我有一個(gè) CYUSB3KIT-003。 我需要集成一個(gè) NOR 閃存，我可以從中將固件讀取到 RAM，然后 NOR 閃存的一部分內(nèi)存應(yīng)該EVAL_2K4W_ACT_BRD_S7作為大容量存儲(chǔ)設(shè)備。
我應(yīng)該采取什么方法？
2024-03-05 07:23:50
芯片燒錄行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者-昂科技術(shù)近日發(fā)布最新的燒錄軟件更新及新增支持的芯片型號(hào)列表，其中Macronix旺宏電子的256Mb位串行NOR閃存MX25L25673GM已經(jīng)被昂科的通用燒錄平臺(tái)AP8000所支持。
2024-03-01 19:19:30
59 
; 沒有這樣的文件或目錄\"。
似乎串行閃存庫尚未設(shè)置。在庫管理器1.0下，而我使用的是庫管理器2.0，在管理器2.0下找不到串行閃存庫。
在此先謝謝。
2024-01-24 07:09:52
NOR Flash是一種基于NOR門結(jié)構(gòu)的閃存，NOR是邏輯門電路中的“或非”門。NOR Flash具有并行訪問結(jié)構(gòu)，這意味著每個(gè)存儲(chǔ)單元都有一個(gè)地址，可以直接訪問任何存儲(chǔ)單元，這使NOR Flash具有快速的隨機(jī)訪問能力，適用于執(zhí)行代碼和讀取關(guān)鍵數(shù)據(jù)。
2023-12-27 14:37:05293 Nor Flash采用NOR門結(jié)構(gòu)，其中每個(gè)存儲(chǔ)單元都有不同的地址用于直接訪問。這種并行訪問功能可以實(shí)現(xiàn)高效的隨機(jī)訪問和快速的數(shù)據(jù)檢索。
2023-12-05 15:21:59363 選擇Nor Flash作為存儲(chǔ)解決方案的一個(gè)主要原因就是Nor Flash的并行訪問結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)快速讀取速度和低讀取延遲。
2023-12-05 14:32:31275 閃存編程也不涉及將數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)單元，為確保準(zhǔn)確編程，Nor Flash 支持字節(jié)級編程，允許寫入或修改單個(gè)字節(jié)，而無需擦除整個(gè)塊。
2023-12-05 14:03:22390 Nor Flash是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和代碼。它是一種閃存存儲(chǔ)器，類似于NAND Flash，但具有不同的特性和應(yīng)用場景。
2023-12-05 13:57:37837 NOR FLASH是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，對計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)具有重大影響，閃存其獨(dú)特的特性和功能影響著計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)系統(tǒng)的各個(gè)方面
2023-12-05 10:32:31332 NAND Flash和NOR Flash是兩種常見的閃存類型。
2023-11-30 13:53:20734 
閃速存儲(chǔ)器 （Flash Memory）簡稱閃存器或閃存，是一種非易失性存儲(chǔ)器(Non-volatile Memory， NVM)。目前常用的兩種閃存器是或非閃存器 (NOR Flash）和與非閃存
2023-11-23 09:36:17911 
地解釋它們之間的差異。 1. FLASH存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu) NOR Flash和NAND Flash的主要區(qū)別在于它們的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)。 NOR Flash 的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)
2023-10-29 16:32:58646 i.MX RT500/600系列上串行NOR Flash雙程序可交替啟動(dòng)設(shè)計(jì)
2023-10-27 09:36:12236 
目前，NOR FLASH和NAND FLASH是市場上主要的非易失性閃存技術(shù)，但是據(jù)我了解，還是有很多工程師分不清NAND FLASH與NOR FLASH。
2023-10-01 14:05:00471 
恩智浦i.MX RT1060/1010上串行NOR Flash冗余程序啟動(dòng)設(shè)計(jì)
2023-09-26 16:53:52364 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用STARTUPE3對并行NOR閃存進(jìn)行配置后訪問的UltraScale FPGA應(yīng)用說明.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-14 15:18:20
1 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《將SPI閃存與7系列FPGA結(jié)合使用.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-13 10:00:230 NAND Flash 和NOR Flash 的差別在哪兒呢？從字面意思上看， NAND = not AND(與非)，NOR = not OR(或非)，也有可能是NMOS AND/OR。同為非揮發(fā)
2023-09-11 16:59:231905 
引言：串行Nor Flash是一類使用比較多的存儲(chǔ)器件，在特殊應(yīng)用場景中具有不可替代的地位，本節(jié)是數(shù)字存儲(chǔ)器件系列第一節(jié)，介紹串行Nor Flash的結(jié)構(gòu)和參數(shù)特性。
2023-09-05 10:09:341666 
nuc980程序是放在spi nor或者nand上的，請問是否有加密的辦法？有什么方案？
2023-09-04 08:12:38
點(diǎn)擊上方 藍(lán)字 關(guān)注我們 NOR閃存已作為FPGA（現(xiàn)場可編程門列陣）的配置器件被廣泛部署。其為FPGA帶來的低延遲和高數(shù)據(jù)吞吐量特性使得FPGA在工業(yè)、通信和汽車ADAS（高級駕駛輔助系統(tǒng)
2023-08-15 13:55:02330 
并行（ISA）Nor Flash有5V、3V和1.8V三種不同的供電體系，容量從2Mb-1Gb，具有x8、x16可選配置的引導(dǎo)和統(tǒng)一扇區(qū)架構(gòu)。Parallel Nor Flash具有高性能、低功耗、高耐久性、高可靠性的特點(diǎn)。
2023-08-11 15:47:151091 
）接口提高了系統(tǒng)性能，簡化了設(shè)計(jì)，并降低了系統(tǒng)成本。Serial Nor Flash的最新八進(jìn)制系列產(chǎn)品包括：八進(jìn)制（xSPI）Flash、八進(jìn)制RAM和八進(jìn)制MCP。OctaBus Memory將閃存和RAM存儲(chǔ)器集成到同一數(shù)據(jù)I/O總線中，將引腳數(shù)量減少到12個(gè)。
2023-08-11 15:45:32899 
引言：串行Nor Flash是一類使用比較多的存儲(chǔ)器件，在特殊應(yīng)用場景中具有不可替代的地位，本節(jié)是數(shù)字存儲(chǔ)器件系列第一節(jié)，介紹串行Nor Flash的結(jié)構(gòu)和參數(shù)特性。
2023-08-11 15:44:221074 
制造商: Winbond 產(chǎn)品種類: NOR閃存
2023-08-04 12:46:29
聚辰半導(dǎo)體推出SPI NOR Flash產(chǎn)品，可以覆蓋從消費(fèi)級，到工業(yè)級，直至汽車級的所有應(yīng)用，產(chǎn)品在可靠性，功耗，溫度和速度等關(guān)鍵性能指標(biāo)方面達(dá)到國內(nèi)外前沿水準(zhǔn)。
2023-07-31 16:34:01339 藍(lán)牙耳機(jī)大量出貨的推動(dòng)下，NOR?Flash帶來了巨大的商機(jī)。 ? ? ??TWS藍(lán)牙耳機(jī)必須配備NOR?Flash，因?yàn)樗懈嗟墓δ堋榱舜鎯?chǔ)大量的固件和代碼程序，需要外擴(kuò)一個(gè)SPI?NOR?Flash。隨著TWS藍(lán)牙耳機(jī)功能的進(jìn)一步增加，它需要更多的存儲(chǔ)容量。以Android手機(jī)TWS藍(lán)牙耳機(jī)
2023-07-31 14:33:10460 SPI NOR Flash可存儲(chǔ)配置和校準(zhǔn)數(shù)據(jù)，滿足車載應(yīng)用對參數(shù)存儲(chǔ)的各種需求，具有高可靠性；低失效率；擦寫次數(shù)最高可達(dá)400萬次以上；溫度適應(yīng)能力強(qiáng)；數(shù)據(jù)可存儲(chǔ)100年等特點(diǎn)。可以覆蓋從消費(fèi)級，到工業(yè)級，直至汽車級的所有應(yīng)用，產(chǎn)品在可靠性，功耗，溫度和速度等關(guān)鍵性能指標(biāo)方面達(dá)到國內(nèi)外前沿水準(zhǔn)。
2023-07-07 16:58:17332 SPI NOR Flash車規(guī)等級125℃，可以很好地滿足車載市場需求。產(chǎn)品主要應(yīng)用于車載攝像頭、液晶顯示、娛樂系統(tǒng)等外圍部件，并逐漸延伸到新能源車三電系統(tǒng)、車身控制、底盤傳動(dòng)及微電機(jī)、智能座艙等核心部件。
2023-06-20 17:03:53228 nuc980程序是放在spi nor或者nand上的！請問是否有加密的辦法？有什么方案？
2023-06-13 07:50:27
Flash閃存是一種存儲(chǔ)器,主要用于一般性程序存儲(chǔ)，以及電腦與其他數(shù)字產(chǎn)品間交換傳輸數(shù)據(jù)。根據(jù)內(nèi)部存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)不同,Flash主要有兩種，NOR Flash和NAND Flash。
2023-06-12 17:08:26468 內(nèi)存和NOR型閃存的基本存儲(chǔ)單元是bit，用戶可以隨機(jī)訪問任何一個(gè)bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲(chǔ)單元是頁（Page）（可以看到，NAND型閃存的頁就類似硬盤的扇區(qū)，硬盤的一個(gè)扇區(qū)也為512
2023-06-10 17:21:001982 我們知道外部串行NOR Flash是接到i.MXRT的FlexSPI外設(shè)引腳上，有時(shí)串行NOR Flash啟動(dòng)也叫FlexSPI NOR啟動(dòng)。
2023-06-02 17:43:28928 
你好
我們想將 Winbond QSPI Flash 與 iMXRT685 一起使用。(FlexSPI)
上面的閃存部件 W25X40CLSNIG 是否兼容 iMXRT685 FlexSPI 閃存？
RT685: MIMXRT685SFVKB
SPI-NORFlash：W25X40CLSNIG（華邦）
2023-06-01 09:03:36
我需要為生產(chǎn)目的對 ESP8285 IC 進(jìn)行閃存編程。我正在尋找可以在 3 秒內(nèi)完成此操作的 SPI 閃存編程器，而不是通常需要 24 秒/芯片的串行方法。
有人知道嗎？
2023-05-31 10:11:19
我只是在思考未來的項(xiàng)目想法，我想知道是否有可能只對外部閃存 IC 使用正常的 SPI 模式（它只需要兩個(gè)引腳用于數(shù)據(jù)傳輸，而不是像往常一樣的四個(gè) Quad-SPI 閃存 IC )?
這樣做的好處是可以在軟件中使用兩個(gè)以上的 GPIO。一個(gè)缺點(diǎn)可能是由于與外部閃存的接口較慢而需要引入更多的等待狀態(tài)。
2023-05-30 06:30:10
0x200000
#mtd_debug 讀取/dev/mtd0 0x5a0000 0x200000 /data/erase.img
如果我在 drivers/mtd/spi-nor/core 中的函數(shù)
2023-05-24 13:14:51
為了避免在一些用于測試 ESP8266 固件的串行終端和一些閃存編程工具之間切換，我制作了自己的小 win 程序，它將這兩個(gè)任務(wù)合并到一個(gè) exe 中。
如果 USB2UART 橋的 RTS
2023-05-24 07:39:04
我們有一個(gè)帶有 S32G2 和 MT35XU512ABA1G12-0SIT（微米八進(jìn)制 SPI 閃存）的定制板連接到端口 A。
我們正在嘗試從此內(nèi)存啟動(dòng)。
我們遵循了這個(gè)應(yīng)用筆
2023-05-22 09:35:01
我對從 S32G274A 控制 Micron MT35XU512ABA QSPI 串行 NOR 閃存感到頭疼。
該板是定制板（不是 NXP RDB2 或 EVP 之一）。
我使用 NXP
2023-05-18 08:48:37
了 evkmimxrt1160_flexspi_nor_config.c 中的閃存配置。
代碼編譯但在我運(yùn)行它時(shí)永遠(yuǎn)不會(huì)進(jìn)入主要狀態(tài)（請參見下面的屏幕截圖）：
知道我哪里出錯(cuò)了嗎？我附上了 MCUXpresso 項(xiàng)目。
2023-05-18 06:28:12
是 0x90000000
根據(jù)文檔（表 1. 系統(tǒng)內(nèi)存映射）
兩者都是有效的（ DRAM - GPP DRAM 區(qū)域#1（ 0-2 GB））。
上傳圖片時(shí)沒有錯(cuò)誤。
NOR 閃存的標(biāo)準(zhǔn)刻錄命令是（來自文檔
2023-05-16 07:43:42
我們在板上使用 MIMXRT1051CVL5B。
通過 LPSPI NOR/EEPROM（BOOT_MODE[1:0]= x01 串行下載器）成功連接到引導(dǎo)實(shí)用程序。
在燒斷保險(xiǎn)絲并定義
2023-05-10 08:53:24
MXRT1050 FlexSPI 模塊具有 LUT，最多支持 16 個(gè)序列，相當(dāng)于 16 個(gè)閃存命令。
現(xiàn)在許多 NOR 閃存芯片支持的命令遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過 16 條。
1. 有沒有辦法支持超過 16 個(gè)
2023-05-08 06:52:22
=> tftp $load_addr firmware_ls1046afrwy_qspiboot.img
4. 將固件編程到 QSPI NOR 閃存。
=> sf 探測 0:0
2023-05-06 08:30:16
;spi_flash_1_part1\\\";
reg = <0x100000 0x300000>;
};
};
};
當(dāng)系統(tǒng)啟動(dòng)并嘗試使用 JEDEC 命令 0x9F 發(fā)現(xiàn)閃存時(shí)，芯片選擇在字節(jié)之間切換，導(dǎo)致芯片不響應(yīng)。
2023-05-06 06:23:09
我有一個(gè)iMX8X iMX8QXP，我正在嘗試在 NOR 閃存（最終是 eMMC）上設(shè)置輔助引導(dǎo)容器集。我試圖在燒掉任何 OTP 保險(xiǎn)絲之前驗(yàn)證基本功能，所以這就是我目前對 NOR 閃存進(jìn)行分區(qū)
2023-05-05 10:40:17
從 NOR 閃存啟動(dòng)時(shí)，Core0 如何獲取啟動(dòng)代碼？
電路板設(shè)置 (T1024RDB) 是：
開關(guān)將 RCW_SRC 設(shè)置為 NOR 閃存
PBL/RCW 設(shè)置為 BOOT_LOC = NOR
2023-05-04 07:16:23
。SPI-NOR 內(nèi)存有類似的東西嗎？fitImages 有用嗎？
4. 由于 uuu 強(qiáng)制 bootcmd=fastboot 0，我如何將其更改為從我的 SPI-NOR 閃存加載？我需要 2 個(gè)不同版本
2023-05-04 06:30:41
我們有一個(gè)定制板，其中存在 T1042 處理器。以前我已經(jīng)能夠通過修改 T1042D4DRB QORIQ SDK 項(xiàng)目的 u-boot 源代碼從 SDCARD 啟動(dòng)它。現(xiàn)在，我試圖從 NOR 閃存啟動(dòng)它，但我無法成功。 我已經(jīng)將圖像寫入了NOR flash的以下地址。
2023-04-17 07:55:21
大家好，我們剛剛獲得了自己設(shè)計(jì)的第一個(gè)原型，其中包含以下組件：- MCU 是 MIMXRT1061CVL5B - 閃存是連接到 QSPI1 的微芯片 SST26VF064B - J-link SWD
2023-04-17 07:06:03
我從使用板載 NOR 閃存映像啟動(dòng)的 LS1028A 處理器 EVM 開始。現(xiàn)在，需要從 I2C EEPROM [RCW] 啟動(dòng)并跳轉(zhuǎn)到 NOR Flash [U-Boot Image]。如何在 RCW PBI 命令中指定它？
2023-04-14 07:45:39
，所以只剩下一個(gè)硬件問題：寫入 SPI 閃存時(shí)如何保持 LCD 刷新？在 manuconfig 中，我將所有 SPI、GDMA 和 LCD ISR 標(biāo)記為放置在 IRAM 中，但沒有任何幫助。每次我嘗試
2023-04-12 08:41:21
文本文件，該函數(shù)使用串行閃存可發(fā)現(xiàn)參數(shù) (SFDP) 填充 FlexSPI 串行 NOR 配置塊。 下圖顯示了在 renesas IC 中工作的 parse_sfdp() 中的硬編碼虛擬循環(huán)。
2023-04-12 06:47:28
我正在嘗試在來自 QSPI 閃存 NOR（Macronix #MX32L32356）的自定義板中的 mcu IMXRT1062 中啟動(dòng)，我達(dá)到了最大 60MHz我在 RAM 中嘗試了示例
2023-04-10 06:51:33
帶多I/O SPI的3V四路串行閃存
2023-04-06 11:13:39
4 Mbit SPI串行閃存
2023-04-04 20:31:37
我需要一些關(guān)于 i.MX RT 1160 EVK 中的閃存支持的說明1. 在 SPT V4.1 中，我可以看到一些 FLEX SPI NOR 變體，如 IS25WP128、AT25SF128A
2023-03-29 08:24:08
512 Kbit SPI串行閃存
2023-03-28 18:25:33
512K位CMOS串行NOR閃存 TSSOP8_3X4.4MM
2023-03-28 17:08:17
微米串行NOR閃存3V，多I/O，4KB扇區(qū)擦除
2023-03-28 15:18:09
16M位 SPI NOR閃存
2023-03-28 12:51:10
8M BIT SPI NOR閃存
2023-03-28 12:51:10
128M BIT SPI NOR 閃存
2023-03-28 12:51:10
64M BIT SPI NOR 閃存
2023-03-28 12:51:10
4/2M 位 SPI NOR 閃存
2023-03-28 12:51:07
8M BIT SPI NOR閃存
2023-03-28 12:51:07
8M BIT SPI NOR 閃存
2023-03-28 12:51:07
16M位 SPI NOR閃存
2023-03-28 12:51:06
16M BIT SPI NOR 閃存
2023-03-28 12:51:06
32M BIT SPI NOR 閃存
2023-03-28 12:51:06
4M BIT SPI NOR 閃存
2023-03-28 12:51:06
16M BIT SPI NOR 閃存
2023-03-28 12:51:05
16M BIT SPI NOR 閃存
2023-03-28 12:51:05
32M BIT SPI NOR 閃存
2023-03-28 12:51:05
8M BIT SPI NOR閃存
2023-03-28 12:51:04
16M BIT SPI NOR 閃存
2023-03-28 12:51:04
8M位串行NOR閃存，1024K字節(jié)
2023-03-28 12:50:24
16 Mbit SPI串行閃存
2023-03-28 00:21:26
3V 4位串行NOR閃存，帶雙和四芯SPI SOP8
2023-03-28 00:18:22
串行閃存與雙/四spi
2023-03-27 11:56:46
并行NOR閃存嵌入式存儲(chǔ)器
2023-03-24 14:01:23
我正在使用 i.MXRT1176 并計(jì)劃使用 FlexSPI 模塊將固件更新寫入外部 NOR 閃存。該應(yīng)用程序?qū)耐煌獠看鎯?chǔ)器運(yùn)行，但是，更新將寫入不同的部分。我以前沒有使用過帶有外部程序存儲(chǔ)器
2023-03-24 08:08:30
我有一個(gè)有趣的問題，我確定是配置問題。這是我第一次使用 QSPI 閃存設(shè)備和 i.MX 系列部件。我通常在 M4 或更小的機(jī)器上跑得慢很多。我有 2 個(gè) NOR 閃存設(shè)備連接到 RT1062
2023-03-24 07:52:57
的 ivt_flashloader.bin 文件和實(shí)用程序從我們的 FlexSPI NOR 閃存讀取/寫入。為了進(jìn)步我實(shí)際上有兩個(gè)問題：- 有人可以向我解釋一下為 EVKB 板提供的 ivt_flashloader.bin
2023-03-24 07:17:47
）。現(xiàn)在我們正在嘗試從未融合單元上的 FLEXSPI NOR 存儲(chǔ)器啟動(dòng)生產(chǎn)測試應(yīng)用程序。我正在嘗試使用 MIMXRT1060 的閃存加載器將應(yīng)用程序加載到 NOR 內(nèi)存中。寫入似乎沒問題，但應(yīng)用程序似乎
2023-03-23 07:37:28
我們有一個(gè)定制板并試圖從并行 NOR (64MB) 啟動(dòng)它。我將 RCW 定義如下：PBI：#PBI 命令09570200 fffffff 09570158 00000300 8940007c
2023-03-23 06:56:29
我正在嘗試編寫代碼來測試 LPC54s018-EVK 上的串行閃存。我需要首先確認(rèn)逐個(gè)扇區(qū)擦除閃存是可行且有效的，然后繼續(xù)我測試的其他階段。（我不想一次擦除整個(gè)芯片，因?yàn)槲覀兊闹饕浖枰獜?b class="flag-6" style="color: red">閃存中
2023-03-23 06:06:43
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