制機場監視雷達(ASR
2012-12-06 17:09:16
用于大功率和頻率應用的舍入 GaN 基晶體管
針對可靠的高功率和高頻率電子設備，制造商正在研究氮化鎵(GaN)來制造具有高開關頻率的場效應晶體管(FET)由于硅正在接近其理論極限，制造商現在正在研究使用寬帶隙(WBG)材料來制造高效率的大功率
2022-06-15 11:43:25
電子元件能處理多大的功率？
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電流旁路對GaN晶體管并聯配置的影響
，在這種情況下采用基于氮化鎵（GaN）晶體管的解決方案意義重大。與傳統硅器件相類似，GaN晶體管單位裸片面積同樣受實際生產工藝限制，單個器件的電流處理能力存在上限。為了增大輸出功率，并聯配置晶體管已成為
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直接驅動GaN晶體管的優點
受益于集成器件保護，直接驅動GaN器件可實現更高的開關電源效率和更佳的系統級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關特性可實現提高開關模式電源效率和密度的新型
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瞬態抑制二極管大功率和小功率的選擇
的瞬變電壓，以及感應雷所產生的過電壓。 TVS二極管根據環境需要，大功率TVS管和小功率TVS管可以這樣區分選擇： 1、結電容：小功率TVS管結電容可做到0.3pF以下；大功率TVS管寄結電容高達上百
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第三代半導體材料盛行，GaN與SiC如何撬動新型功率器件
大功率容量等特點，成為發較快的寬禁帶器件。GaN功率管因其高擊穿電壓、高線性性能、高效率等優勢，已經在無線通信基站、廣播電視、電臺、干擾機、大功率雷達、電子對抗、衛星通信等領域有著廣泛的應用和良好
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導讀：近日，英飛凌宣布推出700瓦L波段射頻功率晶體管。該晶體管具備業界最高的L波段輸出功率（700瓦），適用于工作頻率范圍為1200 MHz~1400 MHz的雷達系統。這種新型器件可通過減少
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43大功率器件中改進光功率場分布的方法
大功率器件的關鍵是準直器，而準直器的關鍵是功率場的分布，而光功率場的分布取決于加熱源溫度場的分布，本文提出的加熱源可以提高光功率分布性能，從而廉價獲得高性
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0 引言
TIP41C是一種中壓低頻大功率線性開關晶體管。該器件設計的重點是它的極限參數。設計反壓較高的大功率晶體管
2009-12-24 17:04:5610381
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IGBT器件的大功率DCDC電源并聯技術
IGBT器件的大功率DCDC電源并聯技術(通信電源技術2019第七期)-該文檔為基于IGBT器件的大功率DCDC電源并聯技術總結文檔，是一份不錯的參考資料，感興趣的可以下載看看
2021-09-22 12:39:1950
50典型的大功率器件包括哪些 其優勢是什么
在知道大功率器件之前，我們要先知道功率器件是什么意思，功率器件是電子元件和電子器件的總稱，是電子裝置中，電能轉換與電路控制的核心，它利用半導體單向導電的特性改變電子裝置中電壓、頻率、相位和直流交流轉換等的功能。
2022-06-10 14:21:252554
2554大功率晶體管是什么器件_大功率晶體管優缺點
大功率晶體管是指在高電壓、大電流的條件下工作的晶體管。一般被稱為功率器件，屬于電力電子技術（功率電子技術）領域研究范疇。其實質就是要有效地控制功率電子器件合理工作，通過功率電子器件為負載提供大功率的輸出。
2023-03-01 09:39:241038
1038大功率晶體管優缺點及輸出形式
大功率晶體管的放大倍數取決于其特定的設計和工作條件，因此不能一概而論。晶體管的放大倍數（即電流增益）通常定義為晶體管輸出電流與輸入電流之比，用β表示。β的大小受到晶體管的結構、工作電流、溫度等因素
2023-03-01 14:06:592056
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氮化鎵功率器件結構和原理
晶體管）結構。GaN HEMT由以下主要部分組成： 襯底：氮化鎵功率器件的襯底采用高熱導率的材料，如氮化硅（Si3N4），以提高器件的熱擴散率和散熱能力。 二維電子氣層：氮化鎵襯底上生長一層氮化鎵，形成二維電子氣層。GaN材料的禁帶寬度大，由于
2024-01-09 18:06:41667
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工商網監
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