在嵌入式設備開發中，往往需要保存一些掉電不易失性的數據，如果系統配置、用戶定制信息等等，如果增加額外的ROM IC，比如（基于I2C的24C02等等）往往會造成額外的PCB空間增大，硬件成本增加，降低產品的性價比。如果單從實用性來講，在stm32的系統中，諸如此類的應用，筆者推薦如下2個方法可以去嘗試和借鑒。

基于備份寄存器

原理：對于大容量的MCU系列來說，它有著42個16bit的備份寄存器，而中小容量的微處理器卻只有10個16bit的備份寄存器。以STM32F103C8T6為例，42個備份寄存器的地址偏移為：0x04~0x28，0x40~0xBC，共可以存儲84個byte數據。備份寄存器是依賴者備份電源的，當外界的VDD掉電，只要系統的VBAT能正常存在，那么Bakeup Domaain Registers的內容可以被正常保存起來。

軟件編程要點，以一個項目中常用的case為例：

功能初始化：

備份寄存器讀出：void BKP_WriteBackupRegister（uint16_t BKP_DR， uint16_t Data）

備份寄存器讀出：uint16_t BKP_ReadBackupRegister（uint16_t BKP_DR）

該方法使用簡單，清晰，但是由于總共的可以利用的空間少，故該方法只是適合于保存小批量的數據，如穿戴設備中用戶的常用配置數據。

基于內部閃存

原理：FLASH 存儲器又稱為閃存，它也是可重復擦寫的儲器。它分為 NOR FLASH 和 NAND FLASH，NOR FLASH一般應用在代碼存儲的場合，如嵌入式控制器內部的程序存儲空間；而 NAND FLASH 一般應用在大數據量存儲的場合，如U 盤以及固態硬盤等，一般都是 NAND FLASH 類型的。

在stm32芯片中，Flash的讀寫單位都是以“頁”為單位的，以STM32F103C8T6為例，它的每頁大小為2K bytes;

軟件編程要點

讀寫保護解除：使用這種方法前提是，當前讀和寫Flash的允許的，假設當前flash已經是允許寫的。所以暫時一些關于OptionBytes的操作和Flash的讀寫保護操作等API暫時不做討論。

FlashWrite：單個uint32_t數據的寫入簡易流程如圖：

FlashRead：對于單個int數據的讀出，比較簡單，通過下列語句完成：rdData= （*（__IOuint32_t *）dataAddr）;

由于SW介入的API較多，并且有很多的額外的背景知識需要碼農去了解，使用該方法，相對比較復雜。但是由于保存數據以頁為單位，頁的大小可以多達2048bytes，所以該方法可以實用于保存掉電不易失的大數據。考慮到flash讀寫保護的邏輯機制，該方法最好在不考慮數據的安全性問題前提下，才使用這種方法。

對于諸如此類的掉電保護數據方法，這里僅僅是拋磚引玉，歡迎大家多多提出更好的方案。

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