淺談SRAM芯片is62wv51216

ISSI IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL是高速8M位靜態(tài)RAM，組織為512K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技術制造的。這種高度可靠的工藝加上創(chuàng)新的電路設計技術，可生產(chǎn)出高性能和低功耗的設備。

當CS1為HIGH（取消選擇）或CS2為LOW（取消選擇）或CS1為LOW，CS2為HIGH且LB和UB均為HIGH時，器件將處于待機模式，在該模式下，可通過CMOS輸入降低功耗水平。

使用芯片使能和輸出使能輸入可輕松擴展存儲器。激活的LOW Write Enable（WE）控制存儲器的寫入和讀取。數(shù)據(jù)字節(jié)允許訪問高字節(jié)（UB）和低字節(jié)（LB）。

IS62WV51216ALL和IS62WV51216BLL封裝在JEDEC標準的48引腳迷你BGA（7.2mmx8.7mm）和44引腳TSOP（TYPE II）中。英尚微電子親自授權為ISSI代理,為各行業(yè)領域提供各種SRAM芯片,保持長期供貨,完成客戶各方面的需求.
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芯片(407711) 芯片(407711)
sram(113780) sram(113780)
ISSI(22317) ISSI(22317)

STM32 FSMC操作SRAM的步驟簡析

本次操作的SRAM的型號是IS62WV51216，是高速，8M位靜態(tài)SRAM。它采用ISSI（Intergrated Silicon Solution, Inc）公司的高性能CMOS技術，按照512K個字（16）位進行組織存儲單元。

2023-07-22 14:58:56

1092

SRAM芯片EMI504HL08WM-55I的相關資料推薦

SRAM存儲器可兼容IS61WV25616EDBLL-8BLI的參考：英尚微推薦一款國產(chǎn)SRAM芯片EMI504HL08WM-55I，由EMI先進的全CMOS工藝技術制造。支持工業(yè)溫度范圍和芯片級封裝

2021-12-03 08:17:27

FSMC和LCD的控制究竟是什么關系？

看了好幾遍視頻，也沒太搞明白FSMC和LCD的控制究竟是什么關系,沒有FSMC的話芯片能不能控制LCD，為什么要用FSMC??？而且，在給的原理圖上，LCD的數(shù)據(jù)線既和IS62WV51216相連，又和芯片相連，這是為什么啊？如果沒有IS62WV51216的話芯片究竟能不能控制LCD？

2020-05-14 22:40:31

FSMC擴展SRAM,它的地址可以令其自動分配嗎

現(xiàn)在擴展的SRAM可以手動分配地址進行讀寫了,但手動覺得比較麻煩, 傳說修改改鏈接腳本文件可以實現(xiàn)地址自動分配,修改改鏈接腳本文件是指MDK中紅色圈中的設置嗎,如下:SRAM為51216,掛到NOR

2020-06-03 04:35:09

IS25WP016D-JULE-TR進口原裝正品假一賠十

深圳市軒成微電子專營ISSI進口原裝正品IC存儲器，歡迎聯(lián)系。QQ:2851185157SRAMIS61WV25616BLL-10TLIIS61WV51216EDBLL-10TLIIS62WV51216BLL-55TLIDRAMIS42S16400J-7TLIIS42S16160J-7TLIIS42S16320F-7TLIFLASHIS25LP016D-JNLE-TRIS25LP256D-JMLE-TRIS25WP080D-JULE-TR我司鄭重承諾：“只做全新進口原裝正品，假一罰萬?！?/div>

2018-11-13 15:37:42

IS61WV51216ALL

IS61WV51216ALL - 512K x 16 HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY - Integrated Silicon Solution, Inc

2022-11-04 17:22:44

IS61WV51216EEBLL-10TLI

2023-04-06 23:35:32

IS62WV51216ALL-70TI

IS62WV51216ALL-70TI - 512K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM - Integrated Silicon Solution, Inc

2022-11-04 17:22:44

IS62WV51216BLL-45B

IS62WV51216BLL-45B - 512K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM - Integrated Silicon Solution, Inc

2022-11-04 17:22:44

IS62WV51216BLL-55BLI

2023-03-28 15:02:07

IS62WV51216BLL-55TI

IS62WV51216BLL-55TI - 512K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM - Integrated Silicon Solution, Inc

2022-11-04 17:22:44

IS62WV51216BLL-70XI

IS62WV51216BLL-70XI - 512K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM - Integrated Silicon Solution, Inc

2022-11-04 17:22:44

LWIP移植ping不通該怎么辦？

大家好，原子的LWIP網(wǎng)絡例程的PHY芯片是LAN8720的，我手里有個F407系統(tǒng)板（板子帶有IS62WV51216外部SRAM）和DP83848PHY模塊，如果想讓原子的例程在這上跑的話，是不是

2019-10-10 01:46:47

LY62L51216

LY62L51216 - 512K X 16 BIT LOW POWER CMOS SRAM - Lyontek Inc.

2022-11-04 17:22:44

LY62L51216E

LY62L51216E - 512K X 16 BIT LOW POWER CMOS SRAM - Lyontek Inc.

2022-11-04 17:22:44

LY62L51216GL

LY62L51216GL - 512K X 16 BIT LOW POWER CMOS SRAM - Lyontek Inc.

2022-11-04 17:22:44

LY62L51216GV

LY62L51216GV - 512K X 16 BIT LOW POWER CMOS SRAM - Lyontek Inc.

2022-11-04 17:22:44

LY62L51216ML

LY62L51216ML - 512K X 16 BIT LOW POWER CMOS SRAM - Lyontek Inc.

2022-11-04 17:22:44

LY62L51216MV

LY62L51216MV - 512K X 16 BIT LOW POWER CMOS SRAM - Lyontek Inc.

2022-11-04 17:22:44

LY62L51216UL

LY62L51216UL - 512K X 16 BIT LOW POWER CMOS SRAM - Lyontek Inc.

2022-11-04 17:22:44

LY62L51216UV

LY62L51216UV - 512K X 16 BIT LOW POWER CMOS SRAM - Lyontek Inc.

2022-11-04 17:22:44

LY62W5128WV

LY62W5128WV - 512K X 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM - Lyontek Inc.

2022-11-04 17:22:44

LwIP移植分享！

基于硬件層：STM32F407IGT6 + DP83848 + S29GL128P + NAND（型號不記得了）+ IS62WV51216BLL + VS1003B + OV7670

2019-10-08 05:30:16

STM32 探索者f407開發(fā)板資源描述精選資料分享

：IS62WV51216，1M字節(jié)◆外擴SPI FLASH：W25Q128，16M字節(jié)◆1個電源指示燈（藍色）◆2個狀態(tài)指示燈（DS0：紅色，DS1：綠色）◆1個紅外接收頭，并配備一款小巧的紅外遙控器◆1個 EEPROM芯片，24C02，容量256字節(jié)◆1個六軸（陀螺儀

2021-08-20 06:11:08

STM32F103ZET6開發(fā)板ZET6芯片有何特性

開發(fā)板外置了1M字節(jié)外部SRAM芯片（IS62WV51216）1M字節(jié)（即512K*16位）其中512K是由19根地址線決定，219=512K; 16位是由16根數(shù)...

2022-02-21 07:14:28

STM32F103開發(fā)板的功能

在PB8)3,按鍵KEY0(PE4)/KEY1(PE3)/KEY2(PE2)/KEY_UP(PA0,也稱之為WK_UP)4,外部SRAM(IS62WV51216,通過FSMC驅動,FSMC_...

2021-08-11 07:38:36

STM32F4驅動外部SRAM芯片XM8A51216介紹

STM32F4驅動外部SRAM芯片XM8A51216

2021-01-08 07:29:25

STM32單片機擴展外部SRAM

與SRAM芯片連接。 SRAM型號IS62WV51216，管腳圖如下： IS62WV51216的管腳總的來說大致分為：電源線、地線、地址線、數(shù)據(jù)線、片選線、寫使能端、讀使能端和數(shù)據(jù)掩碼信號線

2020-05-07 15:58:41

STM32外擴SRAM芯片IS62wv51216兼容替換相關資料推薦

容量的單片機，除了價格貴還需要涉及其他被動器件的更改，STM32系列可以通過FMSC接口外擴并口SRAM，比如采用ISSI的IS62WV51216，IS62WV51216 SRAM芯片是一個8M容量

2022-02-11 06:39:36

STM32外擴的SRAM芯片IS62wv51216兼容替換

STM32外擴SRAM芯片IS62wv51216兼容替換

2021-01-04 07:55:05

STM32接外部SRAM詳解

不太夠用IS62WV51216 簡介IS62WV51216 是 ISSI（IntegratedSiliconSolution,Inc）公司生產(chǎn)的一顆 16 位寬 512K（512*16，即 1M 字節(jié)

2018-07-02 07:20:15

STM32操作外部擴展RAM數(shù)據(jù)耗時很長的原因

分析IS62WV51216BLL的讀寫時序圖和時間特性參數(shù)，得到較合理的時間參數(shù)，大大優(yōu)化了外部RAM的操作時間。下面先介紹下前面3個參數(shù)：1.Address setup time: 從設置引腳地址開始到能夠讀取數(shù)據(jù)的時間段2.Data setup time: 設置完地址后，能夠讀取數(shù)據(jù)總線的時間段3.Bus

2021-12-03 06:43:54

STM32的FSMC外擴SRAM（IS62wv51216Bll）

?我用STM32的FSMC外擴SRAM（IS62wv51216Bll），現(xiàn)在遇到了只能寫一次，能讀出來顯示，但是第二次就寫不進了。如果斷了電再寫就可以，但還是只能寫一次，代碼是照戰(zhàn)艦上寫的，，，，，，求大神指點一下，急用

2018-10-04 09:12:14

XM8A51216芯片的特點及功能框圖

XM8A51216芯片的特點XM8A51216功能框圖XM8A51216原理圖

2021-04-02 07:12:22

stm32f103zet6外擴SRAM如何選擇

品牌的一款低功耗并口SRAM產(chǎn)品型號為EM680FV8BU-55LF，速度為55ns,或者ISSI品牌 IS62WV51216BLL都是可以滿足外擴SRAM的需求，如果在單片機PIN腳不足的情況下有采用

2019-02-27 17:00:34

「ALIENTEK 探索者 STM32F407 開發(fā)板資料連載」第四十一章外部 SRAM 實驗

不太夠用，所以探索者 STM32F4 開發(fā)板板載了一顆 1M 字節(jié)容量的 SRAM 芯片：XM8A51216，滿足大內(nèi)存使用的需求。本章，我們將使用 STM32F4 來驅動 XM8A51216，實現(xiàn)

2020-06-13 10:19:36

為什么STM32F4開發(fā)板要搭載SRAM芯片

，所以STM32F4開發(fā)板板載了一顆1M字節(jié)容量的SRAM芯片，XM8A51216，滿足大內(nèi)存使用的需求。英尚微將使用STM32F4來驅動XM8A51216，實現(xiàn)對XM8A51216的訪問控制

2021-07-28 08:40:12

交叉引用LY62L51216ML-55SLI和IS62WV1288DBLL-45HLI

親愛的柏樹你好。請讓我知道下面的交叉參考部分。如果我們也能得到規(guī)格比較表，我會很高興。LY62L51216ML-55 SISLAMLYLYNTETECHIS62WV1288 DBLL—45

2018-09-04 14:39:28

什么是數(shù)碼功放？淺談數(shù)碼功放

2021-06-07 06:06:15

關于SRAM/FRAM接口設計的問題求助

JST 2014# DO NOT MODIFY# # SRAM "IS61WV51216" v1.0# me 2014.12.15.20:44:28# 16bit SRAM

2014-12-15 20:06:08

關于CPU的I/O接到其他芯片的配置腳的設計方式

請教大家一個問題：做電路原理圖設計時，CPU的I/O接到其他芯片的配置引腳時一般采用何種設計方式？有何設計規(guī)則？例：STM32F103VET的I/O接到一款SRAM（IS62WV51216

2016-05-05 11:26:57

關于雅特力AT32F403A XMC復用模式驅動SRAM芯片

型號：IS66WV51216EBLL，鎖存器型號：74LVC273，mcu型號：AT32F403AVC，雅特力名詞解釋：XMC ADDRST ，地址建立時間，最大值15，實測最少設置2，否則nADV鎖存信號拉不下來，地址無法鎖

2024-01-04 10:46:19

外部SRAM的相關資料下載

文章目錄IS62WV51216特點框圖FSMC驅動原理IS62WV5121616位寬512K容量的CMOS靜態(tài)SRAM芯片特點高速；低功耗；兼容TTL電平；全靜態(tài)操作；三態(tài)輸出；字節(jié)控制功能?？驁D

2021-12-10 08:14:35

如何使用STM32CubeMX配置STM32F407ZGT6 的硬件

本篇詳細的記錄了如何使用STM32CubeMX配置 STM32F407ZGT6 的硬件FSMC外設與 SRAM 通信（IS62WV51216）。1. 準備工作硬件準備開發(fā)板首先需要準備一個開發(fā)板

2021-08-10 07:56:27

如何尋找芯片IS61LV51216的替代品

貼片，44腳的IS61LV51216是一個8M容量,結構為512K*16位字長的高速率SRAM，它的替代品有？碼庫網(wǎng)上沒查到呀？怎么去找呢？

2016-05-17 17:34:24

小白問下，SRAM IS61LV25616和IS62WV51216接口是否相同

如題

2019-04-17 09:58:40

板子Solder層沒有綠油

1、做了板子，工廠將焊盤周圍的紫色Solder層的綠油都去了，不是說只要不在紫色Solder層上走線就沒有影響嗎，為什么把周圍的綠油都給去了？2、外部SRAM芯片IS62WV51216芯片資料的封裝有些問題，引腳并不能很準確的對準。

2019-05-10 01:23:06

靈動微課堂 (第189講) | 使用MM32F3270 FSMC驅動SRAM

的SRAM ：IS62WV51216，其原理框圖如下：圖1SRAM原理框圖表3SRAM引腳信號IS62WV51216的數(shù)據(jù)按 16 位的Half Word尋址，容量1M字節(jié)。IS62WV51216可以

2021-11-10 09:22:31

用IS62WV51216擴充SRAM，內(nèi)存初始化一段時間后mymalloc分配地址失敗是什么原因

想用IS62WV51216擴充SRAM，使用了正點原子的mymalloc內(nèi)存管理，但是內(nèi)存初始化后一段時間就mymalloc分配地址失敗，發(fā)現(xiàn)是內(nèi)存狀態(tài)表全部不為0，換了一塊IS62WV5121還是一樣，有大佬知道可能是什么原因不

2023-08-07 08:28:34

用IS62WV51216擴充SRAM，內(nèi)存初始化后一段時間就mymalloc分配地址失敗的原因？

2024-03-18 06:10:11

請問圖片一幅JPG的圖片為什么那么慢?

從W25Q64中讀出一幅圖片致IS62WV51216緩存中,然后再顯示出來,但是我發(fā)現(xiàn)顯示的速度很慢.到底是芯片讀寫的時鐘慢還是程序有問題呢,請指點.ALL.rar (18.33 MB )

2020-03-27 03:10:12

靜態(tài)隨機存儲器SRAM

IS62C256AL IS62C1024 IS62C512 IS61LV256AL IS61WV64416BLL IS63WV1288DALL/DBLL IS62WV20488ALL/BLL

2010-09-03 13:05:24

IS61LV51216英文資料

IS61LV51216數(shù)據(jù)手冊，下來看看。

2016-12-16 22:45:04

8mb低電壓超低功耗偽CMOS靜態(tài)存儲器IS66/67WV51216DBLL

TheISSI IS66WV51216DALL and IS66/67WV51216DBLL are high-speed， 8M bit static RAMs organized as 512K

2017-09-20 10:49:22

256K×16低電壓超低功耗CMOS靜態(tài)存儲器IS62WV25616BLL

The ISSI IS62WV25616ALL/IS62WV25616BLL are highspeed， low power， 4M bit SRAMs organized as 256K

2017-09-20 11:24:24

低電壓超低功耗CMOS靜態(tài)存儲器IS62WV12816BLL

The ISSI IS62WV12816ALL/ IS62WV12816BLL are highspeed， 2M bit static RAMs organized as 128K words

2017-09-20 11:30:38

128K×8低電壓超低功耗CMOS靜態(tài)存儲器IS62WV1288DALL/DBLL

TheISSIIS62/65WV1288DALLandIS62/65WV1288DBLL are high-speed， 1M bit static RAMs organized as 128K

2017-09-20 11:41:00

Netsol（韓國Samsung SRAM事業(yè)部前身?）可與 ISSI（芯成）,Lyontek（來揚）,Cypress（賽普拉斯）,BSI（連邦）完全替代兼容

Netsol的前身為韓國Samsung SRAM事業(yè)部，分立出來后一直致力于SRAM芯片的研發(fā)與創(chuàng)新，在SRAM領域擁有比較完整的產(chǎn)品線：Quadruple / DDR SRAM

2018-07-05 16:54:16

692

IS62WV51216ALL和IS62WV51216BLL超低功耗CMOS靜態(tài)RAM詳細資料概述

ISSI IS62WV51216ALU/IS62WV51216BLL是高速、8M位靜態(tài)RAM，由512K字組成，由16位組成。它是利用ISSI的高性能CMOS技術制作的。這種高度可靠的過程與創(chuàng)新的電路設計技術相結合，產(chǎn)生高性能和低功耗的設備。

2018-07-24 08:00:00

微雪電子IS62WV51216BLL SRAM存儲模塊簡介

IS62WV51216BLL SRAM存儲模塊 8M Bit SRAM外擴存儲提供測試程序（STM32）型號 IS62WV51216BLL SRAM Board

2019-12-30 09:34:48

4109

微雪電子IS62WV12816BLL SRAM存儲模塊簡介

IS62WV12816BLL SRAM存儲模塊 2M Bit SRAM外擴存儲提供測試程序（STM32）型號 IS62WV12816BLL SRAM Board

2019-12-30 09:43:43

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IS61WV51216ALL系列高速8M位靜態(tài)RAM的數(shù)據(jù)手冊免費下載

ISIS為61WV51216ALL/BLL和IS64WV51216BLL是高速8M位靜態(tài)RAM，16位組成512K字。它是用ISSI的高性能CMOS工藝制造的。這種高度可靠的工藝與創(chuàng)新的電路設計技術

2019-12-02 08:00:00

SRAM芯片is62wv51216簡介

ISSI IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL是高速8M位靜態(tài)RAM，組織為512K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技術制造的。這種高度可靠的工藝加上創(chuàng)新的電路設計

2020-03-25 15:44:11

15974

帶ECC的CMOS汽車異步SRAM

ISSI IS61/64WV5128EDBLL描述 ISSI IS61/64WV5128EDBLL是高速異步SRAM，4,194,304位靜態(tài)RAM，組織為524,288字乘8位，采用ISSI

2020-04-03 16:40:04

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國產(chǎn)SRAM芯片XM8A51216隨機X型存儲器

兼容，并且滿足各種應用系統(tǒng)對高性能和低成本的要求，XM8A51216也可以當做異步SRAM使用，稱為新型國產(chǎn)SRAM芯片也不為過, XM8A51216是基于TLC DRAM（三態(tài) DRAM

2020-04-30 15:00:28

5834

ISSI代理超低功耗SRAM IS62WV102416DBLL

美國ISSI主要產(chǎn)品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。主要為汽車，通信，數(shù)字消費者以及工業(yè)和醫(yī)療等市場提供存儲器產(chǎn)品。IS62WV102416DBLL是超低功耗CMOS 16Mbit靜態(tài)RAM

2020-05-28 15:30:26

929

ISSI IS62WV20488EALL低電壓2Mx8并口SRAM

ISSI IS62WV20488EALL/BL和IS65WV20488EALL/BLL是高速16M位SRAM，組織為2M字乘8位。它主要是使用ISSI的高性能CMOS技術制造的。這種高度可靠的工藝

2020-06-01 15:06:08

862

STM32F4開發(fā)板STM32F4如何驅動外部SRAM芯片

國產(chǎn)存儲芯片的底層技術攻關和相關科研工作，從而推動國家存儲芯片設計前端產(chǎn)業(yè)變革和更進一步的發(fā)展。接下來星憶代理商英尚微電子介紹STM32F4開發(fā)板STM32F4如何驅動外部SRAM芯片。XM8A51216。 STM32F407ZGT6自帶了192K字節(jié)的SRAM，對一般應用來

2020-07-01 15:07:09

2697

低功耗SRAM芯片IS62WV102416DALL的特點和功能

ISSI IS62WV102416DALL，IS62WV102416DBLL是超低功耗CMOS16Mbit靜態(tài)RAM，組織為1M字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技術制造的。這種高度可靠

2020-07-22 15:27:12

2643

STM32系列可以通過FMSC接口來實現(xiàn)外擴并口SRAM

容量的單片機，除了價格貴還需要涉及其他被動器件的更改，STM32系列可以通過FMSC接口外擴并口SRAM，比如采用ISSI的IS62WV51216。 IS62WV51216 SRAM芯片是一個8M容量

2020-08-03 15:37:49

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XM8A51216V33A在功能上等效于異步SRAM

XRAM是一種新的內(nèi)存架構，旨在以具有競爭力的價格提供高密度和高性能RAM.XRAM使用先進的DRAM技術和自刷新架構來顯著提高內(nèi)存密度，性能并簡化用戶界面。 XM8A51216V33A在功能上

2020-09-09 11:44:11

1758

SRAM在主機斷電后適合用在需高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)脑O備當中？

容量的單片機，除了價格貴還需要涉及其他被動器件的更改，STM32系列可以通過FMSC接口外擴并口SRAM，比如采用ISSI的IS62WV51216，

2020-10-07 10:57:00

1096

STM32系列可通過FMSC接口外擴并口SRAM

2020-09-19 10:45:47

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512Kx16低壓超低功耗sram的主要特征有哪些

IS62WV51216EBLL是高速8M位sram，組織為512K字乘16位。它采用的高性能CMOS技術制造。這種高度可靠的工藝加上創(chuàng)新的電路設計技術，可生產(chǎn)出高性能和低功耗的設備。當CS1

2021-01-20 17:10:50

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IS62WV51216ALL和IS62WV51216BLL超低功耗CMOS靜態(tài)RAM的數(shù)據(jù)手冊

LM158系列由兩個獨立的高增益內(nèi)部頻率補償運算放大器組成，專門設計用于在寬電壓范圍內(nèi)從單一電源工作。也可以使用分體式電源進行操作，并且低電源電流消耗與電源電壓的大小無關。

2021-02-25 15:44:00

國產(chǎn)SRAM芯片EMI502NL16LM可替代IS61WV12816FALL

SRAM是隨機存取存儲器的一種。靜態(tài)是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。因此SRAM具有較高的性能，SRAM也有許多種，如Async SRAM （A異步SRAM）、Sync SRAM （同步SRAM）等。

2021-04-26 16:21:00

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低功耗SRAM存儲器IS62WV1288DALL的特征

ISSI公司主要產(chǎn)品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM存儲芯片。還設計和銷售NOR閃存產(chǎn)品以及高性能模擬和混合信號集成電路。主要是應用在汽車、通信、數(shù)字消費以及工業(yè)和醫(yī)療市場的設計、開發(fā)和銷售高性能集成電路的技術領導者。

2021-08-24 17:25:57

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cubeMX設置STM32擴展外部RAM (IS62WV51216BLL) 時序說明

2021-11-23 17:36:41

STM32 利用CubeIDE (cubemx)配置FSMC 驅動SRAM-----IS62WV51216

基于STM32F103ZET6（正點原子戰(zhàn)艦）SRAM芯片接線圖cube配置圖簡單讀寫測試代碼/* USER CODE BEGIN Includes */#define

2021-11-23 17:51:22

STM32基于FSMC的SRAM擴展

于一些需要采集處理較多數(shù)據(jù).應用算法或使用GUI等場合,內(nèi)置的SRAM就顯得捉襟見肘了,這時就需要擴展SRAM了。IS61LV51216是ISSI公司生產(chǎn)的常用16位SRAM異步存儲芯片,內(nèi)部512k存儲容量足以滿足多數(shù)場合應用需求,存取時間8~12ns ,全靜態(tài)操作,不需時鐘或刷新,兼容TTL標準接口

2021-11-26 19:51:06

STM32外擴SRAM芯片IS62wv51216兼容替換

2021-12-08 10:51:04

ISSI低功耗SRAM芯片IS62WV12816DBLL

的不斷提升，存儲器占據(jù)芯片的功耗比例越來越大，高速低功耗的SRAM設計變得越來越重要。 ISSI IS62WV12816DBLL-55TI是高速2M位靜態(tài)RAM，位寬為16x128K字。它采用ISSI的高性能CMOS技術制造。這種高度可靠的工藝與創(chuàng)新的電路設計技術相結合，可產(chǎn)生高性

2021-12-21 16:34:39

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