日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，發布新款40V和60V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP
2011-04-01 10:41:59
1527 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:441092 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款采用熱增強型2mm x 2mm PowerPAK? SC-70封裝的單路12V器件--- SiA447DJ，
2012-10-09 11:28:30984 Vishay具有業內最低導通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。采用業內最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規格尺寸
2012-11-29 16:37:311694 Vishay推出新款通過AEC-Q101認證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:381449 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiB456DK和SiA416DJ，將Vishay的ThunderFET?應用到更小的封裝尺寸上。
2013-01-09 11:42:301462 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，發布新款采用熱增強型PowerPAK? SO-8封裝的新款N溝道TrenchFET?功率
2013-04-23 11:47:111791 基于超級結技術的功率MOSFET已成為高壓開關轉換器領域的業界規范。它們提供更低的RDS（on），同時具有更少的柵極和和輸出電荷，這有助于在任意給定頻率下保持更高的效率。在超級結MOSFET出現之前
2017-08-25 14:36:2031081 
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大導通電阻，以及22A～47A的額定電流范圍
2011-10-13 09:09:311168 Vishay提供豐富的MOSFET技術支持各級功率轉換，涵蓋高壓輸入到低壓輸出的各種最新高科技系統。
2020-12-24 15:08:34802 低成本AC-DC電源方案8652是一款非隔離型、高集成度且低成本的PWM功率開關，適用于降壓型和升降壓型電路。AH8652采用高壓單晶圓工藝，在同一片晶圓上集成有500V高壓MOSFET和采用開關式峰值
2020-09-09 14:50:57
需求：將鋰電池3.7V升壓成500V的5KHz交流電去點亮EL線
現有電路
原理：
在Q1關斷期間，導通Q2，電感儲能；關斷Q2后，電感產生反向電動勢，給EL燈的等效電容C1充電；理論上可以升到D1
2023-06-28 19:43:57
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
大家好。在CC模式測試期間，我可以詢問安捷倫校準中心在其6035A 500V / 2A 1000W電源上用作負載調節/負載效應的短路開關。您是使用電子開關還是重型機械開關（以創建短路）電路）從
2019-04-02 15:47:32
SJ MOSFET是一種先進的高電壓功率MOSFET，根據P&S的超結原理。報價設備提供了快速切換的所有好處并且導通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
一、簡介90V-220V輸入小體積LED恒流驅動芯片集成了500V功率MOS、高壓自供電電路以及采樣電路，無需啟動電阻以及反饋電阻。準諧振工作模式簡化了PCB的設計，系統只需要幾個的外圍元件，大大
2020-10-29 16:05:19
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
公司產品打算做CE認證，其中一項測試就是能抵抗500V的浪涌電壓。測試公司會用他們的設備連接我們的設備，12V的輸入，500V的浪涌電壓持續1.2ms。于是我們在其中加入了TVS，如圖所示。D18
2019-11-12 11:10:07
`GEN300-11品牌TDK-LAMBDA 東莞市德佳儀器 供應各類而我若所儀器儀 GEN300-11產品特點* CE標志 (符合低電壓指令, EMC: EN55022/55024), 符合
2020-08-28 15:59:57
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標準并經 100% Rg 和 UIS 測試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護典型值達
2019-07-09 17:30:39
部分的快速電壓瞬變干擾。Vishay推出的 VO3120是光隔離IGBT/MOSFET驅動器，驅動能力達1200V /50A，傳播延遲小于400ns，1500V電壓下抗共摸干擾 (CMTI)為25kV
2010-09-08 15:49:48
汽車級電阻，節省電路板空間，工作電壓為450 V，公差± 0.1 %，TCR低至± 10 ppm/K Vishay 推出0805外形尺寸小型器件，擴充其TNPV e3系列汽車級高壓薄膜扁平片式
2022-03-30 13:58:54
從本篇開始，介紹近年來MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超級結MOSFET。功率晶體管的特征與定位首先來看近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率
2018-11-28 14:28:53
：介于平面和超結型結構中間的類型超級結結構是高壓MOSFET技術的重大發展并具有顯著優點，其RDS(on)、柵極容值和輸出電荷以及管芯尺寸同時得到降低。為充分利用這些快速和高效器件，設計工程師需要非常注意
2018-10-17 16:43:26
國際整流器公司推出一系列新一代500V及600V高壓集成電路（HVIC）。這19款新型HVIC采用半橋設計，配有高端和低端驅動器，可廣泛適用于包括馬達控制、照明、開關電源、音頻和平板顯示器等
2018-08-31 11:23:15
的方向，充分并迅速地了解供應商提供的仿真模型是否真實反映既定應用空間內的器件仍然是棘手的問題。
與競爭對手的模型不同，Fairchild的超級結MOSFET和IGBTSPICE模型基于一個物理可擴展模型
2019-07-19 07:40:05
產品描述 QQ289 271 5427 DP950XB系列是高度集成的恒流LED功率開關， 芯片采用了準諧振的工作模式，無需輔助繞組檢測 消磁。同時內部集成有高壓500V功率MOSFET和 高壓自供
2019-09-27 15:10:01
。 特點 ?內置500V高壓MOSFET ?5% 輸出電流精度 ?可編程LED輸出電流 ?專利的防過沖技術 ?多芯片并聯應用 ?精簡的外圍電路，驅動器體積非常小 ?芯片供電欠壓保護 ?過溫補償 ?過溫
2013-02-22 17:32:41
Adaptor。NCP1234 和NCP1236 系列控制器能夠納入高性能離線(Off-line)電源，同時將電路板空間減至最小。這一系列組件采用高壓制程工藝技術，整合了多種功能，如：過功率補償
2015-04-23 11:48:26
穩壓器IC。 HV9921集成了一個500V開關MOSFET，可直接在整流的通用交流線電壓范圍80至265VAC下工作
2019-10-16 08:41:01
穩壓器IC。 HV9923集成了一個500V開關MOSFET，可直接工作于整流通用交流線電壓范圍80至265VAC
2019-10-16 08:37:46
電源.開關電源,汽車電子專用高壓貼片電容 產品規格有： 0805 X7R 100V、250V、500V 系列0805 NPO 100V、250V、500V 系列1206 X7R 100V、250V
2012-05-06 11:26:50
電壓的自適應，從而取得優異的線型調整率和負 載調整率。 SIC9552A/9553A/9554A/9555A/9556A內部集成了500V功率MOSFET，無需次級反饋電路，也無需補 償電路，加之精準
2016-06-16 20:42:44
1.5kV，常用1kV以下，電流從幾mA到數百A；MOSFET在1kV以下，常用500V以下,電流數A到數百A；IGBT電壓定額在500V以上，可達數kV，電流數十A到數kA。不同的器件具有不同的驅動要求：雙
2021-03-29 17:31:30
輸入900V，輸出500V的高壓穩壓電源——三極管串聯應用的典范：
2018-09-13 18:18:07
基于超級結技術的功率MOSFET已成為高壓開關轉換器領域的業界規范。它們提供更低的RDS(on)，同時具有更少的柵極和和輸出電荷，這有助于在任意給定頻率下保持更高的效率。在超級結MOSFET出現之前
2017-08-09 17:45:55
有兩個500v 100uf的電容 串聯在1000v直流電中，想要選取分壓電阻，讓每個電容分得500v電壓，分壓電阻阻值和功率如何選擇？
補充內容 (2016-8-5 09:57):
在線等
2016-08-04 17:44:36
共用 PCB 板 ?LED 電流可外部設定? 芯片應用線路無 EMI 問題? 內置 500V 高壓 MOS ? 芯片具有過溫調節能力（過溫點 135 度）? 采用 ESOP8、TO252、SOT89-3 封裝
2020-11-09 18:57:28
分析C2\C3\D3\D4作用，C1上為什么會有500V電壓
2020-04-26 21:24:36
，工程師們已定義一套FOM以應用于新的低壓功率MOSFET技術研發。由此產生的30伏特(V)技術以超級接面(Superjunction)為基礎概念，是DC-DC轉換器的理想選擇；相較于橫向和分裂閘極
2019-07-04 06:22:42
的trr/VF 比和恢復軟度。 3.2. 超結MOSFET: SLLIMM-nano系列產品所用的N溝道600 V超結MOSFET采用最新的MDMesh DM2快速二極管技術。改進的壽命控制技術使
2018-11-20 10:52:44
1.38V。最高工作結溫達+175℃，可實現更穩固的設計。Vishay的新款Gen2 650 V FRED Pt?超快裸片二極管具有28ns的快速恢復時間，正向壓降低至1.38V，低反向泄漏電流可減少太陽能逆變器、UPS、電動汽車和電焊機中的開關損耗。本新聞來自大聯大云端`
2014-01-02 14:27:36
采用新技術，例如D3半導體正在實施的技術。新方法在開發新的+FET產品線時，D3半導體選擇了一種非傳統的技術方法，將集成應用于高壓超結功率MOSFET?。在傳統的晶體管配置中，沒有元件來提供微調功能
2023-02-27 10:02:15
求一款低邊MOSFET驅動,輸入電壓12V,電流1A以上，且一顆芯片驅動兩個MOSFET?
2020-03-18 09:31:32
浪涌抑制器IC可以保護> 500V電源浪涌的負載
2019-07-30 08:22:40
的導通電阻產生的導通壓降仍居高不下，耐壓500V以上的MOSFET 的額定結溫、額定電流條件下的導通電壓很高，耐壓800V以上的導通電壓高得驚人，導通損耗占MOSFET總損耗的2/3-4/5，使應用受到
2020-03-31 17:08:29
主要特點● 集成 500V 高壓 MOSFET 和高壓啟動電路● 多模式控制、無異音工作● 支持降壓和升降壓拓撲● 默認12V 輸出（FB 腳懸空）● 待機功耗低于50mW ● 良好的線性調整率
2020-08-14 14:32:05
運放正負12伏供電，運放輸出端連接mosfet的G極。mosfet的D連接500v直流高壓，mosfet的S極連接一個20歐姆電阻到地，20歐姆電阻連接運放反饋端，我想把運放個mosfet進行隔離，求方案。求器件。整個原理其實就是運放控制mosfet實現電流源。
2018-08-02 08:55:51
請問怎么實現12V直流輸入，輸出100~500V連續可調電壓？
2016-03-05 17:03:59
請問我想將3.3V直流升為500V直流，怎么實現？比如選擇什么樣的芯片，用什么電路
2015-06-08 15:50:33
的矛盾。 即便如此，高壓MOSFET在額定結溫下的導通電阻產生的導通壓降仍居高不下，耐壓500V以上的MOSFET 的額定結溫、額定電流條件下的導通電壓很高，耐壓800V以上的導通電壓高得驚人，導
2023-02-27 11:52:38
加深理解，最好還是參閱技術規格的標準值和特性圖表。【標準SJ MOSFET：AN系列】R50xxANx（500V）R52xxANx系列（520V）R60xxANx系列（600V）R80xxANx系列
2018-12-03 14:27:05
B88069X6940B152 擊穿電壓500V無引腳11.8*17.1B88069X4380B152 擊穿電壓800V無引腳11.8*17.1EN 61643-11 I和II
2022-11-05 09:59:55
Vishay Intertechnology, Inc.推出三款新型500V、12A的N溝道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，該MOSFET在10V柵極驅動下的最大導通電阻達到超低的0.555Ω，柵極電荷減小為48nC，采
2010-07-16 15:05:24
17 Qorvo 的 UJ4SC075011B7S 是一款 750 V、11 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同
2023-12-17 10:50:35
Vishay新型功率MOSFET采用反向導引TO-252DPAK封裝
2010-11-12 22:27:3332 D/A從變換器的500v隔離電路
可編程電源的D/A變換器和MC1408非倒相緩沖器之間的(motorola4N27光電隔離電路)
2007-08-20 15:38:27999 
Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET，采用TurboFET技術
日前，Vishay Intertechnology推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴展其第三代 TrenchFET 功率MOSFET 系列。這些器件首次采用 T
2008-12-08 11:55:09635 
500V觸發電路
2009-02-06 00:21:55690 
Vishay推出具有最高32V電源電壓的新款IGBT和MOSFET驅動器
日前，Vishay Intertechnology, Inc. 宣布，推出兩款新型IGBT和MOSFET驅動器，豐富了其已
2009-07-01 09:30:55556 Vishay Siliconix推出業界性能最先進的P溝道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強Pow
2009-11-23 17:10:23650 Vishay Siliconix推出業內最低導通電阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011089 Vishay推出4款MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V FET">MOSFET --- SiHP22N60S
2010-01-27 09:31:291277 500V和600V的高壓MOSFET
安森美半導體(ON Semiconductor)擴充公司市場領先的功率開關產品陣容，推出包括500伏特(V)和600 V器件的高壓功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFE
2010-02-23 16:15:341664 Vishay發布新款集成功率光敏
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款新的集成功率光敏，分別是輸出電流為0.9A的VO2223和輸出電流為1A的VO2223A，擴
2010-03-26 11:38:56722 Vishay推出500V N溝道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的
2010-04-07 10:52:52777 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅動下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:571559 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用PowerPAIR 6mmx3.7mm封裝和TrenchFET Gen III技術的非對稱雙通道TrenchFET功率MOSFET ---
2010-11-25 08:43:23923 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK SC-70封裝，
2011-03-02 10:19:301341 日前，Vishay Intertechnology, Inc.發布占位面積為1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是唯一能在1.2V下導通的此類器件。
2011-08-18 09:42:40850 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布， Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過JAN認證的，分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
2011-11-01 09:26:351491 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，引入兩款在尺寸和導通電阻上設立了新的行業基準的p溝道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，擴充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。
2012-02-20 08:34:13630 賓夕法尼亞、MALVERN — 2012 年 5 月3 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出其下一代D系列高壓功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n溝道器件具有低導通
2012-05-03 17:29:421433 Vishay 推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541383 Vishay發布采用小尺寸WCSP6封裝的新款斜率控制的P溝道高邊負載開關，器件可在1.5V～5.5V電壓范圍內工作，具有低至20m?的導通電阻、低靜態電流， 導通電壓上升斜率為3ms
2013-05-03 15:50:581089 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用PowerPAK? 1212-8封裝的-40V---SiS443DN和PowerPAK
2013-07-15 11:32:40783 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPAK 1212-8S封裝的新器件，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
2013-12-02 09:49:211075 x 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT?封裝尺寸的-20V器件---Si8851EDB，擴展其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay
2013-12-05 10:30:05898 Vishay發布HML新款微型軸向引線的厚膜電阻——1.85 mm x 0.91 mm的器件采用結實耐用的塑料外殼，可用于助聽器和工業高頻探頭。
2014-01-21 11:39:25721 日前，Vishay宣布，推出具有業內最低導通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 Vishay發布采用PowerPAIR? 3mm x 3mm封裝，使用TrenchFET? Gen IV技術的新款30V非對稱雙片TrenchFET 功率MOSFET
2014-02-10 15:16:51890 賓夕法尼亞、MALVERN — 2014 年 10 月9 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新的500V家族
2014-10-09 12:59:191468 
賓夕法尼亞、MALVERN — 2015 年 3 月4 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用超小尺寸、熱增強
2015-03-05 16:30:04855 賓夕法尼亞、MALVERN — 2015 年 4 月14 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，發布新型的采用插腳封裝和SMD封裝的高速940nm紅外發射器。
2015-04-17 15:32:121109 
的PCB空間。Vishay Draloric RCV e3器件采用0805和1206外形尺寸，限定芯電壓分別為400V和500V。
2015-05-07 16:15:121145 采用集成高壓MOSFET和Qspeed二極管的PFC控制器
2016-05-11 15:18:1411 卡扣式鋁電容器中的500V器件的使用壽命延長到5000小時。Vishay BCcomponents的電容器適用于太陽能逆變器、工業電機控制和電源，在+105℃下的使用壽命長達5000小時。
2017-04-14 16:42:521043 文檔中介紹了基于AVR高壓編程器的STK500-II應用與開發，操作步驟及圖解。
2017-08-31 11:23:0325 Vishay/Siliconix SiR186LDP N溝道60V （D-S） MOSFET采用TrenchFET? Gen IV功率MOSFET技術。
2021-04-21 17:50:211274 
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