功率半導體分立器件的主要工藝流程包括：在硅圓片上加工芯片（主要流程為薄膜制造、曝光和刻蝕），進行芯片封裝，對加工完畢的芯片進行技術性能指標測試，其中主要生產工藝有外延工藝、光刻工藝、刻蝕工藝、離子注入工藝和擴散工藝等。

功率半導體分立器件的制造工藝流程通常包括以下幾個步驟：

襯底制備：選擇合適的襯底材料，通常使用硅、碳化硅等。通過切割和拋光等方法制備出平整的襯底表面。

晶體生長：在襯底表面沉積晶體原料，通過熱解或氣相沉積等方法在襯底上生長出晶體。生長過程中控制溫度、氣氛和生長速率等參數，以控制晶體品質。

制備薄膜：通過化學氣相沉積、物理氣相沉積等方法在晶體表面上沉積多層薄膜，用于控制器件性能和特性。

掩膜制備：通過光刻和掩膜制備技術，在薄膜表面上制備出所需的結構和電路圖案。

電極制備：在器件上添加金屬電極，形成電極結構和引腳。

背面磨薄：通過背面磨薄技術，將襯底薄化到合適的厚度，以降低器件電阻和提高散熱效率。

包封和測試：在器件表面添加保護層和封裝，進行測試和質量檢測。

以上是功率半導體分立器件制造的基本工藝流程，實際制造中可能還需要進行多次的沉積、刻蝕、退火等工藝處理，以滿足不同器件的特殊要求。同時，也需要嚴格的制造流程控制和質量檢測，以保證器件的性能和可靠性。

外延工藝技術

對于Si功率半導體器件，外延工藝是根據不同硅源（SiH2CL2、SiHCL3、SiCL4），在1100-1180°C溫度下在硅片表面再長一層或多層本征（不摻雜）、N型（摻PH3）或P型（摻B2H6）的單晶硅，并且，要將硅層的厚度和電阻率、厚度和電阻率的均勻性、表面的缺陷控制在允許范圍內。

對于SiC功率半導體器件，生長出低缺陷密度的單晶十分困難，因SiC襯底晶體生長需在2300°C的溫度下進行，需在H2保護氣氛下，用SiH4和CH4或C3H8作為反應氣體，其生長速率一般每小時只有幾微米，且仍存在SiC襯底中的晶體缺陷擴展到外延層的問題，因而SiC晶片成本特別是高質量大面積的SiC晶片成本遠高于Si晶片。

光刻工藝技術

光刻工藝是將掩膜（光刻板）圖形轉移到襯底表面的光刻膠上形成產品所需要圖形的工藝技術，***的精度一般是指光刻時所得到的光刻圖形的最小尺寸。分辨率越高，就能得到越細的線條，集成度也越高。

刻蝕工藝技術

刻蝕是用物理或化學的方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程，刻蝕的基本作用是準確地復制掩膜圖形，以保證生產線中各種工藝正常進行。包括濕法刻蝕、干法刻蝕及等離子增強反應離子刻蝕、電子回旋共振刻蝕（ECR）、感應耦合等離子體刻蝕（ICP）等其他先進蝕刻技術。

離子注入工藝技術

離子注入是通過高技術設備將器件需要的摻雜元素注入到硅片中。

擴散工藝技術

半導體摻雜工藝的主要目的在于控制半導體中特定區域內雜質的類型、濃度、深度和PN結。擴散技術是實現這一目的的簡單而方便的途徑。