日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，其速度比同等光學(xué)柵極驅(qū)動(dòng)器快40%。
2012-10-11 14:04:33
1610 TriQuint半導(dǎo)體公司（納斯達(dá)克代碼：TQNT），推出四款具有卓越增益和效率，并且非常耐用的新氮化鎵（GaN）HEMT射頻功率晶體管產(chǎn)品。
2012-12-18 09:13:261196 MAX22701E 是MAX22700–MAX22702系列的首款產(chǎn)品，屬于單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，具有超高共模瞬態(tài)抗擾性 （CMTI），用于驅(qū)動(dòng)各種逆變器或電機(jī)控制應(yīng)用中的碳化硅 （SiC） 或氮化鎵 （GaN） 晶體管。
2020-03-21 08:17:00838 有源米勒鉗位選配，提升高速開(kāi)關(guān)抗干擾能力中國(guó)，2018年8月3日——意法半導(dǎo)體的STGAP2S單路電氣隔離柵極驅(qū)動(dòng)器提供26V的最大柵極驅(qū)動(dòng)輸出電壓，準(zhǔn)許用戶選擇獨(dú)立的導(dǎo)通/關(guān)斷輸出或內(nèi)部有源米勒鉗
2018-08-06 14:37:25
提供內(nèi)設(shè)端口控制器的雙芯片方案，已獲得完全認(rèn)證為幫助工程師在新開(kāi)發(fā)產(chǎn)品或在原有產(chǎn)品設(shè)計(jì)中引入最新的USBPower Delivery充電功能和多用途的USB Type-C?連接器，意法半導(dǎo)體新推出
2018-07-13 13:20:19
鼓勵(lì)其他大學(xué)的教授改編補(bǔ)充這套課程。 這套由8個(gè)自定進(jìn)度的教程組成的入門(mén)課程圍繞意法半導(dǎo)體的SensorTile設(shè)計(jì)。SensorTile是一個(gè)獨(dú)一無(wú)二的具有物聯(lián)網(wǎng)功能的實(shí)時(shí)嵌入式系統(tǒng)，集成在一個(gè)只有
2018-02-09 14:08:48
還有豐富的功能，能夠評(píng)測(cè)最新一代高分辨率工業(yè)級(jí)MEMS傳感器，例如，意法半導(dǎo)體最近推出具16位加速度計(jì)輸出和 12位溫度輸出的IIS3DHHC 三軸低噪加速度計(jì)。在開(kāi)啟項(xiàng)目前，用戶先將目標(biāo)傳感器模塊插入
2018-05-22 11:20:41
橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST；紐約證券交易所代碼：STM） 推出汽車(chē)級(jí)六軸慣性傳感器ASM330LHH ，為先進(jìn)的車(chē)載導(dǎo)航
2018-07-17 16:46:16
中國(guó)，2018年10月10日——意法半導(dǎo)體推出了STLINK-V3下一代STM8 和STM32微控制器代碼燒寫(xiě)及調(diào)試探針，進(jìn)一步改進(jìn)代碼燒寫(xiě)及調(diào)試靈活性，提高效率。STLINK-V3支持大容量存儲(chǔ)
2018-10-11 13:53:03
功率放大器以及商用和工業(yè)系統(tǒng)的功率放大器。意法半導(dǎo)體與遠(yuǎn)創(chuàng)達(dá)的合作協(xié)議將擴(kuò)大意法半導(dǎo)體LDMOS產(chǎn)品的應(yīng)用范圍。協(xié)議內(nèi)容保密，不對(duì)外披露。 相關(guān)新聞MACOM和意法半導(dǎo)體將硅上氮化鎵推入主流射頻市場(chǎng)
2018-02-28 11:44:56
13日 – 針對(duì)重要的醫(yī)療和工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域，意法半導(dǎo)體采用其經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的支持單片集成模擬電路（雙極晶體管）、數(shù)字電路（CMOS）和電源（DMOS）電路的BCD8s-SOI制造工藝，推出一款新的尺寸緊湊、性能
2018-08-13 14:18:07
中國(guó)，2018年8月27日——意法半導(dǎo)體的STSPIN830 和 STSPIN840單片電機(jī)驅(qū)動(dòng)器集成靈活多變的控制邏輯電路和低導(dǎo)通電阻RDS（ON）的功率開(kāi)關(guān)管，有助于簡(jiǎn)化7V-45V工作電壓
2018-08-29 13:16:07
新聞意法半導(dǎo)體推出直觀的固件開(kāi)發(fā)工具，加快物聯(lián)網(wǎng)傳感器設(shè)計(jì)進(jìn)程意法半導(dǎo)體推出新圖形用戶界面配置器，讓STM8微控制器設(shè)計(jì)變得更快捷意法半導(dǎo)體（ST）推出新款STM32微控制器，讓日用品具有像智能手機(jī)一樣的圖形用戶界面`
2018-07-13 15:52:39
STM32* 微控制器上開(kāi)發(fā)先進(jìn)的高能效電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的難度。此舉為空調(diào)、家電、無(wú)人機(jī)、樓宇自動(dòng)化、機(jī)床、醫(yī)療設(shè)備、電動(dòng)車(chē)等產(chǎn)品設(shè)備工程師研發(fā)先進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)帶來(lái)更多機(jī)會(huì)，而且無(wú)需專(zhuān)門(mén)的研發(fā)經(jīng)驗(yàn)。基于意法半導(dǎo)體上一代
2018-03-22 14:30:41
和RAM）。例如，對(duì)于內(nèi)存來(lái)說(shuō)太大的單個(gè)層可以分為兩個(gè)步驟。之前的MLPerf Tiny結(jié)果顯示，與標(biāo)準(zhǔn)CMSIS-NN分?jǐn)?shù)相比，意法半導(dǎo)體的推理引擎（Arm的CMSIS-NN的優(yōu)化版本）具有性能優(yōu)勢(shì)。STM32CubeAI開(kāi)發(fā)云還將支持意法半導(dǎo)體即將推出的微控制器，包括內(nèi)部開(kāi)發(fā)的NPU，即STM32N6。
2023-02-14 11:55:49
2 月 15日，意法半導(dǎo)體發(fā)布了單通道、雙通道和四通道車(chē)規(guī)柵極驅(qū)動(dòng)器，采用標(biāo)準(zhǔn)的PowerSSO-16 封裝，引腳分配圖可簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)升級(jí)，增加更多驅(qū)動(dòng)通道。新柵極驅(qū)動(dòng)器適用于所有的汽車(chē)系統(tǒng)設(shè)備
2023-02-16 09:52:39
，而提供恒流的驅(qū)動(dòng)電路是由一個(gè)控制器芯片和若干個(gè)元器所組成。意法半導(dǎo)體新款控制器STLED25單片集成能夠驅(qū)動(dòng)多達(dá)10支LED的控制電路，因此STLED25不僅能夠簡(jiǎn)化手機(jī)設(shè)計(jì)，還可為其它功能釋放更多
2011-11-24 14:57:16
和發(fā)射極。為了操作MOSFET/IGBT，通常須將一個(gè)電壓施加于柵極（相對(duì)于器件的源極/發(fā)射極而言）。使用專(zhuān)門(mén)驅(qū)動(dòng)器向功率器件的柵極施加電壓并提供驅(qū)動(dòng)電流。本文討論柵極驅(qū)動(dòng)器是什么，為何需要柵極驅(qū)動(dòng)器，以及如何定義其基本參數(shù)，如時(shí)序、驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度和隔離度。
2021-01-27 07:59:24
的MOSFET導(dǎo)通轉(zhuǎn)換能夠在更長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)提供/吸收更高柵極電流的驅(qū)動(dòng)器，切換時(shí)間會(huì)更短，因而其驅(qū)動(dòng)的晶體管內(nèi)的開(kāi)關(guān)功耗也更低。微控制器I/O引腳的拉電流和灌電流額定值通常可達(dá)數(shù)十毫安，而柵極驅(qū)動(dòng)器可以提供
2021-07-09 07:00:00
短路保護(hù)并影響開(kāi)關(guān)速度的功能。然而，在選擇柵極驅(qū)動(dòng)器時(shí)，某些特性也是至關(guān)重要的。圖1：隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器ADuM4135的簡(jiǎn)化原理圖電流驅(qū)動(dòng)能力在開(kāi)關(guān)期間，晶體管會(huì)處于同時(shí)施加了高電壓和高電流的狀態(tài)。根據(jù)
2021-11-11 07:00:00
，以及基于硅的 “偏轉(zhuǎn)晶體管 “屏幕產(chǎn)品的消亡。
因此，氮化鎵是我們?cè)陔娨暋⑹謾C(jī)、平板電腦、筆記本電腦和顯示器中，使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技術(shù)。在光子學(xué)方面，氮化鎵還被用于藍(lán)光激光技術(shù)（最明顯
2023-06-15 15:50:54
X-GaN晶體管在Vds尖峰電壓額定值為750V（1微秒）時(shí)獲得認(rèn)證。垂直場(chǎng)依賴(lài)擊穿也在相同的1kV范圍內(nèi); 松下柵極驅(qū)動(dòng)器IC 松下于2016年底為希望使用GiT快速部署解決方案的開(kāi)發(fā)人員推出了自己
2023-02-27 15:53:50
的熱量，需要更大的散熱器。不幸的是，這增加了系統(tǒng)成本、重量和解決方案總尺寸，這在空間受限的應(yīng)用中是不期望的或不可接受的。氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）具有優(yōu)于硅MOSFET的多種優(yōu)勢(shì)
2017-08-21 14:36:14
集成電路［7］。圖7顯示了單片功率級(jí)GaN IC的框圖和實(shí)際芯片照片。將這種單片集成電路的實(shí)驗(yàn)測(cè)量效率（如圖8所示）與使用具有相同導(dǎo)通電阻的eGaN?晶體管的分立電路進(jìn)行比較，并由uPI半導(dǎo)體uP1966
2023-02-24 15:15:04
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
本文討論了商用氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管相比在軟開(kāi)關(guān)LLC諧振轉(zhuǎn)換器方面的優(yōu)勢(shì)。介紹隨著更高功率、更小尺寸和更高效率的明顯趨勢(shì)，高頻 LLC 諧振轉(zhuǎn)換器是業(yè)內(nèi)隔離式
2023-02-27 09:37:29
晶體管如今已與碳化硅基氮化鎵具有同樣的電源效率和熱特性。MACOM 的第四代硅基氮化鎵 (Gen4 GaN) 代表了這種趨勢(shì)，針對(duì) 2.45GHz 至 2.7GHz 的連續(xù)波運(yùn)行可提供超過(guò) 70
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管并配合LM5113半橋驅(qū)動(dòng)器可容易地實(shí)現(xiàn)的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。 當(dāng)用于電源時(shí)，GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
）輸出分別實(shí)現(xiàn)晶體管的導(dǎo)通和關(guān)斷。當(dāng)使用12V隔離電源作為柵極驅(qū)動(dòng)器供電時(shí)，EiceDRIVER?內(nèi)部會(huì)將其分為正向驅(qū)動(dòng)電壓和-2.5V反向關(guān)斷電壓這樣可確保驅(qū)動(dòng)電壓不超過(guò)晶體管柵極閾值，并大限度減小反向
2021-01-19 16:48:15
的電壓來(lái)驅(qū)動(dòng)Q1。這是一個(gè)繁瑣的解決方案，對(duì)于高效系統(tǒng)來(lái)說(shuō)并不實(shí)用。因此，人們需要經(jīng)過(guò)電平轉(zhuǎn)換并以高端晶體管源極為基準(zhǔn)的控制信號(hào)。這被稱(chēng)為功能隔離，可以利用隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器（如ADuM4223）來(lái)實(shí)現(xiàn)。抗
2018-10-25 10:22:56
，則將需要大于VBUS的電壓來(lái)驅(qū)動(dòng)Q1。這是一個(gè)繁瑣的解決方案，對(duì)于高效系統(tǒng)來(lái)說(shuō)并不實(shí)用。因此，人們需要經(jīng)過(guò)電平轉(zhuǎn)換并以高端晶體管源極為基準(zhǔn)的控制信號(hào)。這被稱(chēng)為功能隔離，可以利用隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器（如
2018-11-01 11:35:35
`Cree的CGH40010是無(wú)與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。 CGH40010，正在運(yùn)行從28伏電壓軌供電，提供通用寬帶解決方案應(yīng)用于各種射頻和微波應(yīng)用。 GaN
2020-12-03 11:51:58
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類(lèi)產(chǎn)品相比，這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術(shù)相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
隔離電源轉(zhuǎn)換器詳解柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案選項(xiàng)最優(yōu)隔離柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案
2021-03-08 07:53:35
Cree的CMPA801B025是氮化鎵（GaN）高電子遷移率基于晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能，包括更高的擊穿電壓，更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
，只應(yīng)用在高端充電器上。一些小功率的，高性價(jià)比的充電器無(wú)法享受到氮化鎵性能提升所帶來(lái)的紅利。目前，國(guó)內(nèi)已經(jīng)有多家廠商推出了用于33-100W大功率充電器的合封芯片，通過(guò)將氮化鎵開(kāi)關(guān)管，控制器以及驅(qū)動(dòng)器
2021-11-28 11:16:55
開(kāi)關(guān)性能。集成驅(qū)動(dòng)器還可以實(shí)現(xiàn)保護(hù)功能簡(jiǎn)介氮化鎵 (GaN) 晶體管的開(kāi)關(guān)性能要優(yōu)于硅MOSFET，因?yàn)樵谕葘?dǎo)通電阻的情況下，氮化鎵 (GaN) 晶體管的終端電容較低，并避免了體二極管所導(dǎo)致的反向恢復(fù)
2018-08-30 15:28:30
應(yīng)用。加拿大多倫多大學(xué)教授吳偉東分享了關(guān)于用于GaN功率晶體管的智能柵極驅(qū)動(dòng)器IC的精彩報(bào)告，并提出了一種適用于氮化鎵功率晶體管的智能柵極驅(qū)動(dòng)集成電路，該集成電路帶有電流傳感特性、可調(diào)節(jié)輸出電阻、可調(diào)節(jié)電流
2018-11-05 09:51:35
）的三層結(jié)構(gòu)的Field-Effect Transistor（場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。BIPOLAR是指使用了雙極性元件，將稱(chēng)為p型和n型的兩種半導(dǎo)體構(gòu)成n-p-n及p-n-p結(jié)構(gòu)的電流工作型晶體管。
2019-05-06 05:00:17
）的三層結(jié)構(gòu)的Field-Effect Transistor（場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。BIPOLAR是指使用了雙極性元件，將稱(chēng)為p型和n型的兩種半導(dǎo)體構(gòu)成n-p-n及p-n-p結(jié)構(gòu)的電流工作型晶體管。
2019-03-27 06:20:04
電子、汽車(chē)和無(wú)線基站項(xiàng)目意法半導(dǎo)體獲準(zhǔn)使用MACOM的技術(shù)制造并提供硅上氮化鎵射頻率產(chǎn)品預(yù)計(jì)硅上氮化鎵具有突破性的成本結(jié)構(gòu)和功率密度將會(huì)實(shí)現(xiàn)4G/LTE和大規(guī)模MIMO 5G天線中國(guó)，2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38
`作為一家具有60多年歷史的公司，MACOM在射頻微波領(lǐng)域經(jīng)驗(yàn)豐富，該公司的首款產(chǎn)品就是用于微波雷達(dá)的磁控管，后來(lái)從真空管、晶體管發(fā)展到特殊工藝的射頻及功率器件（例如砷化鎵GaAs）。進(jìn)入2000年
2017-09-04 15:02:41
的射頻器件越來(lái)越多，即便集成化仍然很難控制智能手機(jī)的成本。這跟功能機(jī)時(shí)代不同，我們可以將成本做到很低，在全球市場(chǎng)都能夠保證低價(jià)。但如果到了5G時(shí)代，需要的器件越來(lái)越多，價(jià)格越來(lái)越高。半導(dǎo)體材料硅基氮化鎵
2017-07-18 16:38:20
測(cè)試背景地點(diǎn)：國(guó)外某知名品牌半導(dǎo)體企業(yè)，深圳氮化鎵實(shí)驗(yàn)室測(cè)試對(duì)象：氮化鎵半橋快充測(cè)試原因：因高壓差分探頭測(cè)試半橋上管Vgs時(shí)會(huì)炸管，需要對(duì)半橋上管控制信號(hào)的具體參數(shù)進(jìn)行摸底測(cè)試測(cè)試探頭：麥科信OIP
2023-01-12 09:54:23
QPD1004氮化鎵晶體管產(chǎn)品介紹QPD1004報(bào)價(jià)QPD1004代理QPD1004咨詢熱線QPD1004現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司QPD1004是25W（p3db），50歐姆輸入匹配
2018-07-30 15:25:55
QPD1018氮化鎵晶體管產(chǎn)品介紹QPD1018報(bào)價(jià)QPD1018代理QPD1018咨詢熱線QPD1018現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司QPD1018內(nèi)部匹配離散GaN-on-SiC
2018-07-27 09:06:34
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:24:16
TGF2977-SM氮化鎵晶體管產(chǎn)品介紹TGF2977-SM報(bào)價(jià)TGF2977-SM代理TGF2977-SM咨詢熱線TGF2977-SM現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司TGF2977-SM是5
2018-07-25 10:06:15
開(kāi)發(fā)工具包包括一塊STM32 Discovery主板、一塊GNSS 擴(kuò)展板和一個(gè)軟件功能包。STM32 Discovery主板用于2G / 3G蜂窩網(wǎng)絡(luò)與云端之間的連接，GNSS擴(kuò)展板基于意法半導(dǎo)體的業(yè)內(nèi)
2018-09-07 11:12:27
智能電表芯片單片集成開(kāi)發(fā)智能電表所需的全部重要功能，能夠滿足多個(gè)智能電網(wǎng)市場(chǎng)的需求。這些電表連接消費(fèi)者和供電公司，提供實(shí)時(shí)電能計(jì)量和用電數(shù)據(jù)分析功能。意法半導(dǎo)體亞太區(qū)功率分立器件和Sub Analog
2018-03-08 10:17:35
的持續(xù)供應(yīng)，同時(shí)也幫助設(shè)備廠商解決了在售產(chǎn)品生命周期長(zhǎng)這一難題，為處于有挑戰(zhàn)性的工業(yè)環(huán)境條件下的產(chǎn)品延長(zhǎng)了使用壽命。除工業(yè)傳感器之外，該計(jì)劃還覆蓋了意法半導(dǎo)體的STM32微控制器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、模擬器
2018-05-28 10:23:37
開(kāi)發(fā)者在電腦上直接使用STM32和STM8設(shè)計(jì)資源意法半導(dǎo)體(ST)完整全橋系統(tǒng)封裝內(nèi)置MOSFET、柵驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)技術(shù)以節(jié)省空間，簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，精簡(jiǎn)組裝意法半導(dǎo)體推出封裝小、性能強(qiáng)的低壓差穩(wěn)壓器創(chuàng)新產(chǎn)品`
2018-05-28 10:35:07
ODM和一級(jí)供應(yīng)商可以使用Silicon Labs的Si827x隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器來(lái)構(gòu)建系統(tǒng)。這些驅(qū)動(dòng)器符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)，符合汽車(chē)半導(dǎo)體器件的標(biāo)準(zhǔn)質(zhì)量和文檔要求。高壓氮化鎵電源在電源行業(yè)有些獨(dú)特
2018-07-19 16:30:38
在功率電子（例如驅(qū)動(dòng)技術(shù)）中，IGBT經(jīng)常用作高電壓和高電流開(kāi)關(guān)。這些功率晶體管由電壓控制，其主要損耗產(chǎn)生于開(kāi)關(guān)期間。為了最大程度減小開(kāi)關(guān)損耗，要求具備較短的開(kāi)關(guān)時(shí)間。然而，快速開(kāi)關(guān)同時(shí)隱含著高壓瞬
2020-10-29 08:23:33
的應(yīng)用，例如移動(dòng)電話中的功率放大器和激光驅(qū)動(dòng)器。
達(dá)林頓晶體管
達(dá)林頓晶體管有時(shí)稱(chēng)為“達(dá)林頓對(duì)”，是由兩個(gè)晶體管組成的晶體管電路。西德尼·達(dá)林頓發(fā)明了它。它就像一個(gè)晶體管，但它具有更高的獲得電流的能力
2023-08-02 12:26:53
。
在器件層面，根據(jù)實(shí)際情況而言，歸一化導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）和柵極電荷（QG）乘積得出的優(yōu)值系數(shù)，氮化鎵比硅好 5 倍到 20 倍。通過(guò)采用更小的晶體管和更短的電流路徑，氮化鎵充電器將能實(shí)現(xiàn)了
2023-06-15 15:53:16
應(yīng)用范圍也越來(lái)越廣。據(jù)報(bào)道，美國(guó)特斯拉公司的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)逆變器使用的是碳化硅半導(dǎo)體。另外，很多讀者都已經(jīng)在電器市場(chǎng)上看到了使用了氮化鎵半導(dǎo)體的微型 AC轉(zhuǎn)換器。采用寬禁帶材料制作的電力半導(dǎo)體，其內(nèi)部電路在高壓
2023-02-23 15:46:22
用于高頻電路。砷化鎵組件在高頻、高功率、高效率、低噪聲指數(shù)的電氣特性均遠(yuǎn)超過(guò)硅組件，空乏型砷化鎵場(chǎng)效晶體管(MESFET)或高電子遷移率晶體管(HEMT/PHEMT)，在3 V 電壓操作下可以有80
2019-07-29 07:16:49
晶體管是通常用于放大器或電控開(kāi)關(guān)的半導(dǎo)體器件。晶體管是調(diào)節(jié)計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話和所有其他現(xiàn)代電子電路運(yùn)行的基本構(gòu)件。由于其高響應(yīng)和高精度，晶體管可用于各種數(shù)字和模擬功能，包括放大器、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓器、信號(hào)
2023-02-03 09:36:05
eMode硅基氮化鎵技術(shù)，創(chuàng)造了專(zhuān)有的AllGaN?工藝設(shè)計(jì)套件（PDK），以實(shí)現(xiàn)集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅(qū)動(dòng)器，邏輯和保護(hù)功能于單芯片中。該芯片被封裝到行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的、低寄生電感、低成本的 5×6mm 或
2023-06-15 14:17:56
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計(jì)，帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起，我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級(jí)
2020-10-27 09:28:22
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場(chǎng)多年，無(wú)論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
鎵具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢(shì)，氮化鎵充電器的充電器件運(yùn)行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100倍。
更重要的是，氮化鎵相比傳統(tǒng)的硅，可以在更小的器件空間內(nèi)處理更大的電場(chǎng)，同時(shí)提供更快的開(kāi)關(guān)速度。此外，氮化鎵比硅基半導(dǎo)體器件，可以在更高的溫度下工作。
2023-06-15 15:41:16
地，氮化鎵晶體管以鎳和金的薄膜組配作為柵極金屬，并采用肖特基接觸或金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）結(jié)構(gòu)。為確保透明，我們可以調(diào)整這種設(shè)計(jì)，將這些不透明金屬改變?yōu)橥该鲗?dǎo)電材料如氧化銦錫，它廣泛應(yīng)用于透明
2020-11-27 16:30:52
鎵技術(shù)作為III-V族化合物半導(dǎo)體，氮化鎵(GaN) 具有禁帶寬度大、電子遷移率高、介電系數(shù)小、導(dǎo)電性能好的特點(diǎn)，用其制作成的氮化鎵晶體管(GaN FET)具有導(dǎo)通電阻小、結(jié)電容小和頻率高的優(yōu)點(diǎn)，因此
2019-03-14 06:45:08
概述：NV6127是一款升級(jí)產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻更小，只有 125 毫歐，是氮化鎵功率芯片IC。型號(hào)2：AON6268絲印：6268屬性：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 - 晶體管封裝：DFN-8參數(shù)FET 類(lèi)型：N 通道
2021-01-13 17:46:43
客戶希望通過(guò)原廠FAE盡快找到解決方案，或者將遇到技術(shù)挫折歸咎為芯片本身設(shè)計(jì)問(wèn)題，盡管不排除芯片可能存在不適用的領(lǐng)域，但是大部分時(shí)候是應(yīng)用層面的問(wèn)題，和芯片沒(méi)有關(guān)系。這種情況對(duì)新興的第三代半導(dǎo)體氮化鎵
2023-02-01 14:52:03
氮化鎵技術(shù)是功率級(jí)的真正推動(dòng)者，如今可提供過(guò)去十年無(wú)法想象的性能。只有當(dāng)柵極驅(qū)動(dòng)器與晶體管具有相同程度的性能和創(chuàng)新時(shí)，才能獲得GaN的最大性能和優(yōu)勢(shì)。經(jīng)過(guò)多年的研發(fā)，MinDCet通過(guò)推出
2023-02-24 15:09:34
，然后是驅(qū)動(dòng)輸出的上拉和下拉晶體管。最終封裝中厚層透明硅樹(shù)脂將輸入和輸出級(jí)分開(kāi)，并提供了安全隔離。電流驅(qū)動(dòng)輸入級(jí)的簡(jiǎn)易性、良好的抗噪性和安全隔離是電機(jī)驅(qū)動(dòng)器制造商幾乎在所有設(shè)計(jì)中都采用光電隔離柵極驅(qū)動(dòng)器的主要原因…
2022-11-10 06:40:24
壓擺率很高時(shí)，特定的封裝類(lèi)型會(huì)限制GaN FET的開(kāi)關(guān)性能。將GaN FET與驅(qū)動(dòng)器集成在一個(gè)封裝內(nèi)可以減少寄生電感，并且優(yōu)化開(kāi)關(guān)性能。集成驅(qū)動(dòng)器還可以實(shí)現(xiàn)保護(hù)功能簡(jiǎn)介氮化鎵 (GaN) 晶體管的開(kāi)關(guān)
2022-11-16 06:23:29
快速增長(zhǎng)的電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)，安森美半導(dǎo)體推出了許多IGBT、低中高壓MOSFET、高壓整流器、汽車(chē)模塊和數(shù)字隔離柵極驅(qū)動(dòng)器以及一個(gè)用于48V系統(tǒng)的80 V 和100V MOSFET。最新增加到汽車(chē)電源
2018-10-25 08:53:48
對(duì)于低噪聲放大器、功率放大器與開(kāi)關(guān)器等射頻前端組件的制造仍力有未逮。氮化鎵GaN氮化鎵并非革命性的晶體管技術(shù)，這種新興技術(shù)逐漸用于替代橫向擴(kuò)散金屬氧化物硅半導(dǎo)體(Si LDMOS)和砷化鎵(GaAs
2016-09-15 11:28:41
驅(qū)動(dòng)6V GaN晶體管，用于任何具有單側(cè)、雙側(cè)或高邊/低邊驅(qū)動(dòng)器的控制器或驅(qū)動(dòng)器。新驅(qū)動(dòng)器 Heyday HEY1011 在 GaN 設(shè)計(jì)中顯著減小了尺寸并節(jié)省了電路板空間。憑借其消除自舉和隔離電源
2023-02-21 16:30:09
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計(jì)，帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起，我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級(jí)
2022-11-10 06:36:09
功率/高頻射頻晶體管和發(fā)光二極管。2010年，第一款增強(qiáng)型氮化鎵晶體管普遍可用，旨在取代硅功率MOSFET。之后隨即推出氮化鎵功率集成電路- 將GaN FET、氮化鎵基驅(qū)動(dòng)電路和電路保護(hù)集成為單個(gè)器件
2023-06-25 14:17:47
全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子今日宣布，推出一款全新柵極驅(qū)動(dòng)IC——RAJ2930004AGM，用于驅(qū)動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率
2023-02-15 11:19:05
和頻率電子應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更高的效率而制造的。ST’s vipergan50高電壓轉(zhuǎn)換器我們首先要宣布的是來(lái)自意法半導(dǎo)體的消息。最近，它推出了 VIPERGAN50，一種基于 GaN 晶體管的功率轉(zhuǎn)換器，為
2022-06-15 11:43:25
受益于集成器件保護(hù)，直接驅(qū)動(dòng)GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級(jí)可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開(kāi)關(guān)特性可實(shí)現(xiàn)提高開(kāi)關(guān)模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
來(lái)說(shuō)，增益的大小大約等于輸出電流與輸入電流的比值，稱(chēng)為貝塔。對(duì)于金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管或 MOSFET，沒(méi)有輸入電流，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">柵極與主載流溝道隔離。因此，場(chǎng)效應(yīng)管的增益等于輸出電流變化與輸入電壓變化
2022-04-29 10:55:25
美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司 (National Semiconductor Corporation)宣布推出一款業(yè)界最小的白光LED驅(qū)動(dòng)器，可以靈活控制顯示屏背光亮度。這款型號(hào)為L(zhǎng)M3530的升壓轉(zhuǎn)換器屬于
2019-09-03 06:18:33
意法半導(dǎo)體官方的庫(kù)怎么搞？求解答
2021-12-15 07:31:43
”的器件。它有多好呢？擊穿電壓是功率晶體管的關(guān)鍵指標(biāo)之一，達(dá)到這個(gè)臨界點(diǎn)，半導(dǎo)體阻止電流流動(dòng)的能力就會(huì)崩潰。東脅研究的開(kāi)創(chuàng)性晶體管的擊穿電壓大于250伏。相比之下，氮化鎵花了近20年的時(shí)間才達(dá)到這一
2023-02-27 15:46:36
耦合器解決方案。集中供電柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器用于提供高壓增強(qiáng)電流絕緣，并提供高輸出電流，以切換電機(jī)驅(qū)動(dòng)器或逆變器中的IGBT。電壓比較器和晶體管開(kāi)關(guān)等分立元件用于在短路故障期間保護(hù)昂貴的IGBT，而數(shù)字
2018-08-18 12:05:14
美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司今天宣布，推出業(yè)界首款針對(duì)高壓電源轉(zhuǎn)換器的增強(qiáng)型氮化鎵(GaN)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)而優(yōu)化的100V半橋柵極驅(qū)動(dòng)器
2011-06-23 09:34:581651 意法半導(dǎo)體的STGAP2S單路電氣隔離柵極驅(qū)動(dòng)器提供26V的最大柵極驅(qū)動(dòng)輸出電壓，準(zhǔn)許用戶選擇獨(dú)立的導(dǎo)通/關(guān)斷輸出或內(nèi)部有源米勒鉗位功能，可用于各種開(kāi)關(guān)拓?fù)淇刂铺蓟瑁⊿iC）或硅MOSFET和IGBT功率晶體管。
2018-08-04 09:20:00826 STGAP2DM柵極驅(qū)動(dòng)器是意法半導(dǎo)體的 STGAP2系列電隔離驅(qū)動(dòng)器的第二款產(chǎn)品，集成了低壓控制和接口電路以及兩個(gè)電隔離輸出通道，可以驅(qū)動(dòng)單極或雙極型晶體管的柵極。
2018-11-16 15:46:313905 意法半導(dǎo)體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器在高壓電力變換和工業(yè)應(yīng)用中節(jié)省空間，簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)。
2022-02-17 10:06:141783 本文介紹了在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中為功率級(jí)選擇隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器時(shí)，您有多種選擇。柵極驅(qū)動(dòng)器可簡(jiǎn)單可復(fù)雜，具有集成米勒箝位、分離輸出或絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 發(fā)射極的欠壓 （UVLO） 鎖定參考等功能。
2022-11-30 09:58:211105 
近日，意法半導(dǎo)體推出了首款具有電流隔離功能的氮化鎵 (GaN) 晶體管柵極驅(qū)動(dòng)器，新產(chǎn)品 STGAP2GS縮小了芯片尺寸，降低了物料清單成本，能夠滿足應(yīng)用對(duì)寬禁帶芯片的能效以及安全性和電氣保護(hù)的更高要求。
2023-09-12 09:01:31457
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