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在不久的將來，我們將看到嵌入式STT-MRAM (eMRAM)出現(xiàn)在諸如物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、微控制器(MCU)、汽車、邊緣運(yùn)算和人工智能(AI)等應(yīng)用中。美國EVERSPIN還提供了幾種獨(dú)立的MRAM產(chǎn)品，鎖定包括航天、汽車、儲存、工廠自動化、IoT、智慧能源、醫(yī)療和工業(yè)機(jī)器控制/運(yùn)算等應(yīng)用。
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半導(dǎo)體工藝控制和支持技術(shù)供貨商KLA對MRAM作為一種新興的NVM技術(shù)的前景感到振奮，為IC制造商提供了一系列解決方案的組合，可幫助加速M(fèi)RAM產(chǎn)品開發(fā)，確保成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)并在生產(chǎn)中取得最佳良率。這些技術(shù)解決方案包括：
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使用散射測量和成像的迭對量測系統(tǒng)進(jìn)行圖案對準(zhǔn)(patterning alignment)量測，使用光學(xué)散射測量CD和形狀計量系統(tǒng)進(jìn)行關(guān)鍵尺寸和3D組件形狀測量以及run time patterning control數(shù)分析，以優(yōu)化MRAM cell patterning 組件迭對、CD和形狀。
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使用光譜橢圓偏振(SE)技術(shù)進(jìn)行膜厚度和化學(xué)計量的測量，這些技術(shù)為MTJ迭層沉積提供了重要的關(guān)鍵參數(shù)。
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MRAM堆棧沉積的電磁特性，可使用CAPRES電流平面穿隧(CIPTech)和MicroSense磁光Kerr效應(yīng)，提供對預(yù)計的最終電池性能的早期反饋(MOKE)技術(shù)。CAPRESCIPTech是一種12點(diǎn)探針電阻技術(shù)，可在產(chǎn)品晶圓圖案化之前，針對MTJ迭層進(jìn)行沉積、退火和磁化后的TMR和RA測量。MicroSense Polar Kerr MRAM (PKMRAM)則表征了磁性能，例如自由層和固定層的矯頑場，以及多層MTJ堆棧在沉積、退火和在毯覆薄膜或有圖案的晶圓上磁化。這種非接觸式全晶圓技術(shù)可測量自由層和固定層的磁性。
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一系列控片和在線產(chǎn)品晶圓缺陷檢測和檢視系統(tǒng)(取決于靈敏度和采樣要求)，可以在線檢測關(guān)鍵缺陷，幫助工程師發(fā)現(xiàn)并解決可能影響良率和組件性能的工藝問題。
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In-situ process control wafers，透過在工藝反應(yīng)爐中擷取和記錄參數(shù)并用于可視化、診斷和控制工藝條件。
為MRAM工藝打造的量測方案
- MRAM(31550)
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2346臺積電引領(lǐng)新興存儲技術(shù)潮流，功耗僅為同類技術(shù)的1%
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臺積電開發(fā)出SOT-MRAM陣列芯片
據(jù)報道，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造公司臺積電在次世代MRAM存儲器相關(guān)技術(shù)方面取得了重大進(jìn)展。該公司成功開發(fā)出自旋軌道轉(zhuǎn)矩磁性存儲器（SOT-MRAM）陣列芯片，并搭配創(chuàng)新的運(yùn)算架構(gòu)，使其功耗僅為其他類似技術(shù)的1%。
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6646殺手锏！臺積電開發(fā)SOT-MRAM陣列芯片
臺積電在MRAM技術(shù)方面已經(jīng)取得了顯著進(jìn)展，成功研發(fā)了22納米、16/12納米工藝的MRAM產(chǎn)品線，并積累了大量內(nèi)存和車用市場訂單。
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4838臺積電和ITRI成功研發(fā)SOT-MRAM，功耗僅為STT-MRAM的百分之一
鑒于AI、5G新時代的到來以及自動駕駛、精準(zhǔn)醫(yī)療診斷、衛(wèi)星影像辨識等應(yīng)用對更高效率、穩(wěn)定性和更低功耗的內(nèi)存的需求愈發(fā)緊迫，如磁阻式隨機(jī)存取內(nèi)存（MRAM）這樣的新一代內(nèi)存技術(shù)已成為眾多廠商爭相研發(fā)的重點(diǎn)。
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838【分享】用PPEC3天打造電源方案
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SMT組裝工藝流程的應(yīng)用場景（多圖）
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華
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什么是工藝審查?板級電路裝焊的工藝性審查
工藝審查是電氣互聯(lián)工藝設(shè)計的關(guān)鍵部分，工藝審查就是對電路設(shè)計、結(jié)構(gòu)設(shè)計的工藝性、規(guī)范性、繼承性、合理性和生產(chǎn)可行性等相關(guān)工藝問題進(jìn)行分析與評價，并提出意見或建議，最后進(jìn)行修改與簽字。同時可根據(jù)在制品的工藝執(zhí)行具體情況對生產(chǎn)工藝的正確性、合理性和可靠性進(jìn)行審查。
2023-09-01 12:45:34521
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關(guān)于非易失性MRAM應(yīng)用
作為一種磁性技術(shù)，MRAM本質(zhì)上是抗輻射的。這使得獨(dú)立版本在航空航天應(yīng)用中很受歡迎，而且這些應(yīng)用對價格的敏感度也較低。它相對較大，在內(nèi)存領(lǐng)域，尺寸意味著成本。
2023-08-30 15:28:50407
407PCBA單板工藝應(yīng)變測試方案
定義：指導(dǎo)PCBA單板工藝應(yīng)變測試，以及在單板加工過程中的應(yīng)變管控重點(diǎn)。
2023-08-28 14:33:15544
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艾邁斯歐司朗高功率紅外LED打造口腔輔助照明解決方案
先臨三維最新的Aoralscan 3i口腔數(shù)字印模儀選擇了艾邁斯歐司朗SFH 4170S紅外LED，打造高功率、高可靠性的口腔輔助照明解決方案；
2023-08-27 09:31:38737
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電源用共模電感，感量越大越好？
電源用共模電感，感量越大越好？電源用共模電感，感量越大越好？（中）相信不少人是有疑問的，今天深圳市比創(chuàng)達(dá)電子科技有限公司就跟大家解答一下！
比創(chuàng)達(dá)整改實(shí)例如圖1為某烤箱設(shè)備（AC 220V供電
2023-08-22 10:42:02
釋放信號量喚醒線程后，程序死機(jī)Hard_fault如何解決？
系統(tǒng)在運(yùn)行過程中出現(xiàn)死機(jī)，經(jīng)過cmbacktrace 回溯發(fā)現(xiàn)在釋放信號量的地方出錯，
程序設(shè)計為，A線程釋放一個信號量后喚醒B線程，但在發(fā)送信號量切換線程以后出現(xiàn)了bug。
擴(kuò)大被喚醒B線程棧大小，不起作用。而且不太明白是因?yàn)楸粏拘袯線程，出現(xiàn)了錯誤，還是因?yàn)閱拘丫€程A出現(xiàn)了錯誤。
2023-08-20 16:50:59
可持續(xù)濕法工藝解決方案
來源：《半導(dǎo)體芯科技》雜志 綠色目標(biāo)。黃色解決方案。 憑借二十年在批量噴涂及其硬件方面的經(jīng)驗(yàn)，Siconnex已成長為可持續(xù)濕法工藝設(shè)備的領(lǐng)先供應(yīng)商。可持續(xù)發(fā)展和環(huán)境健康是我們的基因
2023-08-18 17:56:34320
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SMT無鉛錫膏印刷的PCB工藝要求有哪些？
SMT印刷工藝和PCB電路板的方案質(zhì)量，影響著SMT無鉛錫膏的印刷效果。PCB電路板方案非常出色，可以避免元器件偏移和吊橋等不良的印刷現(xiàn)象。今天佳金源無鉛錫膏廠家就來說說利于SMT無鉛錫膏印刷
2023-07-29 14:42:421149
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芯片制造商N(yùn)etsol推出STT-MRAM
Netsol的MRAM具有非易失特性和幾乎無限的耐用性。對于需要使用最少數(shù)量的引腳來快速存儲、檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序而言，是最為理想的存儲器。適用于工業(yè)設(shè)備中的代碼存儲、數(shù)據(jù)記錄、備份和工作存儲器。可替代Flash、FeRAM、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性。
2023-07-07 17:06:59262
262全志科技R系列解決方案：打造智慧生活美好體驗(yàn)
— 隨著科技的不斷發(fā)展，AI和IoT兩大技術(shù)加速落地，智能家居逐漸成為人們生活的新常態(tài)。消費(fèi)者對“家”的期待持續(xù)升級，渴望打造更加智能化、人性化的生活環(huán)境。全志科技緊跟市場趨勢，對智慧生活領(lǐng)域進(jìn)行
2023-06-26 18:05:021853
1853數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用STT-MRAM芯片S3R1016
MRAM在數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用中，數(shù)據(jù)記錄是如下持續(xù)、反復(fù)地將重要數(shù)據(jù)保存于設(shè)備的過程。可以記錄系統(tǒng)內(nèi)外部發(fā)生的事件；使用歷史；環(huán)境參數(shù) ；機(jī)器狀態(tài)；用于分析目的的其他數(shù)據(jù)。因需要持續(xù)、反復(fù)地保存數(shù)據(jù)，內(nèi)存需要快速的寫入速度與高耐久性。
2023-06-20 17:06:22219
219華秋亮相汽車電子研討會，展出智能座艙方案、高可靠PCB板
。
在項(xiàng)目方案開發(fā)方面，華秋方案以自有技術(shù)團(tuán)隊為基礎(chǔ)，通過開放的電子發(fā)燒友工程師社區(qū)平臺，助力電子制造客戶解決原型設(shè)計開發(fā)、產(chǎn)品檢測與驗(yàn)證以及批量生產(chǎn)的難題。迄今，華秋方案已在“新能源、汽車電子、工業(yè)控制
2023-06-16 15:10:48
PCBA加工技術(shù)：有鉛工藝與無鉛工藝的區(qū)別
PCBA、SMT加工一般有兩種工藝，一種是無鉛工藝， 一種是有鉛工藝，大家都知道鉛對人是有害的，因此無鉛工藝符合環(huán)保的要求，是大勢所趨，歷史必然的選擇。
2023-06-09 09:55:39707
7071Mbit存儲MRAM芯片MR0A16A
Everspin型號MR0A16A容量為1Mbit的MRAM存儲芯片，組織為16位的65536個字。提供與SRAM兼容的35ns讀/寫時序，續(xù)航時間無限制。數(shù)據(jù)在20年以上的時間內(nèi)始終是非易失性的。
2023-05-31 17:23:08403
403防雷接地的施工工藝與防雷施工方案
雷電是自然界的一種強(qiáng)大而危險的自然現(xiàn)象，經(jīng)常造成重大財產(chǎn)損失和人員傷亡。為了保護(hù)建筑物和人員免受雷電的危害，防雷接地系統(tǒng)的設(shè)計和施工至關(guān)重要。本文將介紹防雷接地的施工工藝和防雷施工方案，強(qiáng)調(diào)專業(yè)
2023-05-30 10:39:40754
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陸芯科技榮獲車規(guī)級IGBT最佳工藝解決方案
2023年5月25日，在杭州舉行的 CAPS2023 功率半導(dǎo)體之“芯“ 頒獎典禮上， 陸芯科技榮獲了車規(guī)級IGBT最佳工藝解決方案獎！ 「車規(guī)級IGBT最佳工藝解決方案獎」是弘揚(yáng)表彰在車規(guī)級功率
2023-05-29 12:44:291085
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行業(yè)首創(chuàng)！恩智浦?jǐn)y手臺積電，推出汽車級16納米FinFET嵌入式MRAM
恩智浦和臺積電聯(lián)合開發(fā)采用臺積電16納米FinFET技術(shù)的嵌入式MRAM IP? 借助MRAM，汽車廠商可以更高效地推出新功能，加速OTA升級，消除量產(chǎn)瓶頸 恩智浦計劃于2025年初推出采用該技術(shù)
2023-05-26 20:15:02396
396Netsol并口STT-MRAM非易失存儲S3R8016
其數(shù)據(jù)始終是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于簡化系統(tǒng)設(shè)計。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無限的續(xù)航特性，它適用于工業(yè)設(shè)計中的代碼存儲、數(shù)據(jù)記錄、備份存儲器和工作存儲器。
2023-05-12 16:31:39268
268Ansys多物理場解決方案通過臺積電N2芯片工藝認(rèn)證
臺積電設(shè)計基礎(chǔ)架構(gòu)管理部負(fù)責(zé)人Dan Kochpatcharin表示：“臺積電始終與我們的Open Innovation Platform（OIP）生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴密切合作，臺積電最先進(jìn)的N2工藝全套設(shè)計解決方案
2023-05-12 11:33:33687
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Netsol SPI MRAM芯片S3A1604
S3A1604是一種NETSOL MRAM存儲芯片。具有SPI總線接口、XIP(就地執(zhí)行)性能和基于硬件/軟件的數(shù)據(jù)保護(hù)系統(tǒng)。可以取代具有相同功能和非易失性的閃存、FeRAM或（nv）SRAM。提供SPI、DSPI、QSPI等模式，以允許帶寬擴(kuò)展選項(xiàng)。
2023-04-27 17:33:44420
420解偉俊：在鴻學(xué)生終端，開鴻智谷打造下一代智慧教育全場景解決方案
：開鴻智谷打造下一代智慧教育全場景解決方案》為主題，現(xiàn)場公開分享了基于OpenHarmony打造的在鴻學(xué)生終端、并圍繞構(gòu)建的教育行業(yè)生態(tài)及快速落地的創(chuàng)新經(jīng)驗(yàn)，推出的下
2023-04-26 15:31:091279
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PCB制造基本工藝及目前的制造水平
一、PCB制造基本工藝及目前的制造水平
PCB設(shè)計最好不要超越目前廠家批量生產(chǎn)時所能達(dá)到的技術(shù)水平，否則無法加工或成本過高。
1.1層壓多層板工藝
層壓多層板工藝是目前廣泛
2023-04-25 17:00:25
PCB工藝設(shè)計要考慮的基本問題
1.8mm、3.0mm為非標(biāo)準(zhǔn)尺寸，盡可能少用。
3、銅箔厚度
PCB銅箔厚度指成品厚度，圖紙上應(yīng)該明確標(biāo)注為成品厚度（Finished Conductor Thickness）。
工藝上要注意
2023-04-25 16:52:12
一文了解新型存儲器MRAM
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動態(tài)隨機(jī)存儲器
2023-04-19 17:45:462542
2542如何使用SEMC將iMX RT1024連接到MRAM？
我想將 iMX RT1024 連接到 MR5A16A MRAM MR5A16A MRAM 數(shù)據(jù)表聲明它與 SRAM 接口兼容但是，通過比較 MR5A16A 數(shù)據(jù)表和 iMX RT1024 參考手冊
2023-04-17 07:52:33
underfill底部填充工藝用膠解決方案
underfill底部填充工藝用膠解決方案由漢思新材料提供隨著手機(jī)、電腦等便攜式電子產(chǎn)品的發(fā)展趨向薄型化、小型化、高性能化，IC封裝也趨向小型化、高聚集化方向發(fā)展。而底部封裝點(diǎn)膠工藝可以解決精密
2023-04-14 15:04:161145
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NETSOL串行MRAM產(chǎn)品介紹
STT-MRAM它具有SPl總線接口、XIP（就地執(zhí)行）功能和基于硬件/軟件的數(shù)據(jù)保護(hù)機(jī)制。SPl（串行外圍接口）是一個帶有命令、地址和數(shù)據(jù)信號的同步串行通信接口。
2023-04-07 17:02:07758
758MRAM實(shí)現(xiàn)對車載MCU中嵌入式存儲器的取代
的擦除操作，而且寫人時間也比閃存少幾個數(shù)量級。即使是與現(xiàn)有存儲器中性能較高的DRAM(讀取1寫入時間為30ns~50ns)相比，自旋注入MRAM的高性能仍然很突出。此外可擦寫次數(shù)超過1015次,和DRAM
2023-04-07 16:41:05
與FRAM相比Everspin MRAM具有哪些優(yōu)勢？
Everspin的8Mb MRAM MR3A16ACMA35可以在較慢的富士通8Mb FRAM MB85R8M2T上運(yùn)行，但還允許系統(tǒng)設(shè)計人員利用MRAM的四倍隨機(jī)存取周期時間。Everspin
2023-04-07 16:26:28
PCBA檢測技術(shù)與工藝標(biāo)準(zhǔn)流程介紹
； 八、組合檢測工藝方案 1、每種檢測技術(shù)都有各自的長處和短處。 選擇合適的組合檢測方案是對時間－市場，時間－產(chǎn)量以及時間－利潤等諸多因素的綜合考慮，在產(chǎn)品的不同生產(chǎn)周期要求有不同的檢測工藝方案
2023-04-07 14:41:37
打造城域光網(wǎng)絡(luò)的最優(yōu)方案——池化波分
中國聯(lián)通頒布了《池化波分打造城域全光底座白皮書》（下文簡稱白皮書）（文末附白皮書下載）。白皮書提出以開創(chuàng)性的城域池化波分解決方案，實(shí)現(xiàn)最優(yōu)的城域ROADM+OTN全光業(yè)務(wù)網(wǎng)底座。
2023-04-04 16:04:46668
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MRAM芯片應(yīng)用于PLC產(chǎn)品上的特性
在PLC(可編程邏輯控制器)產(chǎn)品中，MRAM芯片的應(yīng)用也日漸普及，本文將介紹MRAM芯片應(yīng)用于PLC產(chǎn)品上的特性。--代理商：吉芯澤科技
2023-03-29 16:31:221169
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半導(dǎo)體制造工藝中的UV-LED解決方案
針對半導(dǎo)體制造工藝的UV-LED光源需求，虹科提供高功率的紫外光源解決方案，可適配步進(jìn)器和掩膜版設(shè)備，更換傳統(tǒng)工具中的傳統(tǒng)燈箱，實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的半導(dǎo)體質(zhì)量控制。
2023-03-29 10:35:41710
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求一種AD7606模擬量高速采集方案
驗(yàn)證模擬量ADC高速采集方案 1.目標(biāo) 驗(yàn)證CH341A+ADC7606芯片實(shí)現(xiàn)ADC高速采集的可行性； 查閱CH341芯片并口通信協(xié)議DLL API，并口模式切換配置方式，并口操作速度
2023-03-27 11:49:21
工商網(wǎng)監(jiān)
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