使用STM32H723ZG通過FMC操作外部SDRAM W9825G6KH時, 數(shù)據(jù)寬度16bit, 總線頻率108M, FMC操作時序如圖
SDRAM CAS值為2,從0XC0000000到
2024-03-11 06:40:14
智能存儲系統(tǒng)（IntelligentStorageSystem）是一種先進(jìn)的數(shù)據(jù)存儲解決方案，它結(jié)合了硬件、軟件和自動化管理功能，以實現(xiàn)對數(shù)據(jù)存儲的高度優(yōu)化、高效能、高可用性和可擴(kuò)展性。是針對現(xiàn)代
2024-03-05 13:53:17
80 
TC364 微控制器是否支持外部存儲器？
根據(jù)我的閱讀，外部總線接口用于外部存儲器。 在該微控制器的數(shù)據(jù)手冊中，我看到外部總線為 0。
2024-03-04 06:13:37
我正在開發(fā)一個使用 LoRa模塊的物聯(lián)網(wǎng)項目， 但我發(fā)現(xiàn) LoRa 模塊的功耗比較高， 這可能會導(dǎo)致電池消耗得很快.我正在尋找一些建議來幫助我降低 LoRa 模塊的功耗以延長電池壽命.我已經(jīng)考慮了
2024-03-01 07:38:34
TUSB564），MCU 需要知道 USB-C 電纜何時翻轉(zhuǎn)，才能直接翻轉(zhuǎn) DP 接收端的通道極性。
CYPD3120 上是否有允許從外部 MCU 訪問讀/寫寄存器的可訪問接口？ 我在 CYPD3125
2024-02-23 06:18:30
顯然不符合安全標(biāo)準(zhǔn)。
那么，如標(biāo)題所示，CysecureTools應(yīng)該如何直接訪問外部存儲設(shè)備內(nèi)的密鑰呢？\"
2024-01-31 08:08:20
外部中斷的工作原理是單片機響應(yīng)外部事件的一種機制** **。
2024-01-28 17:37:50974 大家在做MCU系統(tǒng)開發(fā)的時候，是否也碰到過降低MCU系統(tǒng)功耗的需求？
2024-01-18 09:54:01353 
我在使用外部晶振時進(jìn)入NAP模式，出現(xiàn)這個問題，現(xiàn)在怎么也訪問不了內(nèi)核，我的是ADUC7020新手求教!
2024-01-12 08:26:00
。 SDRAM是一種集成電路存儲器，可以通過同步鐘信號進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫。與傳統(tǒng)的靜態(tài)隨機存儲器（SRAM）相比，SDRAM具有更高的存儲密度和更低的成本。擴(kuò)展SDRAM接口使得微控制器能夠使用外部
2024-01-04 14:09:23339 在嵌入式系統(tǒng)中，外部晶振（External Crystal Oscillator）是一個重要的組件，用于為微控制器（MCU）提供準(zhǔn)確的時鐘信號。STM32是一系列
2024-01-04 09:33:40477 周末花了一點時間，整理了Gartner最新發(fā)布的外部存儲23Q3的市場數(shù)據(jù)，現(xiàn)在把我分析的結(jié)果分享給大家。
2023-12-26 14:12:38915 
：在配置外部接口時，安全性是一個重要的考慮因素。需要確保接口的傳輸數(shù)據(jù)的機密性和完整性，防止數(shù)據(jù)被篡改、泄露或未經(jīng)授權(quán)的訪問。可以采用加密技術(shù)、身份認(rèn)證、訪問控制等方法來提高接口的安全性。 可用性：一個穩(wěn)定可
2023-12-15 15:46:58203 STM32使用內(nèi)部晶振還是外部晶振？ 在設(shè)計和開發(fā)STM32應(yīng)用時，有兩種主要的時鐘源選擇可供選擇：內(nèi)部晶振和外部晶振。 內(nèi)部晶振是集成在STM32芯片中的一個振蕩器，它為芯片提供時鐘信號。與之相比
2023-12-15 14:14:192011 無端子外部接線是指什么？和有端子外部接線區(qū)別在哪里？ 無端子外部接線指的是在電路中，兩條導(dǎo)線直接連接在一起，而沒有連接到任何的端子或插座上。這種接線方法通常被用于臨時的測試、調(diào)試工作或者是在沒有合適
2023-12-09 14:15:141853 visualanalog 怎么導(dǎo)入外部采集存儲下來的數(shù)據(jù)，txt格式、ecxel、二進(jìn)制之類的
2023-12-08 06:58:34
整套存儲設(shè)計需要解決的核心問題是——如何在OLTP存儲系統(tǒng)中支持OLAP workflow？OLAP workflow在OLTP存儲系統(tǒng)上帶來的兩個最主要的問題是：嚴(yán)重的IO放大率、存算耦合。
2023-12-05 16:00:58212 
一般PLC的故障主要是由外部故障或內(nèi)部錯誤造成。外部故障是由外部傳感器或執(zhí)行機構(gòu)故障等引發(fā)PLC產(chǎn)生故障，可能會使整個系統(tǒng)停機，甚至燒壞PLC。
2023-11-19 11:28:55287 
為何外部磁通量會影響射頻信號？ 外部磁通量是指在射頻信號傳輸中，由外部磁場引起的磁通量。它可能會對射頻信號產(chǎn)生各種影響，包括信號質(zhì)量的下降、通信質(zhì)量的降低以及設(shè)備損壞等。 首先，外部磁通量會引起信號
2023-11-17 14:35:45453 請問外部噪聲引入目標(biāo)系統(tǒng)的途徑和抑制方法有哪些？ 外部噪聲是指來自于環(huán)境或設(shè)備的不希望信號干擾，導(dǎo)致目標(biāo)系統(tǒng)輸出的信號出現(xiàn)失真或其他問題。為了解決這個問題，我們首先需要了解外部噪聲引入目標(biāo)系統(tǒng)的途徑
2023-11-09 15:53:41174 如何降低放大器器件的內(nèi)部噪聲以及削弱外部噪聲？ 降低放大器器件的內(nèi)部噪聲以及削弱外部噪聲是放大器設(shè)計中非常重要的一部分。噪聲在電路中被視為不可避免的，它來自于各種源頭，包括電源，器件本身以及環(huán)境
2023-11-09 09:50:42257 問題：一直進(jìn)入中斷，沒有觸發(fā)信號，也一直進(jìn)入。描述：開PA0為外部中斷，剛剛很好，一個觸發(fā)信號一個中斷，中斷函數(shù)沒有丟，也沒有搶跑，開PA1為外部中斷也是，都很好，只要能開到3個外部中斷以上，就會
2023-11-08 08:00:52455 
本文介紹了STM32基于標(biāo)準(zhǔn)外設(shè)庫的外部中斷配置，以及基于參考手冊如何更加寄存器配置外部中斷
2023-11-02 14:13:06746 
正在看這篇文章的您如果家里有淘汰的舊電腦，先別著急回收只要還有硬盤在，本文免費教您利用TrueNAS搭建NAS存儲系統(tǒng)實現(xiàn)海量數(shù)據(jù)免費存儲與輕松訪問1前期準(zhǔn)備我們的目的是讓設(shè)備物盡其用，將舊電腦做成
2023-11-02 08:09:031803 
外部中斷是單片機實時地處理外部事件的一種內(nèi)部機制。當(dāng)外部事件發(fā)生時，單片機的中斷系統(tǒng)將迫使CPU暫停正在執(zhí)行的程序，轉(zhuǎn)而去進(jìn)行中斷事件的處理，中斷完畢后返回被中斷的程序處，繼續(xù)執(zhí)行下去。
2023-10-31 15:58:58805 
激光干涉儀檢測機床的方法（以線性檢測為例）1.進(jìn)行線性測量的一般步驟 （1）安裝設(shè)置激光干涉儀 （2）將激光束與被測量的軸校準(zhǔn) （3）啟動測量軟件，并輸入相關(guān)參數(shù)（如
2023-10-27 15:21:15
STM32如何配置外部中斷？STM32外部中斷配置步驟? 作為一款現(xiàn)代化的微控制器，STM32系列芯片在各種應(yīng)用場合中廣泛應(yīng)用。其中最常見的應(yīng)用是外部中斷。本文將詳細(xì)介紹如何在STM32中配置外部
2023-10-26 17:47:251685 大家有誰知道AT89C52怎么選擇外部存儲器，我之前用的是P89V51，選擇外部存儲器是定義AUXR=0x02;，但是現(xiàn)在想用AT89C52單片了，程序該怎么改了??？？AT89C52手??冊上找不到怎么選擇外部存儲器說明，各位高手有誰知道啊 ？?
2023-10-26 06:11:25
AT32外部中斷/事件EXINT使用指南介紹AT32 系列MCU 的EXINT 功能及其固件驅(qū)動程序API，并對BSP 例程的軟件設(shè)計加以說明，同時演示使用方法并展示實驗效果，供用戶參考。
2023-10-25 06:25:42
STM32 的每個 IO 都可以作為外部中斷的中斷輸入口。STM32F103 的中斷控制器支持 19 個外部中斷/事件請求。
2023-10-24 14:12:42585 
AT32 SPIM Application Note描述了怎么使用AT32 MCU的SPIM作為外部存儲器的擴(kuò)展功能。
2023-10-24 08:03:56
運放內(nèi)部如何降低偏置電流？運放外部如何補償偏置電流造成的影響？ 一、運放內(nèi)部如何降低偏置電流？ 偏置電流是指運放輸入端的偏流，它經(jīng)常會引起許多問題，例如輸入錯誤、輸出偏移、溫漂等。因此，在設(shè)計電路
2023-10-23 10:24:06882 可以做哪些措施來降低功耗
2023-10-23 07:51:09
。在數(shù)據(jù)建模分析中，數(shù)據(jù)存儲的壓力會隨之增長，存儲系統(tǒng)往往需具備PB級的擴(kuò)展能力和極高的讀寫性能，這對存儲系統(tǒng)穩(wěn)定性、可靠性和訪問帶寬都提出了嚴(yán)苛要求。 為應(yīng)對石油勘探面臨的挑戰(zhàn)，中科曙光推出石油私有云方案。通過
2023-10-21 09:25:50583 外部ram可以用xdata讀寫，現(xiàn)在要讀取外部rom數(shù)據(jù)請問在程序里怎么寫，比如我要讀取外部rom地址0上的數(shù)據(jù)怎么操作，是并行的rom，硬件訪問方法
2023-10-20 07:37:22
如何降低設(shè)備功耗，降低采集設(shè)備功耗的幾種方法 工程監(jiān)測傳感器 以下是降低數(shù)采設(shè)備功耗的一些方法： 優(yōu)化硬件設(shè)計：通過選擇低功耗的芯片、使用更高效的轉(zhuǎn)換器、減少功率損耗等方式來優(yōu)化硬件設(shè)計，從而降低功耗
2023-10-11 09:29:00511 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用大容量STM32F10xxx的FSMC驅(qū)動外部的存儲器.pdf》資料免費下載
2023-09-21 10:03:50
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《在SAM E70/S70/V70/V71 MCU上使用外部存儲器.pdf》資料免費下載
2023-09-19 15:16:020 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用PUF的外部安全存儲應(yīng)用說明.pdf》資料免費下載
2023-09-13 15:38:470 NAND FLASH是一種非易失性隨機訪問存儲介質(zhì)， 基于浮柵(Floating Gate)晶體管設(shè)計,通過浮柵來鎖存電荷，電荷被儲
存在浮柵中，在無電源供應(yīng)的情況下數(shù)據(jù)仍然可以保持。相對于HDD,具有讀寫速度快、訪問時延低等特點。
2023-09-11 14:48:23269 
4個Banks連接外部存儲器? 對外部存儲器的最高訪問頻率可達(dá)100MHz （ HCLK = 200MHz）? 每個Bank都有獨立的片選控制? 每個Bank都可以獨立進(jìn)行配置? 可編程的時序可以支持更多的存儲器件? 8/16/32 位數(shù)據(jù)總線? 外部異步等待控制? SDRAM地址映射接口
2023-09-11 08:01:47
? 4個Banks連接外部存儲器? 對外部存儲器的最高訪問頻率可達(dá)100MHz （ HCLK = 200MHz）? 每個Bank都有獨立的片選控制? 每個Bank都可以獨立進(jìn)行配置? 可編程的時序可以支持更多的存儲器件? 8/16/32 位數(shù)據(jù)總線? 外部異步等待控制? SDRAM地址映射接口
2023-09-06 07:42:44
: NuMaker-M252SD V1.1, SPI Flash W25Q32
本樣本代碼使用 SPI 和 PDMA 訪問外部 SPI Flash W25Q32。 首先, 用戶讀取 SPI Flash
2023-08-29 08:10:45
應(yīng)用程序: 此示例使用 M487 SPIM 接口訪問 DMM 模式的外部 SRAM 。
BSP 版本: M480_BSP_CMSIS_V3.05.001
硬件: NuMaker-PFM-M487
2023-08-29 07:42:17
樣本代碼顯示在外部 Winbond W25N02JW SPI NAND Flash 中訪問文件。 文件系統(tǒng)為 FAT32。 用戶可以將數(shù)據(jù)存儲在 SPI NAND Flash 中作為數(shù)據(jù)記錄器
2023-08-29 07:21:07
要為ABB機器人添加外部軸（導(dǎo)軌），很多同學(xué)都覺得一臉懵逼，那么如果遇到要添加外部軸（導(dǎo)軌）的情況，我們應(yīng)該怎們做？
2023-08-24 14:48:21862 
V3.00.001.001
硬件:NuMaker-M032KG VER1.0
本樣本代碼使用外部編碼 NAU88L25 播放存儲在外部 SPI Flash W25Q32 中的 WAV 文件。 首先, 用戶需要先用文件系統(tǒng)將
2023-08-22 07:17:51
執(zhí)行下去。這里我們以Nuclei Board Labs中exti_key_interrupt應(yīng)用程序為例，簡單講解外部中斷的非向量處理模式。
系統(tǒng)環(huán)境
Windows 10-64bit
軟件平臺
2023-08-16 07:40:17
STM32 單片機是一款高性能、低功耗的 32 位微控制器，具有強大的計算能力、靈活的外設(shè)模塊以及優(yōu)秀的擴(kuò)展性，開發(fā)周期短、成本低。在單片機應(yīng)用中，外部中斷是一種重要的硬件觸發(fā)方式，本文將對 STM32 單片機的外部中斷進(jìn)行簡介，并給出詳細(xì)的配置過程。
2023-08-15 18:21:051875 企業(yè)存儲系統(tǒng)需要具備高可用性和容錯能力，保證數(shù)據(jù)安全和可靠性。其次，存儲系統(tǒng)需要支持多種協(xié)議和文件格式，滿足不同應(yīng)用場景的需求。此外，存儲系統(tǒng)還需要支持?jǐn)?shù)據(jù)備份和恢復(fù)、快照和克隆等高級功能，提高數(shù)據(jù)管理和保護(hù)的效率。
2023-08-14 14:46:38284 
解析器下安裝外部庫。步驟一在TSMaster工具->系統(tǒng)信息->python環(huán)境設(shè)置中選擇打開解析器路徑；步驟二在該文件路徑中輸入cmd,打開命令行；步驟三在這個路徑
2023-08-14 10:06:42631 
SDRAM全稱Synchronous Dynamic RAM，同步動態(tài)隨機存儲器。首先，它是RAM，即隨機存儲器的一種。
2023-08-08 15:10:46896 
，允許用戶在高性能和高代碼密度之間進(jìn)行權(quán)衡。ARM9TDMI支持ARM調(diào)試架構(gòu)，并包括輔助硬件和軟件調(diào)試的邏輯。ARM9TDMI支持與外部存儲系統(tǒng)的雙向和單向連接。ARM9TDMI還包括對協(xié)處理器
2023-08-02 06:37:43
外部中斷和事件控制器 (EXTI) 管理外部和內(nèi)部異步事件 / 中斷，并生成相應(yīng)的事件請求到CPU/ 中斷控制器和到電源管理的喚醒請求。本例程主要講解如何使用外部中斷觸發(fā)LED。
2023-07-26 14:33:23898 
14 外部總線 RA6器件包括一個外部總線控制器。某些RA6器件具有內(nèi)置的SDRAM控制器。 14.1 總線寬度和多路復(fù)用 外部存儲區(qū)的訪問寬度可以設(shè)置為8位或16位。通過將CSnCR寄存器或SDC
2023-07-14 12:10:05290 
處理器的外部中斷主要用于捕抓外部輸入的高低電平。本篇文章將介紹DSP28335的外部中斷的使用。
2023-07-07 16:41:042205 
介紹STM32F407外部中斷配置步驟，以按鍵為例，實現(xiàn)外部中斷配置，使用按鍵觸發(fā)中斷進(jìn)行LED燈控制。
2023-07-06 14:31:25956 
8 存儲器 8.5 外部存儲器 RA6 MCU包含用于連接到外部存儲器和器件的外部數(shù)據(jù)總線。某些產(chǎn)品還包括一個內(nèi)置的SDRAM控制器，可通過該控制器使用最高達(dá)128MB的外部SDRAM。八個可編程
2023-06-28 12:10:02348 
電池到系統(tǒng)（BAT-to-SYS）連接阻抗至關(guān)重要，它通過減少裕量和功耗來影響電池運行時間。外部調(diào)整管可將阻抗降低 50% 以上。本應(yīng)用筆記給出了MAX8662電源管理IC的智能電源選擇器功能，可驅(qū)動外部MOSFET，以降低開關(guān)電阻和功耗。顯示性能數(shù)據(jù)。
2023-06-25 14:26:07245 
上篇文章我們從內(nèi)核工程師的角度剖析了內(nèi)核的外部中斷，這節(jié)我們從BSP工程師的角度剖析一下外部中斷。
2023-06-23 15:19:00256 
的方式訪問輸入引腳，還可以通過另外一種叫做外部中斷的方式來對引腳的輸入信號進(jìn)行檢測，本篇首先介紹下EXTI的結(jié)構(gòu)，接著介紹外部中斷的相關(guān)概念，對STM32的IO外部中斷EXTI有個初步的了解，在此基礎(chǔ)上重點圍繞IO外部中斷EXTI的使用展開分析。 圖1 外部中
2023-06-22 10:21:001102 
該控制器訪問連接到外部存儲器總線的SDRAM器件。程序和數(shù)據(jù)存儲器共用地址空間；使用單獨的總線分別訪問這兩個存儲器，從而提高性能并允許在同一個周期訪問程序和數(shù)據(jù)。存儲器映射中包含片上RAM、外設(shè)
2023-06-21 12:15:03421 
N76E003A怎么用IO口存儲到外部EEPROM求教
2023-06-20 08:00:11
STC15W408AS單片機有4個外部中斷，它們分別是：外部中斷0(INT0)、外部中斷1(INT1)、外部中斷2(INT2)、外部中斷3(INT3)。
2023-06-16 09:40:131705 
NuMicro? M05xxBN/DN/DE 系列配備一個外部總線接口 (EBI) , 用來訪問外部設(shè)備.
為節(jié)省外部設(shè)備與芯片的連接引腳數(shù)， EBI支持地址總線與數(shù)據(jù)總線復(fù)用模式. 且地址鎖存使能
2023-06-16 06:41:36
摘要 : 要降低USB通信的輻射發(fā)射，可以采取以下幾種方法： USB線纜選擇：選擇優(yōu)質(zhì)的屏蔽USB線纜，具有良好的屏蔽效果和抗干擾性能。屏蔽USB線纜可以減少外部干擾信號對通信線路的影響，并降低
2023-06-14 09:30:14
我們正在破壞 RT1170 evkit 上的一些性能測試，我們正在使用 dev_msc_ramdisk_bm_cm7 示例。由于存儲緩沖區(qū)受內(nèi)部 DTCM 大小的限制，我們希望將其移動到外部 SDRAM 上。我們找不到一種簡單的方法來做到這一點。任何人都可以幫助我們嗎？
2023-06-12 07:51:04
視頻圖形顯示系統(tǒng)理想的架構(gòu)選擇。視頻處理和圖形生成需要存儲海量數(shù)據(jù)，F(xiàn)PGA內(nèi)部的存儲資源無法滿足存儲需求，因此需要配置外部存儲器。 ??? 與DDR2 SDRAM相比，DDR3 SDRAM帶寬更好高、傳輸速率更快且更省電，能夠滿足吞吐量大、功耗低的需求，因此
2023-06-08 03:35:011024 （Flexible Memory Controller）模塊，將SRAM地址范圍映射到外部地址線上，然后通過外部總線訪問SRAM，實現(xiàn)對該區(qū)域的訪問。需要注意的是，還需要在代碼中正確配置FMC控制器和外部存儲器的類型、時序等參數(shù)，才能保證數(shù)據(jù)的正確讀寫。
2023-06-01 18:18:45382 第一步：現(xiàn)在STM32CubeMx 中配置所需要IO口外部中斷模式。
2023-05-31 15:32:382630 
我們在定制板上使用 imxrt1064，我們有一個外部閃存連接 flexspi1。
對于我們的項目，我們需要在外部閃存上存儲 lvgl 圖像和字體，因為片上閃存 (4MB) 的大小不夠
我們正在使用具有外部存儲選項的 gui guider 1.5.1 我們?nèi)绾问褂盟鼇碜x取和寫入外部閃存中的圖像
2023-05-30 07:50:00
Android`設(shè)備支持外部存儲，比如`SD`卡等，保存在外部存儲的數(shù)據(jù)具有全局可讀性，可供在其他設(shè)備比如電腦上閱讀，修改等。使用外部存儲需要獲取外部存儲的訪問權(quán)限`
2023-05-26 11:32:53684 
Android中根據(jù)數(shù)據(jù)是否為應(yīng)用私有、是否需要給外部應(yīng)用暴露以及數(shù)據(jù)的大小可以有以下幾種選擇：
* Shared Preferences
* 內(nèi)部存儲
* 外部存儲
* 本地數(shù)據(jù)庫存儲
* 通過網(wǎng)絡(luò)在服務(wù)器端數(shù)據(jù)庫存儲
2023-05-26 11:30:29951 
Android 11對應(yīng)的API為30，從這個版本起要想對外部存儲進(jìn)行寫入操作的話需要比以往的操作多幾個步驟，這里簡單歸納下，具體的原因我就不多話了，具體步驟如下以供參考
2023-05-26 11:29:345842 
主存儲器的主要技術(shù)指標(biāo)
* **存儲容量**
存儲器可以容納的二進(jìn)制信息量（尋址空間，由CPU的地址線決定）
* **實際存儲容量：** 在計算機系統(tǒng)中具體配置了多少內(nèi)存。
* **存取速度：** 存取時間是指從啟動一次存儲器操作到完成該操作所經(jīng)歷的時間，也稱為讀寫周期；
2023-05-26 11:28:10822 
磁表面存儲器——磁表面存儲器，它們都是利用涂敷在載體表面薄層磁性材料來記錄信息的，載體和表面磁性材料統(tǒng)稱為記錄介質(zhì)。
存儲密度——磁表面存儲器單位長度或單位面積磁層表面所能存儲的二進(jìn)制信息量
2023-05-26 11:27:061409 A-Core 并從頭開始啟動操作系統(tǒng) (Linux)。
這是 IMX93 的有效場景嗎？我能找到的所有低功耗場景都無法處理 A-Core 的完整低功耗場景。
目標(biāo)是盡可能降低功耗。A-Core OS
2023-05-24 12:10:58
你能給我關(guān)于在 mpc5777C 中使用外部中斷的應(yīng)用說明或示例嗎？
謝謝。
2023-05-09 06:29:56
我有一個 LPC54608 的大項目，因此，SPIFI 閃存和外部 SDRAM 必須連接到 LPC54608。
通過閱讀論壇帖子和 MCUXpressu UM，我設(shè)法將部分項目存儲在外部閃存中，但
2023-05-06 08:47:13
我想將 i.MX RT1024 與外部 64MB SDRAM 一起使用。根據(jù)數(shù)據(jù)表，它支持 8/16 位 SDRAM 外部存儲器接口。從性能的角度來看，哪種模式更好？如何？如果有任何鏈接/參考可以通過此詳細(xì)信息，請告訴我。謝謝
2023-05-05 11:17:30
有人會認(rèn)為設(shè)計一個基于NAND的存儲系統(tǒng)是相當(dāng)簡單的。然而，這是一個極其復(fù)雜的過程，在此過程中需要進(jìn)行一系列組件和權(quán)衡。沒有一種適合所有解決方案的解決方案，尤其是在設(shè)計工業(yè)解決方案時。
2023-05-04 11:01:11874 我們想在我們的一個物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用項目中使用 MIMXRT1176DVMAA。為此，我們不需要外部 SDRAM。所以，我們想在沒有 SDRAM 的情況下運行這個控制器。
根據(jù)數(shù)據(jù)表，該控制器具有內(nèi)部 2MB SDRAM，因此我們要使用它。
你能證實這一點嗎？
2023-05-04 08:12:41
外部閃存定義編程程序EFE R32C/100系列的附加軟件包 發(fā)布說明
2023-04-17 19:29:570 在之前針對STM32的GPIO相關(guān)API函數(shù)及配置使用進(jìn)行了詳細(xì)的介紹，GPIO作為輸入引腳時，調(diào)用相關(guān)讀信號引腳函數(shù)接口就可以在程序的循環(huán)中，輪詢的對輸入信號進(jìn)行讀取檢測操作，除了輪詢的方式訪問
2023-04-14 10:51:531337 SDRAM英文名是：Synchronous Dynamic Random Access Memory，即同步動態(tài)隨機存儲器，同步指存儲器的工作需要參考時鐘。
2023-04-04 17:11:323330 
C2000系列芯片在數(shù)字電源和電機控制中有著廣泛的應(yīng)用，在這些應(yīng)用中，過流過壓保護(hù)是必不可少的。傳統(tǒng)的方法是使用外部比較器，但是會存在濾波電路不好設(shè)計，不同版本需要不同的BOM來提供不同的保護(hù)
2023-04-03 10:56:35605 
我有以下與智能外部存儲控制器相關(guān)的問題。Q1：為什么我們沒有使用 SRAM 的 BA0 和 BA1，如下所示 (SEMC_SRAM_Q1_Pic.png)。?Q2：“ADV#”、“ALE”和“DCX
2023-03-29 08:09:01
C2000系列芯片在數(shù)字電源和電機控制中有著廣泛的應(yīng)用，在這些應(yīng)用中，過流過壓保護(hù)是必不可少的。傳統(tǒng)的方法是使用外部比較器，但是會存在濾波電路不好設(shè)計，不同版本需要不同的BOM來提供不同的保護(hù)
2023-03-27 09:37:39554 
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