IGBT器件的發(fā)射極和柵極之間是絕緣的二氧化硅結(jié)構(gòu)，直流電不能通過(guò)，因而低頻的靜態(tài)驅(qū)動(dòng)功率接近于零。但是柵極和發(fā)射極之間構(gòu)成了一個(gè)柵極電容CGs，因而在高頻率的交替導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)需要一定的動(dòng)態(tài)驅(qū)動(dòng)功率。小功率IGBT的CGs一般在10~l00pF之內(nèi)，對(duì)于大功率的絕緣柵功率器件，由于柵極電容CGs較大，在1~l00pF，甚至更大，因而需要較大的動(dòng)態(tài)驅(qū)動(dòng)功率。

　　IGBT柵極電壓可由不同的驅(qū)動(dòng)電路產(chǎn)生，柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)的優(yōu)劣直接關(guān)系到由IGBT構(gòu)成的系統(tǒng)長(zhǎng)期運(yùn)行可靠性。正向柵極電壓的值應(yīng)該足夠令I(lǐng)GBT產(chǎn)生完全飽和，并使通態(tài)損耗減至最小，同時(shí)也應(yīng)限制短路電流和它所帶來(lái)的功率應(yīng)力。

　　IGBT的驅(qū)動(dòng)電路在它的應(yīng)用中有著特別重要的作用，IGBT應(yīng)用的關(guān)鍵問(wèn)題之一是驅(qū)動(dòng)電路的合理設(shè)計(jì)。由于IGBT的開(kāi)關(guān)特性和安全工作區(qū)隨柵-射極驅(qū)動(dòng)電路的變化而變化，因而驅(qū)動(dòng)電路性能不好，常常會(huì)造成IGBT的損壞。lGBT通常采用柵-射極電壓驅(qū)動(dòng)，與基他全控型器件一樣，IGBT對(duì)驅(qū)動(dòng)電路有許多特殊要求。

　　IGBT對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路的要求主要是保證電路的穩(wěn)定性和可靠性。IGBT驅(qū)動(dòng)電路需要具備良好的絕緣性能、耐壓性能和耐溫性能，以及足夠的電流和電壓控制能力，以保證IGBT的正常工作。此外，IGBT驅(qū)動(dòng)電路還需要具備足夠的電流和電壓控制能力，以保證IGBT的正常工作。

　　IGBT 的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性與柵極驅(qū)動(dòng)條件密切相關(guān)。柵極的正偏壓+VGE、負(fù)偏壓-VGE 和柵極電阻RG 的大小，對(duì)IGBT 的通態(tài)電壓、開(kāi)關(guān)時(shí)間、開(kāi)關(guān)損耗，承受短路能力以及dvce/dt 等參數(shù)都有不同程度的影響。

　　柵極驅(qū)動(dòng)電路提供給IGBT 的正偏壓+VGE使IGBT 導(dǎo)通。在實(shí)際應(yīng)用中，綜合該電壓對(duì)開(kāi)通時(shí)間、開(kāi)通損耗以及器件在短路時(shí)承受短路電流時(shí)間等方面的因素，通常使用+15V。柵極驅(qū)動(dòng)電路提供給IGBT 的負(fù)偏壓-VGE使其關(guān)斷。它直接影響IGBT 的可靠運(yùn)行，為了防止IGBT 產(chǎn)生動(dòng)態(tài)擎住現(xiàn)象，柵極負(fù)偏壓應(yīng)為-5V 或更低一些的電壓，負(fù)偏壓的大小對(duì)關(guān)斷時(shí)間損耗的影響不大。

　　此外，柵極驅(qū)動(dòng)電壓必須有足夠快的上升和下降速度，使IGBT 盡快開(kāi)通和關(guān)斷，以減少開(kāi)通和關(guān)斷損耗。在器件導(dǎo)通后，驅(qū)動(dòng)電壓和電流應(yīng)保持足夠的幅度，保證IGBT 處于飽和狀態(tài)。由于IGBT 多用于高電壓、大電流場(chǎng)合，信號(hào)控制電路與驅(qū)動(dòng)電路之間應(yīng)采用抗干擾能力強(qiáng)、信號(hào)傳輸時(shí)間短的高速光電隔離器件加以隔離。為了提高抗干擾能力，應(yīng)采用驅(qū)動(dòng)電路到IGBT 模塊的引線盡可能短、引線為雙膠線或屏蔽線等措施。