新型的存儲器既具有RAM的優(yōu)點(diǎn)，又有非失易失性特征，同時(shí)克服了非易失性寫入速度慢且寫入次數(shù)有限等缺點(diǎn)。

FRAM的核心技術(shù)是鐵電晶體材料。這一特殊材料使得鐵電存儲產(chǎn)品同時(shí)擁有隨機(jī)存取存儲器（RAM）和非易失性存儲產(chǎn)品的特性。當(dāng)一個(gè)電場被加到鐵電晶體時(shí)，中心原子順著電場的方向在晶體里移動。當(dāng)原子移動時(shí)，它通過一個(gè)能量壁壘，從而引起電荷擊穿。內(nèi)部電路感應(yīng)到電荷擊穿并設(shè)置存儲器。移去電場后，中心原子保持不動，存儲器的狀態(tài)也得以保存FRAM存儲器不需要定時(shí)刷新，掉電后數(shù)據(jù)立即保存，它速度很快，且不容易寫壞。

FRAM存儲器技術(shù)和標(biāo)準(zhǔn)的CMOS制造工藝相兼容。鐵電薄膜被放宇CMOS襯層之上，并置于兩電極之間，使用金屬互連并鈍化后完成鐵電制造過程。FM1808外部引腳FRAM產(chǎn)品有兩種基本形式，一種是并行結(jié)構(gòu)，一種是申行結(jié)構(gòu)。并行結(jié)構(gòu)的FRAM與容量相同的sram芯片引腳兼容，串行結(jié)構(gòu)的FRAM與同容量的串行EEPROM引腳兼容。

1.非易失性：掉電后數(shù)據(jù)能保存10年，所有產(chǎn)品都是工業(yè)級

2.擦寫次數(shù)多5V供電的FRAM的擦寫次數(shù)100億次低電壓的FRAM的擦寫次數(shù)為1億億次

3.速度快串口總線的FRAM的CLK的頻率高達(dá)20M并且沒有10MS的寫的等待周期并口的訪問速度70NS

4.功耗低靜態(tài)電流小于10UA讀寫電流小于150UA.

磁性隨機(jī)存儲器（MRAM）

MRAM工作的基本原理與硬盤驅(qū)動器類似，與在硬盤上存儲數(shù)據(jù)一樣，數(shù)據(jù)以磁性的方商為依據(jù)，存儲為0或1。它存儲的數(shù)據(jù)具有永久性，直到被外界的磁場影響，才會改變這個(gè)磁性數(shù)據(jù)。因?yàn)檫\(yùn)用磁性薦儲數(shù)據(jù)，所以MRAM在容童成本上有了很大的降低。但是MRAM的磁介質(zhì)與硬盤有著很大的不同。它的磁密度要大得多，也相當(dāng)薄，因此產(chǎn)生的自感和阻尼要少得多，這也是MRAM速度天天快于硬盤的重要原因。當(dāng)進(jìn)行讀寫操作時(shí)，MRAM中的磁極方問控制單元會使用相反的磁力方向，以使數(shù)據(jù)流水線能同時(shí)進(jìn)行讀寫操作，不延誤時(shí)間。

與面前流行的DDR或是RDRAM相比，MRAM的優(yōu)勢依然明顯。除了非易失性外，僅在速度、功耗和體積上，MRAM也有較大的優(yōu)勢。256KB MRAM的通用存儲器芯片，其結(jié)構(gòu)是16KB×16，讀寫周期小于50ns，在3伏特電壓下讀功耗為24mW。隨著技術(shù)的不斷革新，芯片存儲能力將進(jìn)一步提升，而讀寫周期將控制在10ns以內(nèi)，功耗將小于8mW。

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