存儲技術(shù)
西數(shù)推出個人云儲存系統(tǒng) 容量高達(dá)16TB
西數(shù)公司13日宣布推出一款新的個人云存儲設(shè)備，命名為My Cloud EX4。這款設(shè)備應(yīng)用了高性能的四車位槽軌網(wǎng)絡(luò)存儲，定位于職業(yè)人士和工作組用戶，當(dāng)然也適用于任何需要備份和管理龐大數(shù)據(jù)的家庭或辦公用戶。
LSI選擇賽普拉斯并行nvSRAM非易失性存儲器 用于其業(yè)界...
賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布，LSI在其用于高性能服務(wù)器、工作站和外部存儲器的12Gb/s SAS主機總線適配器（HBA）中，選用了賽普拉斯的并行非易失性靜態(tài)隨機存取存儲器（nvSRAM）。nvSRAM為SAS HBA帶來高速度、低電壓、無故障的存儲器，提升了LSI解決方案的性能。LSI選擇并行nvSRAM的另一個原因是它可工作在不同的電壓下，而且廣受媒體好評。
美高森美提供世界唯一自加密0.5TB 2.5”SATA SL...
致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司（Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號：MSCC）發(fā)布全球唯一的安全性0.5 TB （half-terabyte） 固態(tài)驅(qū)動器（solid state drive， SSD）產(chǎn)品，用于移動視頻監(jiān)控運作、存儲域網(wǎng)絡(luò)（SAN）和其它需要出色的實時數(shù)據(jù)保護的大容量存儲應(yīng)用。
2013-08-28 標(biāo)簽：SATA美高森美固態(tài)驅(qū)動器 1112
希捷推新一代超低功耗企業(yè)級硬盤
近日，希捷推出兩款新一代企業(yè)級硬盤，希捷Terascale擴容硬盤以及希捷第七代企業(yè)級 10K超能盤，用于優(yōu)化新興的云基礎(chǔ)設(shè)備和大規(guī)模數(shù)據(jù)中心。希捷Terascale擴容硬盤及第七代企業(yè)級10K超能盤以低功耗提供大容量存儲，可以高效且經(jīng)濟地存儲持續(xù)增長、一般存于云端的非結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)，非常適合于云系統(tǒng)構(gòu)建商。
IMEC開發(fā)新型電介質(zhì),推動20nm NAND Flash進(jìn)...
比利時微電子研究中心IMEC的研究人員們已經(jīng)開發(fā)出一種納米級的氧化鋁鉿電介質(zhì)（HfAlO/Al2O3/HfAlO）堆迭，這種具氮化硅/氮化鈦混合浮閘的閘間電介質(zhì)可用于平面 NAND Flash 結(jié)構(gòu)中，并可望推動NAND flash在20nm及其以下先進(jìn)制程進(jìn)一步微縮。
2013-06-26 標(biāo)簽：NAND Flash20nmIMEC公司 1199
ST最新EEPROM系列保證400萬次擦寫操作
全球第一大EEPROM供應(yīng)商意法半導(dǎo)體推出最新EEPROM系列產(chǎn)品。新產(chǎn)品保證400萬次擦寫操作，而競爭產(chǎn)品只提供100萬次擦寫操作。意法半導(dǎo)體的新產(chǎn)品支持更高的存儲數(shù)據(jù)更新頻率，延長系統(tǒng)在高溫條件下的壽命，為設(shè)計人員帶來了更大的設(shè)計自由空間。
2013-06-19 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體EEPROM 2822
SanDisk發(fā)布業(yè)界領(lǐng)先的19納米SSD
瞄準(zhǔn)超輕薄超極本（Ultrabook）、筆記本電腦及平板裝置終端用戶對于更高運算效能與反應(yīng)速度的SSD需求，SanDisk已率先業(yè)界發(fā)布采用19奈米（nm）NAND Flash制造的固態(tài)硬盤（SSD ），以迎合消費者和個人電腦（PC）制造商對于更高運算效能及更快反應(yīng)速度的要求。
Innodisk推全球首款“nanoSSD”微型固態(tài)硬盤
商業(yè)和工業(yè)固態(tài)存儲廠商Innodisk今天宣布，推出全球首款基于SATA μSSD（JEDEC MO-276）技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)“nanoSSD”的微型固態(tài)硬盤。
浩康科技聯(lián)同Velosti發(fā)表USB3.0高速AES/UCA...
2013年5月21日，香港， 21-5-2013 - 香港浩康科技（Crypton Tech） 發(fā)布了的USB3.0超高速AES / UCA硬件加密優(yōu)盤方案。 在高速數(shù)據(jù)傳輸領(lǐng)域，數(shù)據(jù)傳輸速度和保密性是兩個最重要的考察指標(biāo)，該這方案成功完善地滿足了這兩個指標(biāo)。 該方案采用Velosti USB3.0 控制器 （以32位ARM架構(gòu)為基礎(chǔ) ），內(nèi)置AES /UCA 硬件加密機制，實現(xiàn)了具有保密性好，極難破解的之特點，而且速度比一般USB2.0優(yōu)盤快 10 倍左右。
力旺電子推全新反熔絲架構(gòu)嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存技術(shù)
嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存廠商力旺電子日前宣布，正式推出全新反熔絲架構(gòu)之嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存技術(shù)NeoFuse，此技術(shù)瞄準(zhǔn)先進(jìn)工藝平臺，具備硅智財組件尺寸小與保存能力佳等特點，可滿足客戶產(chǎn)品在先進(jìn)工藝產(chǎn)品之進(jìn)階需求。
美超微推出基于高容量服務(wù)器存儲方案 支持熱拔插HDD
美超微推出一款基于高容量服務(wù)器全面拓展存儲解決方案。該服務(wù)器支持HDD熱拔插，采用創(chuàng)新型4U解決方案，可使類似容量提升50%，功耗降低60%，提供多達(dá)288TB存儲容量。
HOLTEK推出HT24LC256新款大容量串行式EEPRO...
HOLTEK推出新款串行式EEPROM產(chǎn)品 -- HT24LC256，使用兩線式串行接口，總共有256K位內(nèi)存容量，內(nèi)存架構(gòu)為32768×8位。
富士通半導(dǎo)體推出新型1 Mbit 和 2 Mbit FRAM...
富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司今日宣布，推出兩款新型FRAM產(chǎn)品－MB85RS1MT 和 MB85RS2MT，兩款產(chǎn)品分別帶有1 Mbit 和 2 Mbit的存儲器，是富士通半導(dǎo)體提供的最大容量的串口FRAM。這兩款產(chǎn)品將于2013年3月起開始提供新品樣片。
2013-03-25 標(biāo)簽：FRAM 1162
世界最快機械硬盤:1GB緩存、400MB/s寫入!
Buffalo最近發(fā)布了HD-GDU3系列外置硬盤，竟然整合了多達(dá)1GB DRAM緩存，寫入速度也超過了驚人的400MB/s。
HOLTEK推出HT24LC02A極具成本競爭力2K串行式E...
Holtek推出新款串行式EEPROM產(chǎn)品 -- HT24LC02A，它和HT24LC02產(chǎn)品最大差異有：1.無Address input -- A0/A1/A2三個Pad，成本更有競爭力。2.只有HT24LC02A提供SOT23-5封裝，且和業(yè)界完全兼容，可快速導(dǎo)入市場。
英特爾推出最新DC S3700系列企業(yè)級固態(tài)硬盤
英特爾推出了最新的DC S3700系列企業(yè)級固態(tài)硬盤，其使用壽命接近200年，容量高達(dá)800GB。該產(chǎn)品可以有效地提升Xeon E5系列多核處理器的性能，保障多核處理器保持更為活躍的狀態(tài)，為并行多線程計算帶來更高的存儲吞吐量，進(jìn)而減少響應(yīng)時間，使用戶獲得更順暢的計算體驗。
2013-02-28 標(biāo)簽：英特爾云計算固態(tài)硬盤大數(shù)據(jù)高性能計算 3045
東芝開發(fā)出能省電最多85%的行動產(chǎn)品RAM
Toshiba 公布他們已經(jīng)成功開發(fā)出一款低耗電量的行動裝置 RAM 原型晶片裝置被使用時能省電 27%，而待命時則省電 85%
無線硬盤都爆弱了:希捷推出支持iOS設(shè)備直接讀寫的移動硬盤
希捷推出了Wireless Plus HDD（亞馬遜售價199.99美元），一個外部硬盤驅(qū)動器，內(nèi)置兼容的移動硬盤，同時提供充電電源支持。
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