8050晶體管是一種小型設備，用于引導便攜式無線電中的電流。數字“8050”基本上表示尺寸和特定輸出額定值。工程師和電子專家通常會給晶體管起數字名稱，以便更容易識別和區分它們。具有8050
2023-02-16 18:22:30
應用。產品型號：2SC3422產品名稱：功率晶體管2SC3422產品特性適用于5瓦汽車收音機和汽車音響的輸出級良好的h FE線性度 2SC3422產品描述：2SC3422東芝是設計和制造高質量閃存存儲解決方案
2018-07-24 18:05:11
PLC晶體管輸出和繼電器輸出區別
2012-08-20 08:26:07
PLC輸出電路(繼電器,晶體管,晶閘管輸出)區別和注意事項
2012-08-20 08:28:44
PLC繼電器和晶體管輸出
2012-08-20 08:24:48
電子設備和測試儀器。該設備可以支持脈沖和線性操作。產品型號:T2G6003028-FS產品名稱：射頻功率晶體管T2G6003028-FS產品特性頻率：直流至6千兆赫輸出功率（p3db）：30 W在6 GHz
2018-11-16 09:49:48
s1307是什么類型的晶體管？
2022-09-25 09:21:11
，PHP型管置換PNP型管。特性相近用于置換的晶體管應與原晶體管的特性相近，它們的主要參數值及特性曲線應相差不多。晶體管的主要參數近20個，要求所有這些參數都相近，不但困難，而且沒有必要。一般來說，只要下述
2015-07-07 16:56:34
`TLP181(GB-TPL,F,T)詳細參數[/td][/td][td]制造商Toshiba產品種類晶體管輸出光電耦合器配置1 Channel最大正向二極管電壓1.3 V最大輸入二極管電流50
2012-08-16 16:34:23
是，最大輸出電流時產生0.2 V壓降。功率場效應管可以無需任何外接元件而直接并聯，因為其漏極電流具有負溫度系數。
1、晶體管的Vbe擴散現象是什么原理，在此基礎上為什么要加電阻？
2、場效應管無需任何外接
2024-01-26 23:07:21
）晶體管以圖7-1-3示出的等效模擬型代替；（2）所有直流電源、隔直電容，旁路電容都看作短路；（3）其它元件按原來相對位置畫出，利用等效電路可以求取放大器的放大倍數、輸入電阻、輸出電阻以及分析放大器的頻率特性。(520101)
2021-06-02 06:14:09
: ID例：開關雙極晶體管2SD2673時的波形(100μs/div)由于隨后要計算開關時的功率損耗，所以要確認OFF→ON時和ON→OFF時的擴大波形。2. 是否一直滿足絕對最大額定值？確認絕對最大
2019-04-15 06:20:06
晶體管分類 按半導體材料和極性分類 按晶體管使用的半導體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管。 按結構
2010-08-12 13:59:33
本帖最后由 gongddz 于 2017-3-29 09:06 編輯
晶體管作為電流單方向通過的電子開關使用晶體管也可以作為電子開關使用。但這個開關的電流方向只能是單向的，pnp型管和npn型
2017-03-28 15:54:24
計算機開關機的，那么就會把計算機關閉。這就是機器語言的原理。實際用于計算機和移動設備上的晶體管大多是MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應晶體管），它也分為N型和P型，NMOS就是指N型MOSFET
2021-01-13 16:23:43
1．反向擊穿電流的檢測 普通晶體管的反向擊穿電流（也稱反向漏電流或穿透電流），可通過測量晶體管發射極E與集電極C之間的電阻值來估測。測量時，將萬用表置于R×1k檔， NPN型管的集電極C接黑表筆
2012-04-26 17:06:32
晶體管技術方案面臨了哪些瓶頸？
2021-05-26 06:57:13
晶體管的主要參數有哪些？晶體管的開關電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結構分類根據工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經構成
2019-04-10 06:20:24
。 Si晶體管的分類 Si晶體管的分類根據不同分類角度，有幾種不同的分類方法。在這里，從結構和工藝方面粗略地分類如下。其中，本篇的主題“功率類”加粗/涂色表示。 雙極晶體管和MOSFET中，分功率型
2020-06-09 07:34:33
不同分類角度，有幾種不同的分類方法。在這里，從結構和工藝方面粗略地分類如下。其中，本篇的主題“功率類”加粗/涂色表示。雙極晶體管和MOSFET中，分功率型和小信號型，IGBT原本是為處理大功率而開發
2018-11-28 14:29:28
現代社會帶來了巨大的影響。2. 從鍺到硅最初，晶體管是由鍺（半導體）做成的。但是，鍺具有在80°C左右時發生損壞的缺點，因此現在幾乎都使用硅。硅是可以耐180°C左右熱度的物質。3. 晶體管的作用
2019-05-05 00:52:40
晶體管的發射極箭頭朝內，NPN型晶體管的發射極箭頭朝外。2．三極管各個電極的作用及電流分配晶體管三個電極的電極的作用如下：發射極（E極）用來發射電子；基極（B極）用來控制E極發射電子的數量；集電極（C極
2013-08-17 14:24:32
功率、集電極最大電流、最大反向電壓、電流放大系數等參數及外地人形尺寸等是否符合應用電路的要求。 2．末級視放輸出管的選用彩色電視機中使用的末級視放輸出管，應選用特征頻率高于80MHZ的高頻晶體管
2012-01-28 11:27:38
是用于小信號放大，只要晶體管的靜態工作點設置正確，晶體管一般不會進入飽和區。但如果晶體管放大電路處理的是信號幅值較大的信號，例音頻功放的輸出級，則晶體管極有可能進入飽和區。此時，就會在輸出波形上出現“削頂
2012-02-13 01:14:04
，晶體管的輸入特性類似于二極管的正向伏安特性。 (2)共射極輸出特性 （以 NPN 管為例） 共射極輸出特性表達式為：。晶體管輸出特性曲線的三個區域對應于 晶體管的三個工作狀態（飽和、放大和截止）。 a
2021-05-13 06:43:22
關于晶體管ON時的逆向電流在NPN晶體管中，基極 (B) 被偏置為正，集電極 (C) 被偏置為負，由發射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔心劣化和損壞，在使用上是沒有問題的2. NPN-Tr
2019-05-09 23:12:18
專業圖書47-《新概念模擬電路》t-I晶體管
2023-09-28 08:04:05
;nbsp; 晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為
2010-08-12 13:57:39
和高頻場效應晶體管(FET)。WBG 材料以其優異的電學特性，如 GaN 和碳化硅(SiC) ，克服了硅基高頻電子器件的局限性。更重要的是，WBG 半導體可用于可擴展的汽車電氣系統和電動汽車(電動汽車
2022-06-15 11:43:25
電子，雷達和微波應用生產全系列AM晶體管。 這些AM晶體管最初由Microwave Semiconductor Corp.和S.T.制造。 ASI的AM晶體管覆蓋60 MHz至3.0 GHz的范圍，功率
2018-07-17 15:08:03
脈沖功率。 在沒有外部調諧的情況下，所有設備都在寬帶RF測試夾具中100％屏蔽了大信號RF參數。硅雙極匹配50歐姆210W輸出功率經過100％大功率射頻測試C級操作IB0607S10功率晶體管
2021-04-01 10:07:29
`產品型號：IB3042-5產品名稱：晶體管Integra于1997年由一些企業工程師發起，他們相信他們可以為新一代雷達系統設計人員提供創新的高性能RF功率晶體管解決方案。我們推向市場的款產品是采用
2019-04-15 15:12:37
：IB3042-5產品名稱：晶體管Integra于1997年由一些企業工程師發起，他們相信他們可以為新一代雷達系統設計人員提供創新的高性能RF功率晶體管解決方案。我們推向市場的款產品是采用我們獲得的新半導體
2019-05-14 11:00:13
）的三層結構的Field-Effect Transistor（場效應晶體管）。BIPOLAR是指使用了雙極性元件，將稱為p型和n型的兩種半導體構成n-p-n及p-n-p結構的電流工作型晶體管。
2019-05-06 05:00:17
）的三層結構的Field-Effect Transistor（場效應晶體管）。BIPOLAR是指使用了雙極性元件，將稱為p型和n型的兩種半導體構成n-p-n及p-n-p結構的電流工作型晶體管。
2019-03-27 06:20:04
和雙極技術。產品型號：IGN2856S40產品名稱：晶體管IGN2856S40產品特性SiC HEMT技術中的GaN500瓦輸出功率AB類操作預匹配內阻抗100%高功率射頻測試負柵電壓/偏置序列
2018-11-12 11:14:03
`IGN2856S40是高功率脈沖晶體管，指定用于AB類操作下。 該晶體管提供2.856 GHz的工作頻率，最小40W的峰值脈沖功率，50V和3％的占空比。 該單元采用金線技術通過芯片和線材技術組裝
2021-04-01 09:57:55
MOS管，還有其他的電子元件。實際上場效應晶體管可以分為結型管（（Junction Field-Effect Transistor，J F E T））和MOS管（metal-oxide
2019-04-15 12:04:44
NJVMJD45H11T4G該雙極功率晶體管適用于通用電源和切換輸出，或開關穩壓器、轉換器和功率放大器應用中的驅動器級。該產品在音頻放大器輸出級理想方案。特性：互補對簡化了設計低集電極-發射極飽和
2021-11-29 14:26:08
晶體管PNP 型晶體管Vb<Ve （C）Vc>Vb>Ve （A）Vb>Ve Vb>Vc （S
2023-02-15 18:13:01
的比例關系。2）偏置電路 當晶體管用于實際的放大電路時，還需要添加合適的偏置電路。這有幾個原因。首先，由于晶體管的BE結（相當于二極管）的非線性，輸入電壓達到一定水平后必須產生基極電流（對于硅管，通常
2023-02-08 15:19:23
化鎵或砷化鋁鎵技術的這類二極管。產品型號：NPT2020產品名稱：射頻晶體管NPT2020產品特性GaN上硅HEMT耗盡型晶體管適合線性和飽和應用從直流3.5 GHz調諧48 V操作3.5 GHz
2018-09-26 09:04:23
，在MACOM，我們提供范圍廣泛的雙極技術RF功率晶體管產品，作為從DC到3.5 GHz的分立器件，模塊和托盤。 我們的高功率雙極型晶體管非常適用于民用航空電子設備，通信，網絡，雷達以及工業，科學
2018-05-21 15:49:50
型摻雜半導體材料隔開。PNP晶體管中的大多數電流載流子是空穴s，而電子是少數電流載流子。施加到PNP晶體管的所有電源電壓的極性都是反轉的。電流在PNP中吸收到基極，由于PNP是電流控制器件，適度的基極
2023-02-03 09:44:48
PNP雙極型晶體管的設計
2012-08-20 08:29:56
晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制和許多其它功能
2010-08-13 11:36:51
了功率晶體管的性能。如 (1)開關晶體管有效芯片面積的增加， (2)技術上的簡化， (3)晶體管的復合——達林頓， (4)用于大功率開關的基極驅動技術的進步。 、直接工作在整流380V市電上
2010-08-13 11:38:59
主要參數 晶體管的主要參數有電流放大系數、耗散功率、頻率特性、集電極最大電流、最大反向電壓、反向電流等。電流放大系數 電流放大系數也稱電流放大倍數，用來表示晶體管放大能力。 耗散功率也稱集電極
2010-08-13 11:35:21
單元，16輸入/16輸出(晶體管)FX2N-48ER 擴展單元，24輸入/24輸出（繼電器）FX2N-48ET擴展單元，24輸入/24輸出(晶體管)FX2N-48ER-UA1/UL 擴展單元，24輸入
2020-05-05 14:09:09
，從而影響輸出。雙柵極 MOSFET 可用于許多應用，包括射頻混頻器/乘法器、射頻放大器、具有增益控制的放大器等。
雪崩晶體管
雪崩晶體管是一種雙極結型晶體管，設計用于在集電極電流/集電極發射極電壓特性
2023-08-02 12:26:53
串聯型晶體管穩壓電源: 一、電路的結構組成：電源部分、整流部分、濾波部分、穩壓部分，四部分組成。電源部分：由一個降壓變壓器T組成。整流部分：由四個二極管 V1 V2 V3 V4組成。濾波部分：由一個
2010-06-08 08:10:12
互補晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
晶體管是通常用于放大器或電控開關的半導體器件。晶體管是調節計算機、移動電話和所有其他現代電子電路運行的基本構件。由于其高響應和高精度，晶體管可用于各種數字和模擬功能，包括放大器、開關、穩壓器、信號
2023-02-03 09:36:05
PNP 和 NPN 是兩種類型的雙極結型晶體管 （BJT）。BJT由可以放大電流的摻雜材料制成。它具有PNP和NPN配置選項。PNP 和 NPN晶體管可用于放大或開關。本文將解釋NPN和PNP之間
2023-02-03 09:50:59
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
。達林頓通常用于需要低頻高增益的地方。常見應用包括音頻放大器輸出級、功率調節器、電機控制器和顯示驅動器。 達林頓晶體管也被稱為達林頓對，由貝爾實驗室的西德尼達林頓于 1953 年發明。在 1950
2023-02-16 18:19:11
用作Q2的基極電壓，以在晶體管Q2中產生更穩定的電流。波形發生器配置為1 kHz三角波，峰峰值幅度為3 V，偏置為1.5 V。示波器通道2的輸入(2+)用于測量Q2集電極上的穩定輸出電流。置示波器以
2021-11-01 09:53:18
PNP晶體管在哪里使用？放大電路采用PNP晶體管。達林頓對電路采用PNP晶體管。機器人應用利用了PNP晶體管。PNP 晶體管用于控制大功率應用中的電流。如何控制PNP晶體管？首先，為了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
單極型晶體管也稱場效應管，簡稱FET（FieldEffectTransistor）。它是一種電壓控制型器件，由輸入電壓產生的電場效應來控制輸出電流的大小。它工作時只有一種載流子（多數載流子）參與
2020-06-24 16:00:16
單結晶體管有一個PN結和三個電極，一個發射極和兩個基極，所以又稱雙基極二極管。其結構、等效電路及電路符號如下圖所示。a、單結晶體管的結構；b、等效電路；c、電路符號它是在一塊高電阻率(低摻雜)的N型
2018-01-09 11:39:27
，是另一種固態三端設備，可用于柵極脈沖、定時電路和觸發發生器，用于交流功率控制型應用中開關和控制晶閘管和 triac。像二極管一樣，單結晶體管是由單獨的 p 型和 n 型半導體材料構成的，在器件的主導 n
2022-04-26 14:43:33
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽極的兩個二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態下，基極-發射極結（稱這個PN結為“發射結”）處于正向偏置狀態，而基極-集電極（稱這個PN結為“集電結”）則處于反向偏置狀態。
2019-09-26 09:00:23
S－l、S－4的封裝外形基本相同;TO一220封裝外形與國產管S一7B封裝外形基本相同;T0一202封裝外形與國產管S一6封裝外形基本相同。 采用TO系列封裝的常用晶體管有:T0一3為:2
2008-06-17 14:42:50
放大，似于多路比較器的輸出，NPN型晶體管多發射極分別接到比較器的輸出端，集電極共用一路上拉電阻連接至電源，如果多路比較器有一路導通，則該多發射極晶體管集電極輸出導通拉低，電平為低電平。
不知是否是我理解的這樣？
2024-01-21 13:47:56
。場效應管的工作方式有兩種：當柵壓為零時有較大漏極電流的稱為耗盡型；當柵壓為零，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強型。場效應晶體管作用是什么1、場效應管可應用于放大。由于場效應管
2019-05-08 09:26:37
制作材料分，晶體管可分為鍺管和硅管兩種。 按極性分，三極管有PNP和NPN兩種，而二極管有P型和N型之分。多數國產管用xxx表示，其中每一位都有特定含義：如 3 A X 31，第一位3代表三極管，2
2012-07-11 11:36:52
，這反過來又使耗盡層盡可能小，從而通過我們的晶體管的最大電流流動。這使得晶體管開關導通。 圖2顯示了飽和區域特性。 圖2.飽和區域特征 輸入基極電流和輸出集電極電流為零，集電極電壓處于最大值
2023-02-20 16:35:09
。場效應晶體管是防護電壓的一種，可以被制造為增強型或者耗盡型，P溝道或N溝道共四種類型，但實際應用的只有增強型的N溝道場效應晶體管和增強型的P溝道場效應晶體管。實際應用中，N場效應晶體管居多。N溝道
2019-03-29 12:02:16
本應用指南介紹了一種采用后向設計的基本驅動電路，它從輸出晶體管器件開始再返回到水平振蕩器，便于加速晶體管的水平輸出級。
2014-09-22 17:14:04
IGBT是由哪些部分組成的？絕緣柵雙極型晶體管IGBT有哪些特點？如何去使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
來至網友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
輸出電壓 : VO (GND‐OUT間電壓)輸出電流 : IOMOSFET漏極源極間電壓 : VDS漏極電流 : ID例：開關雙極晶體管2SD2673時的波形(100μs/div)由于隨后要計算開關
2019-05-05 09:27:01
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們在型號上的大致區別是什么？例如《晶體管電路設計》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）。現在產品設計中最常用的型號是哪些？
2017-10-11 23:53:40
結型晶體管（BJT）和場效應晶體管（FET）。前者是本次討論的重點。 雙極結型晶體管的類型 BJT安排有兩種基本類型：NPN和PNP。這些名稱是指構成組件的P型（正極）和N型（負極）半導體材料
2023-02-17 18:07:22
型dvp32hn00r（32點繼電器輸出）；dvp32hn00t（32點晶體管輸出）dvp48hp00r（24點入/24點繼電器輸出）；dvp48hp00t（24點入/24點晶體管輸出）模擬量
2020-10-22 19:33:21
% R2的最小值-20% VBE的最大值0.75V這一組最差數值代入式子②計算。根據下面的式子選擇數字晶體管的電阻R1、R2，使數字晶體管的IC比使用設備上的最大輸出電流Iomax大。∴ Iomax
2019-04-22 05:39:52
的基礎上計算將R1的最大值+30% R2的最小值-20% VBE的最大值0.75V這一組最差數值代入式子②計算。根據下面的式子選擇數字晶體管的電阻R1、R2，使數字晶體管的IC比使用設備上的最大輸出電流
2019-04-09 21:49:36
）ac型dvp32hn00r（32點繼電器輸出）；dvp32hn00t（32點晶體管輸出）dvp48hp00r（24點入/24點繼電器輸出）；dvp48hp00t（24點入/24點晶體管輸出）模擬量
2020-10-22 19:25:17
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結構分類根據工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經構成
2019-05-05 01:31:57
的選擇和比較進行了分析。考慮了晶體管參數，如與時間相關的輸出有效電容（Co（tr））和關斷能量（Eoff）等，這會影響LLC轉換器的高性能成就。還分析了基于GaN、Si和SiC MOS的3KW 48
2023-02-27 09:37:29
求51單片機 STC89c526個晶體管問題按下鍵1 晶體管1閃爍 鍵2+，鍵3-，鍵4修改鬧鐘時間，再按鍵1 晶體管2閃爍 鍵2+，鍵3-，鍵4修改鬧鐘時間，以此類推。求大神幫助
2017-03-12 19:59:39
求大佬分享一款適用于激光及MRI的寬帶LDMOS晶體管
2021-06-08 06:29:42
轉化為鋸齒波，由VT4 組成的射極輸出器經阻抗變換后輸出:一方面通過R6 加至晶體管的集電極，作為晶體管的集電極電壓;一方面加至示波器的Y 輸入端，作為示波器的Y 軸輸入信號。C3 、VD1 與晶體管
2008-07-25 13:34:04
，在這種情況下采用基于氮化鎵（GaN）晶體管的解決方案意義重大。與傳統硅器件相類似，GaN晶體管單位裸片面積同樣受實際生產工藝限制，單個器件的電流處理能力存在上限。為了增大輸出功率，并聯配置晶體管已成為
2021-01-19 16:48:15
程控單結晶體管(PUT)具有敏發炅敏度高、速度快、功耗低和動態電阻小等優點，因此廣泛應用于各種脈沖電路和晶閘管控制系統。PUT張弛振蕩電路上圖是PUT的基本張弛振蕩電路。它和普通單結晶體管張弛
2018-01-23 11:47:39
絕緣柵雙極型晶體管檢測方法
2009-12-10 17:18:39
組合的結果是，“ IGBT 晶體管”具有雙極性晶體管晶體管的輸出開關和導通特性，但像 MOSFET 一樣是電壓控制的。Igbt 主要應用于電力電子應用領域，如逆變器、變換器和電源等，但功率雙極器件和功率
2022-04-29 10:55:25
繼電器和晶體管輸出具有哪些特點？使用注意事項有哪些？繼電器與晶體管輸出有哪些差別？
2021-10-12 06:28:48
西門子S7-200電源怎么看是繼電器輸出還是晶體管輸出呢？
2023-04-18 10:08:03
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-1 09:25 編輯
請問各大大有無 Multisim 14 基本晶體管模型數據庫以外,更多更多晶體管模型數據庫 ,(例如日本型號 2SAxxx 2SCxxx 晶體管模型數據庫) 下載.如能幫忙非常感謝
2018-05-31 18:21:56
保護的二極管必須選用快速恢復型二極管，以保證二極管能夠迅速反應得以保護晶體管。對于二極管的耐壓要求，一般其截止電壓為開關晶體管C-E間電壓的2倍。 2、RC阻尼電路 圖二 圖二中，在晶體管關斷
2020-11-26 17:26:39
溫度決定的倍增因子，后面將對其溫度特性進行討論。 對于NMOS晶體管M1和M2,其柵源電壓分別為Vgs1和Vgs2,那么圖3中電壓為： 如果利用前面提到的兩個工作在弱反型區的MOS管輸出電壓特性
2018-11-30 16:38:24
PLC晶體管輸出和繼電器輸出的區別
2012-06-14 14:04:42
9149 本文主要介紹了plc晶體管輸出電路圖_PLC晶體管輸出接線圖。基本單元的晶體管輸出中，包括漏型輸出和源型輸出的產品，這兩者在回路上的差異如下：·漏型輸出［-公共端］，負載電流流到輸出（Y）端子，這樣
2018-03-20 09:44:3980155 
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