非易失性存儲器芯片又可分為快閃存儲器 （Flash Memory） 與只讀存儲器 （Read-Only Memory）。其中，快閃存儲器又可以分為 NAND 存儲和 NOR 存儲。
2024-03-22 10:54:15
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TC364 微控制器是否支持外部存儲器？
根據我的閱讀，外部總線接口用于外部存儲器。 在該微控制器的數據手冊中，我看到外部總線為 0。
2024-03-04 06:13:37
通過多級存儲器的設計，存儲器層次結構能夠在存儲容量和訪問速度之間找到一個平衡點。高速緩存存儲器和主存儲器提供了快速的訪問速度，而輔助存儲器則提供了大量的存儲空間。
2024-02-19 13:54:42121 
Flash存儲器的寫操作具有特殊性，它只能將數據位從1寫成0，而不能從0寫成1。因此，在對存儲器進行寫入操作之前，必須先執行擦除操作，將預寫入的數據位初始化為1。
2024-02-19 11:37:28536 
DRAM（動態隨機存取存儲器）存儲器主要通過電容來存儲信息。這些電容用于存儲電荷，而電荷的多寡則代表了一個二進制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36264 
與主存儲器（內存）和輔助存儲器（外存）有不同的特點和應用場景。 首先，我們來詳細了解ROM的特點和分類。ROM是一種非易失性存儲器，這意味著即使在斷電或重啟系統后，存儲在ROM中的數據仍然保持完整。這是由于ROM的存儲單元是由非可更改的電路或柵電勢器構成
2024-02-05 10:05:10738 1) 允許一個物理內存（即 XRAM) 可同時作為程序存儲器和數據存儲器進行訪問
如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲器和數據存儲器。
1) 用于存儲 scr 程序的程序存儲器
2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數據的數據存儲器。
2024-01-30 08:18:12
我想使用 DAP 協議對 TC38x 系列 MCU 的 pFlash/DFlash 進行編程。
是否有任何記錄了 DAP 協議詳細信息的相關文檔？ 如何通過 DAP 協議訪問內部存儲器？
提前謝謝了！
2024-01-23 07:51:15
只讀存儲器（ROM）是一種計算機存儲設備，用于存儲固定數據和指令，其特點如下： 數據固定性：只讀存儲器中的數據是在出廠時被編程固化的，用戶無法進行修改。這意味著ROM中的信息是靜態的、不可
2024-01-17 14:17:39290 ADuCM360/1是否支持存儲器到存儲器DMA傳輸？
2024-01-15 07:43:09
是Volatile RAM（易失性存儲器），又稱為SRAM（Static Random Access Memory，靜態隨機訪問存儲器）；另一種是Non-volatile RAM（非易失性存儲器），又稱
2024-01-12 17:27:15513 靠近 CPU 的小、快速的高速緩存存儲器（cache memory）做為一部分存儲在相對慢速的主存儲器（main memory）中數據和指令的緩沖區域。
2023-12-25 09:21:50242 
如何充分利用單片機（MCU）的非易失性存儲器 單片機（MCU）的非易失性存儲器（NVM）是存儲數據和程序的重要組成部分。它可以保留數據，即使在斷電或復位后也不會丟失。為了充分利用MCU的NVM，我們
2023-12-15 10:10:49503 如果按照資料里的：0x1419 0x0000 準備從存儲器位置0x19讀取數據。
0x2000 0x0100 準備從控制寄存器讀取數據。SDO輸出16位字，其中最后10位包含存儲器位置0x19的內容
2023-12-06 06:04:03
在數字電子設備中，存儲器是至關重要的部分。它負責存儲和檢索數據，以支持各種計算和數據處理任務。在存儲器市場中，有兩種主要的類型：隨機訪問存儲器 ( RAM ) 和只讀存儲器 ( ROM )。盡管都是存儲器，但它們之間存在一些關鍵區別。
2023-12-05 15:46:17732 
電子發燒友網站提供《基于非易失性存儲器的數字電位器的多功能可編程放大器.pdf》資料免費下載
2023-11-24 16:04:35
0 閃速存儲器 （Flash Memory）簡稱閃存器或閃存，是一種非易失性存儲器(Non-volatile Memory， NVM)。目前常用的兩種閃存器是或非閃存器 (NOR Flash）和與非閃存
2023-11-23 09:36:17911 
半導體存儲器用于數據存儲。按照電源在關斷后數據是否依舊被保存的方式區分，存儲器可分為非易失性存儲器 (Non-volatile Memory，NVM)和易失性存儲器 （volatile Memory
2023-11-16 09:14:06413 何謂半導體存儲器？ 半導體存儲器是指通過對半導體電路加以電氣控制，使其具備數據存儲保持功能的半導體電路裝置。 與磁盤和光盤裝置等相比，具有 數據讀寫快 存儲密度高 耗電量少 耐震 等特點。 關閉電源
2023-11-15 10:20:01731 
單片機的存儲器主要有幾個物理存儲空間
2023-11-01 06:22:38
單片機的存儲器從物理上可劃分為4個存儲空間，其存儲器的空間范圍是多少？
2023-11-01 06:20:34
大家有誰知道AT89C52怎么選擇外部存儲器，我之前用的是P89V51，選擇外部存儲器是定義AUXR=0x02;，但是現在想用AT89C52單片了，程序該怎么改了啊？？AT89C52手??冊上找不到怎么選擇外部存儲器說明，各位高手有誰知道啊 ？?
2023-10-26 06:11:25
AT32 SPIM Application Note描述了怎么使用AT32 MCU的SPIM作為外部存儲器的擴展功能。
2023-10-24 08:03:56
mcs-8051單片機的程序存儲器是多少
2023-10-18 07:33:36
存儲領域發展至今，已有很多不同種類的存儲器產品。下面給大家介紹幾款常見的存儲器及其應用。
2023-10-17 15:45:50521 
內存地址空間是否一定大于所有物理存儲器的容量？
2023-10-17 07:14:45
存儲器測試問題怎么才能穩定
2023-10-17 06:51:11
怎么隨機存取存儲器ram中的存儲單元
2023-09-28 06:17:04
隨著信息技術的飛速發展，數據存儲需求日益增長。作為一種新型的非易失性存儲器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優勢，在各個領域得到了廣泛應用。本文將對NAND Flash存儲器的工作原理、結構特點、性能指標及應用領域進行詳細解析，以期為讀者提供一個全面的了解。
2023-09-27 18:26:171437 摘要：本文主要對兩種常見的非易失性存儲器——NAND Flash和NOR Flash進行了詳細的比較分析。從存儲容量、性能、成本等方面進行了深入探討，以幫助讀者更好地理解這兩種存儲器的特性和應用。
2023-09-27 17:46:06490 與EEPROM、FLASH等傳統的非易失性存儲器相比，具有優越的高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。 由于車載電子控制系統對于存取各類傳感器資料的需求持
2023-09-27 10:00:51
如何檢測24c存儲器容量
2023-09-25 06:48:32
在SoC中，存儲器是決定性能的另一個重要因素。不同的SoC設計中，根據實際需要采用不同的存儲器類型和大小。
2023-09-18 16:22:19325 
存儲器可分為易失性存儲器和非易失性存儲器兩類，前者在掉電后會失去記憶的數據，后者即使在切斷電源也可以保持數據。易失性存儲器又可分為 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM
2023-09-15 15:59:02668 
系統架構
? 多層AHB總線矩陣
? 存儲空間
? 存儲器映射
? 片上SRAM
? 位帶操作
? 片上閃存
? 自適應閃存加速器（STM32F2新增）
? 啟動模式
? 代碼空間的動態重映射（STM32F2新增）
? 內嵌bootloader
2023-09-13 06:20:58
Flash存儲器是一種非易失性存儲器，即使在供電電源關閉后仍能保持片內信息。
2023-09-09 16:22:282617 存儲器是計算機中的重要組成部分，用于存儲程序、數據和控制信息等。根據存儲信息的介質和訪問方式的不同，存儲器可以分為隨機存儲器（RAM）、只讀存儲器（ROM）和硬盤存儲器等幾類。本文將介紹存儲器的工作原理、分類及結構。
2023-09-09 16:18:272105 STM32 F7 概述? STM32總線架構和存儲器映射? 總線架構? 存儲器映射? Cache? STM32F7性能? Boot模式? 片上閃存(Flash)? 系統配置控制器(SYSCFG)? 復位和時鐘控制(RCC)? 電源管理(PWR)
2023-09-08 06:53:32
根據專利要點，提供本申請的一種存儲器是檢測方法及存儲半導體相關技術領域中存儲單位與上線之間漏電測定的復雜技術問題，該存儲器的檢測方法如下：選通字線，通過位線在所有存儲單元中寫設定存儲。
2023-09-07 14:27:24523 
隨著高速數據通信的進步，數據更頻繁地發送意味著對非易失性存儲器的需求增加，因為非易失性存儲器可以承受這種頻繁的數據操作。鐵電存儲器是具有物聯網新時代所要求的高讀寫耐久性和快速寫入速度的理想存儲設備
2023-08-24 10:05:59
庫的慢-慢工藝點對塊進行合成，以200 MHz的目標速度確認時序特性。
接口存儲器端口上的信號符合RAM編譯器為TSMC CL013G工藝技術生產的單端口同步存儲器組件所要求的時序要求
2023-08-21 06:55:33
技術，每種技術都具有不同的特性和高級功能。雙數據速率 (DDR) 同步動態隨機存取存儲器 (SDRAM) 已成為主系統存儲器最主流的存儲器技術，因為它使用電容器作為存儲元件來實現高密度和簡單架構、低延遲和高性能、無限存取耐力和低功耗。
2023-08-17 09:54:20414 
富士通半導體存儲器解決方案有限公司提供的一款 4Mbit FeRAM MB85RS4MT，是富士通 FeRAM 非易失性存儲器串行接口系列中密度最高的產品。目前已實現量產產品。 在不斷變化的環境中，隨著傳感器信息數據量的增加和邊緣計算的擴展，客
2023-08-04 11:55:04339 
CoreLink DDR2動態存儲器控制器(DMC-341)技術參考手冊
2023-08-02 15:28:28
AHB MC是一種符合高級微控制器總線體系結構（AMBA）的片上系統（SoC）外圍設備。它由ARM有限公司開發、測試和許可。
AHB MC利用了新開發的動態存儲器控制器（DMC）和靜態存儲器控制器
2023-08-02 14:51:44
AHB MC是一種符合高級微控制器總線體系結構（AMBA）的片上系統（SoC）外圍設備。它由ARM有限公司開發、測試和許可。
AHB MC利用了新開發的靜態存儲器控制器（SMC）。AHB MC有一個
2023-08-02 07:14:25
AHB MC是一種符合高級微控制器總線體系結構（AMBA）的片上系統（SoC）外圍設備。它由ARM有限公司開發、測試和許可。
AHB MC利用了新開發的動態存儲器控制器（DMC）和靜態存儲器控制器
2023-08-02 06:26:35
一個可隨時存取數據的存儲器，即可讀(取)或寫(存)的存儲器，簡稱ram。
2023-07-25 15:28:37641 對于存儲器間接尋址，可以在變量中存儲地址。變量可以是 WORD 或 DWORD 數據類型。變量可以位于存儲器區域“數據”（DB 或 DI）、“位存儲器” (M) 或“臨時本地數據” (L) 中。
2023-07-15 11:20:312717 何謂半導體存儲器？ 半導體存儲器是指通過對半導體電路加以電氣控制，使其具備數據存儲保持功能的半導體電路裝置。 與磁盤和光盤裝置等相比，具有 數據讀寫快 存儲密度高 耗電量少 耐震 等特點。 關閉電源
2023-07-12 17:01:131098 
易失性存儲器的發展歷程 繼續關于存儲器的發展回顧，上期我們回顧了非易失性存儲器的發展史，本期內容我們將回顧易失性存儲器的發展歷程。易失性存儲器在計算機開機時存儲數據，但在關閉時將其擦除，但是
2023-06-28 09:05:28874 存儲器是用來進行數據存儲的（指令也是一種數據），按使用類型可分為只讀存儲器ROM(Read Only Memory)和隨機訪問存儲器RAM(Random Access Memory)，RAM是其中最為常見的一種形式。
2023-06-27 16:45:30458 
PLC系統中的存儲器主要用于存放系統程序、用戶程序和工作狀態數據。PLC的存儲器包括系統存儲器和用戶存儲器。
2023-06-26 14:02:453775 半導體存儲器一般可分為易失性(Volatile Memory)和非易失性存儲器(Non Volatile Memory)。易失性存儲器是指數據信息只有在通電條件下才能保存，斷電后數據會丟失，主要有
2023-06-25 14:30:181959 
8 存儲器 RA6 MCU支持4GB的線性地址空間，范圍為 0000 0000h 到 FFFF FFFFh ，其中包含程序、數據和外部存儲器總線。該系列的某些產品包括一個SDRAM控制器，可利用
2023-06-21 12:15:03421 
ROM中存儲的數據在斷電后依然存在，不會丟失，因此也被稱為非易失性存儲器。而RAM是易失性存儲器，當斷電時，其中的數據將會丟失。
2023-06-20 16:38:442016 鐵電存儲器(FRAM)的核心技術是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲器同時擁有隨機存取記憶體(RAM)和非易失性存儲器的特性，芯片能在常溫、沒有電場的情況下，數據保持此狀態達100年以上
2023-06-20 14:19:25391 
鐵電存儲器(FRAM)的核心技術是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲器同時擁有隨機存取記憶體(RAM)和非易失性存儲器的特性，芯片能在常溫、沒有電場的情況下，數據保持此狀態達100年以上，鐵電
2023-06-08 09:52:17
隨機存儲器可以隨時從任何一個指定地址中讀出數據，也可以隨時將數據寫入任何一個指定的存儲單元中
2023-06-05 15:49:47785 
作為一種非易失性存儲器，鐵電存儲器兼具動態隨機存取存儲器DRAM的高速度與可擦除存儲器EEPROM非易失性優點，雖然容量和密度限制了其大規模應用，但在要求高安全性與高可靠性等工業應用場合，鐵電存儲器以幾乎無限的讀寫次數、超低及高抗干擾能力得到用戶的青睞。
2023-06-01 10:57:52134 
主存儲器的主要技術指標
* **存儲容量**
存儲器可以容納的二進制信息量（尋址空間，由CPU的地址線決定）
* **實際存儲容量：** 在計算機系統中具體配置了多少內存。
* **存取速度：** 存取時間是指從啟動一次存儲器操作到完成該操作所經歷的時間，也稱為讀寫周期；
2023-05-26 11:28:10822 
磁表面存儲器——磁表面存儲器，它們都是利用涂敷在載體表面薄層磁性材料來記錄信息的，載體和表面磁性材料統稱為記錄介質。
存儲密度——磁表面存儲器單位長度或單位面積磁層表面所能存儲的二進制信息量
2023-05-26 11:27:061409 在單板設計中，無論是涉及到一個簡易的CPU、MCU小系統或者是復雜的單板設計，都離不開存儲器設計：1、存儲器介紹存儲器的分類大致可以劃分如下：ROM和RAM指的都是半導體存儲器，ROM在系統停止供電
2023-05-19 17:04:36766 
EEPROM的變種，變成了一類存儲器的統稱。
狹義的EEPROM：
這種rom的特點是可以隨機訪問和修改任何一個字節，可以往每個bit中寫入0或者1。這是最傳統的一種EEPROM，掉電后數據不丟失
2023-05-19 15:59:37
單片機的程序存儲器和數據存儲器共處同一地址空間為什么不會發生總線沖突呢？
2023-05-10 15:17:56
首個非易失性存儲器是PROM（可編程只讀存儲器），以及與之密切相關的EPROM（可擦寫可編程只讀存儲器）。最初的PROM產品在1967年由貝爾實驗室提出，并于1971年由英特爾進一步開發。
2023-05-10 11:03:57408 80C51單片機中存儲器是RAM和ROM分開編址的嗎？求解答
2023-05-09 16:04:22
通過quad SPI接口選擇FLASH存儲器與RT1172一起使用時，應該將其設置為Buffer Read模式還是Continuous Read模式？
2023-04-27 06:03:21
關于DMA，具有三種數據傳輸方式：存儲器到存儲器、存儲器到外設、外設到存儲器。在第十三章以及第二十七章，已講解存儲器到存儲器傳輸方式以及存儲器到外設傳輸方式，本章將講解DMA外設到存儲器傳輸方式。使用串口1作為外設，通過串口調試助手等向開發板發送數據，數據會被返回給開發板并通過串口調試助手顯示。
2023-04-20 16:37:41
關于DMA，具有三種數據傳輸方式：存儲器到存儲器、存儲器到外設、外設到存儲器。前面已講解過關于存儲器到存儲器數據傳輸方式，本章將講解存儲器到外設的傳輸方式以及在下一章將會講解外設到存儲器的傳輸方式
2023-04-20 16:35:13
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動態隨機存儲器
2023-04-19 17:45:462542 51單片機外擴數據存儲器最大的容量是多少？可以達到50MB嗎？用的是什么芯片？
2023-04-19 16:34:36
基本上，我想將數據寫入/讀取 I.MX RT1170 評估板中的非易失性存儲器 (MX25L4006EM2R-12G)。1）是否有任何示例應用程序可供參考？像 LPUART、LPI2C 等....
2023-04-19 09:07:12
本章教程講解DMA存儲器到存儲器模式。存儲器到存儲器模式可以實現數據在兩個內存的快速拷貝。程序中，首先定義一個靜態的源數據，存放在內部 FLASH，然后使用DMA傳輸把源數據拷貝到目標地址上（內部SRAM），最后對比源數據和目標地址的數據，判斷傳輸是否準確。
2023-04-17 15:28:08
存儲設備，包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲器。非易失性存儲器意味著該設備能夠保存數據且無需持續供電，即使關閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42
具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會丟失，而且它和DRAM一樣可隨機存取。表1存儲器的技術規格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫時間都很短，均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需
2023-04-07 16:41:05
FM33256B-G器件將FRAM存儲器與基于處理器的系統最常用的功能集成在一起，主要功能包括非易失性存儲器，實時時鐘，低VDD復位，看門狗定時器，非易失性事件計數器，可鎖定的64位序列號區域以及
2023-04-07 16:23:11
我們正在嘗試將內部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲器（而不是 EEPROM）。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲器，如果可能，我們如何使用。請指導我們實現這一目標
2023-04-04 08:16:50
存儲器按存儲介質特性來說，可以分為兩類，一類就是易失性存儲器，一類是非易失性存儲器。從計算機角度上看，易失性存儲器可以理解為內存，而非易性存儲器可以理解為硬盤。
2023-03-30 14:22:431551 
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