北京晶亦精微科技股份有限公司（以下簡稱“晶亦精微”）成功通過科創(chuàng)板首次公開募股（IPO）審核，這標(biāo)志著這家專注于半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的公司將迎來新的發(fā)展機遇。晶亦精微主要從事化學(xué)機械拋光（CMP）設(shè)備及其配件的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售以及相關(guān)的技術(shù)服務(wù)，為集成電路制造商提供關(guān)鍵設(shè)備支持。
2024-03-06 14:37:49
249 一、超聲波清洗機的4大清洗特點
1. 高效性：超聲波清洗機利用高頻振動產(chǎn)生的微小氣泡在物體表面進行沖擊和剝離，從而實現(xiàn)對物體表面的高效清洗。相比傳統(tǒng)的手工清洗和機械清洗，超聲波清洗機具有更高的清洗
2024-03-04 09:45:59128 
Intel Enpirion?電源解決方案Intel? Enpirion?電源解決方案是高頻、高效電源管理器件，用于FPGA（現(xiàn)場可編程門陣列）、SoC（片上系統(tǒng)）、 CPU（中央處理單元
2024-02-27 11:50:19
人工破碎就是工人用碳化鎢錘多晶硅棒進行錘擊達到粉碎的目的。碳化鎢的硬度僅次于鉆石，能夠保持鋒利的邊緣和形狀，即使在高強度使用下也不容易磨損。
2024-02-27 10:17:40182 
淺談安科瑞有源濾波器在多晶硅行業(yè)中的應(yīng)用 張穎姣 安科瑞電氣股份有限公司 上海嘉定 201801 摘要：本文結(jié)合青海黃河水電多晶硅項目中的有源濾波器使用效果進行應(yīng)用分析，結(jié)果表明有源濾波器在多晶硅
2024-02-22 14:46:52120 
據(jù)了解，中機新材專注于國產(chǎn)高性能研磨拋光材料的研發(fā)與應(yīng)用，能夠為客戶提供量身打造的工業(yè)磨拋解決方案，力求協(xié)助半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)徹底解決長期困擾的瓶頸問題。
2024-02-21 16:56:53406 上海證券交易所（上交所）近日宣布，北京晶亦精微科技股份有限公司（以下簡稱“晶亦精微”）的首次公開募股（IPO）已經(jīng)成功過會，未來該公司將在科創(chuàng)板上市。晶亦精微是一家專注于半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的公司，主要從事化學(xué)機械拋光（CMP）設(shè)備及其配件的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和技術(shù)服務(wù)。
2024-02-20 09:45:34296 北京晶亦精微科技股份有限公司（簡稱“晶亦精微”）科創(chuàng)板IPO順利過會，即將在上海證券交易所科創(chuàng)板上市。該公司專注于半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售及技術(shù)服務(wù)，特別是化學(xué)機械拋光（CMP）設(shè)備及其配件
2024-02-20 09:34:15171 安科瑞電化學(xué)儲能管理系統(tǒng)解決方案 1.概述 在我國新型電力系統(tǒng)中，新能源裝機容量逐年提高，但是新能源比如光伏發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電是不穩(wěn)定的能源，所以要維持電網(wǎng)穩(wěn)定，促進新能源發(fā)電的消納，儲能將成為至關(guān)重要
2024-02-18 15:01:5671 
，單晶光伏板和多晶光伏板的材料不同。單晶光伏板由高純度硅材料制成，硅材料由純凈的硅石經(jīng)過高溫熔煉而來，再經(jīng)過拉晶、切片、拋光等步驟制成單晶硅片。而多晶光伏板采用的是多晶硅材料，制備工藝相對簡單一些，直接從熔融
2024-02-03 09:19:22652 CMP設(shè)備供應(yīng)商北京晶亦精微傳來科創(chuàng)板IPO的新動態(tài)，引發(fā)行業(yè)關(guān)注。晶亦精微作為國內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商，專注于化學(xué)機械拋光（CMP）設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，并為客戶提供相關(guān)技術(shù)服務(wù)。此次IPO
2024-01-31 14:34:33310 基于 蔡司 全系列電子顯微鏡的原位液體電化學(xué)顯微解決方案具有在真實液氛下的高分辨成像、多模態(tài)全面表征以及靈活擴展的創(chuàng)新優(yōu)勢。本期分享液氛SEM的原位多模態(tài)分析方法，以及高分辨成像的全新案例。 創(chuàng)新
2024-01-30 14:22:07137 
為實現(xiàn)碳化硅晶片的高效低損傷拋光，提高碳化硅拋光的成品率，降低加工成本，對現(xiàn)有的碳化硅化學(xué)機械拋光 技術(shù)進行了總結(jié)和研究。針對碳化硅典型的晶型結(jié)構(gòu)及其微觀晶格結(jié)構(gòu)特點，簡述了化學(xué)機械拋光技術(shù)對碳化硅
2024-01-24 09:16:36431 
多晶硅是一種重要的半導(dǎo)體材料，在許多領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用。以下是多晶硅的一些主要用途。 太陽能電池板制造：多晶硅是太陽能電池板制造的關(guān)鍵材料之一。它可以通過將硅礦石熔化、形成硅棒并切割成薄片，進而制備
2024-01-23 16:01:47666 高質(zhì)量的p型隧道氧化物鈍化觸點(p型TOPCon)是進一步提高TOPCon硅太陽能電池效率的可行技術(shù)方案。化學(xué)氣相沉積技術(shù)路線可以制備摻雜多晶硅層，成為制備TOPCon結(jié)構(gòu)最有前途的工業(yè)路線之一
2024-01-18 08:32:38287 
最后的拋光步驟是進行化學(xué)蝕刻和機械拋光的結(jié)合，這種形式的拋光稱為化學(xué)機械拋光(CMP)。首先要做的事是，將晶圓片安裝在旋轉(zhuǎn)支架上并且要降低到一個墊面的高度，在然后沿著相反的方向旋轉(zhuǎn)。墊料通常是由一種
2024-01-12 09:54:06359 
傳統(tǒng)的手工拋光打磨存在勞動強度高、拋光效果不穩(wěn)定、難以處理復(fù)雜形狀、安全風(fēng)險和無法滿足高質(zhì)量要求等痛點。因此，應(yīng)用工業(yè)機器人進行自動化表面精加工的技術(shù)隨之崛起。
2024-01-11 11:03:37196 宏集推出七軸都帶有扭矩傳感器的柔性機械臂，通過類人類觸覺、力位控制策略與直觀易用的打磨app，實現(xiàn)均勻一致的打磨效果，打破“被動柔順”方案的不可控性與精度限制，使表面精加工技術(shù)效率和精度大幅提升
2024-01-03 13:36:22145 
層。例如P型襯底層、N型擴散區(qū)層、氧化膜絕緣層、多晶硅層、金屬連線層等。芯片布圖有多少層，制造完成后的硅晶圓上基本就有多少材料介質(zhì)層。根據(jù)工藝安排，材料介質(zhì)層的層數(shù)也許還會有增加。圖3.芯片布圖中
2024-01-02 17:08:51
CMP技術(shù)指的是在化學(xué)和機械的協(xié)同作用下，使得待拋光原料表面達到指定平面度的過程。化學(xué)藥水與原料接觸后，生成易于拋光的軟化層，隨后利用拋光墊以及研磨顆粒進行物理機械拋光，以清除軟化層。
2023-12-28 15:13:06409 需要指出的是，CMP 技術(shù)通過化學(xué)與機械作用使得待拋光材料表面達到所需平滑程度。其中，拋光液中化學(xué)物質(zhì)與材料表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成易于拋光的軟化層。拋光墊和研磨顆粒則負責(zé)物理機械拋光，清除這一軟化層。
2023-12-27 10:58:31335 
為了保證PCBA的高可靠性、電器性能穩(wěn)定性和使用的壽命，提升PCBA組件質(zhì)量及成品率，避免污染物污染及因此產(chǎn)生的電遷移，電化學(xué)腐蝕而造成電路失效。需要對PCBA焊接工藝后的錫膏殘留、助焊劑殘留、油污
2023-12-24 11:22:08
金屬柵極的沉積方法主要由HKMG的整合工藝決定。為了獲得穩(wěn)定均勻的有效功函數(shù)，兩種工藝都對薄膜厚度的均勻性要求較高。另外，先柵極的工藝對金屬薄膜沒有臺階覆蓋性的要求，但是后柵極工藝因為需要重新填充原來多晶硅柵極的地方，因此對薄膜的臺階覆蓋 性及其均勻度要求較高。
2023-12-11 09:25:31659 
LabVIEW開發(fā)新型電化學(xué)性能測試設(shè)備
開發(fā)了一種基于Arduino和LabVIEW的新型電化學(xué)性能測試裝置，專門用于實驗電池，特別是在鋰硫（Li-S）技術(shù)領(lǐng)域的評估。這種裝置結(jié)合了簡單、靈活
2023-12-10 21:00:05
在北京亦莊項目建設(shè)方面，華海清科據(jù)公司的子公司華海清科北京在北京經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)實行“華海清科集成電路高端裝備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目，用于公司開展化學(xué)機械拋光設(shè)備、減薄設(shè)備、濕法設(shè)備等高端半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化、建設(shè)周期預(yù)計26個月。
2023-12-07 16:30:58462 ，從而達到潔凈的工藝過程。它是基于激光與物質(zhì)相互作用效應(yīng)的一項新技術(shù)，與傳統(tǒng)的機械清洗法、化學(xué)腐蝕清洗、液體固體強力沖擊清洗、高頻超聲清洗等傳統(tǒng)清洗方法相比，有明顯的
2023-12-06 10:58:54
CMP（Chemical Mechanical Polishing）即“化學(xué)機械拋光”，是為了克服化學(xué)拋光和機械拋光的缺點
2023-12-05 09:35:19416 
化學(xué)機械研磨工藝操作的基本介紹以及其比單純物理研磨的優(yōu)勢介紹。
2023-11-29 10:05:09348 太陽能光伏板的主要材料是硅，通常采用單晶硅、多晶硅或非晶硅等不同類型的硅片制成，以吸收和轉(zhuǎn)換太陽光為電能。
2023-11-25 09:34:20854 據(jù)報道，內(nèi)蒙古鑫華半導(dǎo)體科技有限公司有關(guān)負責(zé)人表示，該項目投資約28億元，產(chǎn)值約24億元，可生產(chǎn)1萬噸電子級硅。鑫華是目前國內(nèi)最大的半導(dǎo)體多晶硅供應(yīng)企業(yè)。
2023-11-17 14:55:25677 介紹常見的PCBA清洗方案
2023-11-17 13:08:51415 化學(xué)機械拋光（CMP）是目前最主流的晶圓拋光技術(shù)，拋光過程中，晶圓廠會根據(jù)每一步晶圓芯片平坦度的加工要求，選擇符合去除率（MRR）和表面粗糙度（Ra）等指標(biāo)要求的拋光液，來提高拋光效率和產(chǎn)品良率。
2023-11-16 16:16:35212 近年來，銅(Cu)作為互連材料越來越受歡迎，因為它具有低電阻率、不會形成小丘以及對電遷移(EM)故障的高抵抗力。傳統(tǒng)上，化學(xué)機械拋光(CMP)方法用于制備銅細線。除了復(fù)雜的工藝步驟之外，該方法的一個顯著缺點是需要許多對環(huán)境不友好的化學(xué)品，例如表面活性劑和強氧化劑。
2023-11-08 09:46:21188 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《如何生產(chǎn)多晶硅太陽能電池.doc》資料免費下載
2023-11-02 10:09:50
0 、環(huán)保、節(jié)能等特點，已成功應(yīng)用于輪胎模具清洗、飛機機體除漆、文物修復(fù)等領(lǐng)域。傳統(tǒng)清洗技術(shù)包括機械摩擦清洗（噴砂清洗、高壓水槍清洗等）、化學(xué)腐蝕清洗、超聲波清洗、干
2023-10-29 08:07:49883 
硅，我們都知道。但是芯片制程中的硅，有的用的是單晶硅，有的用的是多晶硅。多晶硅與單晶硅的性能差別很大，那么他們各有哪些優(yōu)良性質(zhì)？有哪些應(yīng)用？又是怎樣制造出來的呢？
2023-10-26 09:47:01502 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《基于Labview的新型數(shù)字式車載信息終端的解決方案.pdf》資料免費下載
2023-10-23 10:36:560 摘 要:文章主要論述了手工清洗劑的分類；手工清洗劑的選擇應(yīng)考慮哪些特性；手工清洗工藝方法；幾種手工清洗劑的特性、材料兼容性及清洗后的效果。并給出了批量手工清洗方案和返工返修類手工清洗方案。批量手工清洗方案重點在必需進行二次漂洗，返工返修類用噴霧罐噴淋并用無紡布擦拭干凈。
2023-10-19 10:06:45495 
重要的角色。 在半導(dǎo)體清洗工藝中，PFA管的主要作用是用于傳輸、儲存和排放各種化學(xué)液體。這些化學(xué)液體可能是用于清洗半導(dǎo)體的試劑，也可能是用于腐蝕去除半導(dǎo)體表面的各種薄膜和污垢。在這個過程中，PFA管需要承受各種化學(xué)物質(zhì)的侵
2023-10-16 15:34:34258 的可靠性和品質(zhì)。清洗方法可以使用機械清洗、化學(xué)清洗或超聲波清洗等技術(shù)，具體選擇取決于PCB的特點和要求。清洗可以確保電路板上的元件和導(dǎo)線之間沒有任何污染物，以提高電路的可靠性和性能。 捷多邦小編還整理了一些清洗PCB板子的優(yōu)點： 去除污垢
2023-10-16 10:22:52215 9月26日，德國有機硅及多晶硅龍頭企業(yè)瓦克化學(xué)股份有限公司（以下簡稱“瓦克化學(xué)”）在江蘇省張家港生產(chǎn)基地舉行開工儀式，宣布將在中國擴建特種有機硅產(chǎn)能。該擴建項目計劃投資約1.5億歐元（約合人民幣
2023-09-28 15:21:18476 兩個物體表面相互接觸即會產(chǎn)生相互作用力，研究具有相對運動的相互作用表面間的摩擦、潤滑與磨損及其三者之間關(guān)系即為摩擦學(xué)，目前摩擦學(xué)已涵蓋了化學(xué)機械拋光、生物摩擦、流體摩擦等多個細分研究方向，其研究
2023-09-20 09:24:040 兩個物體表面相互接觸即會產(chǎn)生相互作用力，研究具有相對運動的相互作用表面間的摩擦、潤滑與磨損及其三者之間關(guān)系即為摩擦學(xué)，目前摩擦學(xué)已涵蓋了化學(xué)機械拋光、生物摩擦、流體摩擦等多個細分研究方向，其研究
2023-09-19 10:07:41278 
性能和速度上同時滿足了圓片圖形加工的要求。CMP 技術(shù)是機械削磨和化學(xué)腐蝕的組合技術(shù) , 它借助超微粒子的研磨作用以及漿料的化學(xué)腐蝕作用在被研磨的介質(zhì)表面上形成光潔平坦表面[2、3] 。CMP 技術(shù)對于
2023-09-19 07:23:03
安科瑞電化學(xué)儲能電能管理系統(tǒng)解決方案1概述在我國新型電力系統(tǒng)中，新能源裝機容量逐年提高，但是新能源比如光伏發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電是不穩(wěn)定的能源，所以要維持電網(wǎng)穩(wěn)定，促進新能源發(fā)電的消納，儲能將成為至關(guān)重要
2023-09-10 08:09:35329 
太陽能電池（光伏電池）：是光伏組件的核心部分，將太陽光轉(zhuǎn)化為電能。常見的光伏電池包括單晶硅、多晶硅和薄膜硅等。
2023-09-03 10:46:53445 半導(dǎo)體行業(yè)生產(chǎn)設(shè)備有刻蝕、薄膜沉積、清洗、濕制、封裝和測試、拋光、硅晶圓制造等設(shè)備，這些精密生產(chǎn)設(shè)備對工藝要求很高，例如對供電的穩(wěn)定性和質(zhì)量要求，對溫度嚴(yán)格的監(jiān)測和控制等
2023-08-31 12:33:15378 
不同的加工目的選擇不同的加工方法。平面拋光機需要粗磨、細磨和拋光，以不斷提高加工零件的表面精度并降低表面粗糙度。超精密磨削的范圍很廣，主要包括機械磨削、彈性發(fā)射加工、浮
2023-08-28 08:08:59355 復(fù)雜的機械存儲方式。 在如今的汽車行業(yè)，制造商可以通過使用微型雨刮器、噴水器、壓縮空氣和其他系統(tǒng)來解決攝像頭和傳感器的清洗問題。然而，由于這些解決方案價格昂貴且機械復(fù)雜度高，因此普及使用的可能性不大。 本文介紹的超聲波鏡頭清
2023-08-24 15:22:48718 
隨著城市化進程的加速和基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)的不斷擴大，混凝土機械行業(yè)在建筑行業(yè)中扮演著越來越重要的角色。為了保證混凝土機械的高效運行和施工安全，混凝土機械物聯(lián)網(wǎng)監(jiān)控運維解決方案應(yīng)運而生。 混凝土機械
2023-08-23 14:37:14375 
早些時期半導(dǎo)體常使用濕式清洗除塵方法，濕式清洗除塵通常使用超純水或者化學(xué)藥水來清洗除塵，優(yōu)點就是價格低廉，缺點是有時化學(xué)藥水或者超純水會把產(chǎn)品損害。隨著科技技術(shù)的進步，人們對半導(dǎo)體的清洗除塵要求越來越高，不僅要保證產(chǎn)品的良率達到一定的標(biāo)準(zhǔn)，還需要清洗除塵的程度達到不錯的水平
2023-08-22 10:54:45681 以粗糙度指標(biāo)為例，電鍍工藝后的Cu 表面粗糙并存在一定的高度差，所以鍵合前需要對其表面進行平坦化處理，如化學(xué)機械拋光(CMP)，使得鍵合時Cu 表面能夠充分接觸，實現(xiàn)原子擴散，由此可見把控Bump
2023-08-17 09:44:330 2023-08-15 15:45:320 數(shù)字PWM的新型超聲波清洗電源發(fā)生器包括主機,控制開關(guān),頻率顯示屏,散熱網(wǎng)孔,調(diào)節(jié)按鈕,溫度顯示屏,電壓顯示屏,電流顯示屏,電源主件,散熱片,防水透氣膜,活性炭盒,降溫風(fēng)扇,所述主機內(nèi)設(shè)有電源主件
2023-08-09 11:22:12318 
的!
LuphiTouch雨菲電子，薄膜開關(guān)及觸摸顯示解決方案供應(yīng)商，同是也是人機界面組件解決方案供應(yīng)商。薄膜開關(guān)雨菲電子，位于中國南部的東莞，自2008年以來，核心業(yè)務(wù)是專注薄
2023-08-03 11:42:58920 
化學(xué)機械拋光（CMP）是晶圓制造的關(guān)鍵步驟，其作用在于減少晶圓表面的不平整，而拋光液、拋光墊是CMP技術(shù)的關(guān)鍵耗材，價值量較高，分別占CMP耗材49%和33%的價值量，其品質(zhì)直接影響著拋光效果，因而
2023-08-02 10:59:473411 
20世紀(jì)60年代以前，半導(dǎo)體基片拋光還大都沿用機械拋光，得到的鏡面表面損傷是極其嚴(yán)重的。1965年Walsh和Herzog提出SiO2溶膠和凝膠拋光后，以SiO2漿料為代表的化學(xué)機械拋光工藝就逐漸代替了以上舊方法。
2023-08-02 10:48:407523 
統(tǒng)清洗方式分為物理清洗和化學(xué)清洗，物理清洗一般用高壓水射流將設(shè)備上的垢清理出來；化學(xué)清洗多為酸洗，因為酸洗需要嚴(yán)格控制用量及清洗時間，如不嚴(yán)格控制，很容易對設(shè)備造成腐蝕，但是由于清洗是個動態(tài)的不是
2023-07-31 16:03:57479 
手持式連續(xù)激光清洗機是表面清理的高科技產(chǎn)品，易于安裝、操控和實現(xiàn)自動化。操作簡單，接通電，打開設(shè)備，即可進行無化學(xué)試劑、無介質(zhì)、無塵、無水的清洗，可自動對焦，貼合曲面清洗，清洗表面潔凈度高等優(yōu)勢，能夠清洗物件表面樹脂、油污、污漬、污垢、銹蝕、涂層、鍍層、油漆。
2023-07-25 14:10:31
據(jù)介紹，在器件制造過程中，由于薄膜沉積、光刻、刻蝕和化學(xué)機械拋光等工藝步驟的大幅增長，在晶圓的邊緣造成了不可避免的副產(chǎn)物及殘留物堆積，這些晶邊沉積的副產(chǎn)物及殘留物驟增導(dǎo)致的缺陷風(fēng)險成為產(chǎn)品良率的嚴(yán)重威脅。
2023-07-19 15:02:26607 電化學(xué)拋光(EP)通過選擇性地去除工件表面區(qū)域中的特定零件（如粗糙度和氧化物）形成鏡面狀表面。
2023-07-18 17:24:43550 
CMP 主要負責(zé)對晶圓表面實現(xiàn)平坦化。晶圓制造前道加工環(huán)節(jié)主要包括7個相互獨立的工藝流程：光刻、刻蝕、薄膜生長、擴散、離子注入、化學(xué)機械拋光、金屬化 CMP 則主要用于銜接不同薄膜工藝，其中根據(jù)工藝
2023-07-18 11:48:183030 
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈硅部件供應(yīng)商盾源聚芯沖刺IPO上市! 近日，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈叩門A股消息頻傳，化學(xué)機械拋光(CMP)設(shè)備供應(yīng)商晶亦精微，半導(dǎo)體功率器件企業(yè)華羿微電均在沖刺科創(chuàng)板上市。 硅部件供應(yīng)商寧夏
2023-07-18 10:43:08368 
陶氏化學(xué)公司是粘合劑，輔助劑等在內(nèi)的多種材料提供的高純度化學(xué)產(chǎn)品生產(chǎn)線的半導(dǎo)體核心化學(xué)材料的主要供應(yīng)商，也供應(yīng)全球重要的CMP材料包括拋光墊、拋光液等。
2023-07-18 09:59:07613 。 晶亦精微主要從事半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售及技術(shù)服務(wù)，主要產(chǎn)品為化學(xué)機械拋光(CMP)設(shè)備及其配件，并提供技術(shù)服務(wù)。目前主要為集成電路制造商提供8英寸、12英寸和6/8英寸兼容CMP設(shè)備，是國內(nèi)唯一實現(xiàn)8英寸CMP設(shè)備境外批量銷售的設(shè)備供應(yīng)商。
2023-07-14 11:01:15460 
在前道加工領(lǐng)域：CMP 主要負責(zé)對晶圓表面實現(xiàn)平坦化。晶圓制造前道加工環(huán)節(jié)主要包括7個相互獨立的工藝流程：光刻、刻蝕、薄膜生長、擴散、離子注入、化學(xué)機械拋光、金屬化 CMP 則主要用于銜接不同薄膜工藝，其中根據(jù)工藝段來分可以分為前段制程（FEOL）和后段制程（BEOL）
2023-07-10 15:14:333567 
本文介紹的超聲波鏡頭清洗 (ULC) 固態(tài)解決方案可實現(xiàn)攝像頭和傳感器的自清洗，并且具有成本效益。
2023-07-08 15:26:11538 
?液晶玻璃是一種高科技光電玻璃產(chǎn)品，由液晶薄膜經(jīng)高溫高壓層壓封裝而成。液晶玻璃超聲波清洗機是專為當(dāng)前玻璃產(chǎn)品設(shè)計的先進清洗設(shè)備。液晶玻璃的清洗由于批量大、過程長、表面清潔度要求高等因素，超聲波清洗
2023-07-06 16:17:440 在DRAM生產(chǎn)中，離子注入技術(shù)被應(yīng)用于減少多晶硅和硅襯底之間的接觸電阻，這種工藝是利用高流量的P型離子將接觸孔的硅或多晶硅進行重摻雜。
2023-06-19 09:59:27317 
什么是單晶硅，什么是多晶硅，二者究竟是怎么形成的，單晶硅和多晶硅有什么區(qū)別，多晶矽與單晶硅的主要差異體現(xiàn)在物理性質(zhì)方面，主要包括力學(xué)性質(zhì)、電學(xué)性質(zhì)等方面，下面具體來了解下。
2023-06-12 16:44:423981 機械斷路器損耗小，但速度很慢，且容易磨損。本博文概述如何通過采用 SiC FET 的固態(tài)解決方案解決這些問題，并且損耗也會持續(xù)降低。
2023-06-12 09:10:02400 
當(dāng)晶體管尺寸縮小時，多晶硅內(nèi)摻雜物的擴散效應(yīng)可能會影響器件的性能。
2023-06-11 09:09:19727 
業(yè)的競爭日益激烈，采購成本不斷攀升，為企業(yè)帶來了一系列的問題。針對這些問題，SRM供應(yīng)商管理解決方案成為了當(dāng)下化學(xué)品企業(yè)的關(guān)鍵所在。 二、化學(xué)品行業(yè)發(fā)展分析 在全球范圍內(nèi)，化學(xué)品行業(yè)經(jīng)歷了長時間的高速發(fā)展，同時也隨之帶
2023-06-09 09:08:39328 
單晶硅光伏板和多晶硅光伏板都是太陽能電池板的類型，其主要區(qū)別在于材料。
單晶硅光伏板是由單個晶體制成的硅片組成。該類型的太陽能電池板具有較高的轉(zhuǎn)換效率和穩(wěn)定性，因此在太陽能發(fā)電領(lǐng)域中應(yīng)用較為廣泛。但是，制造過程成本較高，價格較貴。
2023-06-08 16:04:414916 電化學(xué)清洗及電拋光和超聲波清洗方法。不僅需要拆卸鍍膜機內(nèi)零件，耗費大量時間精力，同時拆裝過程也有不可避免的污染，而且需要消耗一定的清洗材料，尤其是清洗體積大的物件時，及其不便。
2023-06-08 14:35:37542 
機械接觸式薄膜測厚儀來看一下醫(yī)用包裝材料厚度檢測的必要性，由于近年來，國際新的包裝材料--非PVC復(fù)合膜軟袋在國外日益廣用于輸液包裝，復(fù)合膜軟袋的材料質(zhì)量符合中國藥典的標(biāo)準(zhǔn)，具有很低的透水性、透氣性
2023-06-06 09:41:42
在化學(xué)腐蝕點處的濃度越高，腐蝕速率越快。在拋光過程中拋光液持續(xù)流動，我們假設(shè)在腐蝕點處的濃度可以保持初始時的濃度，腐蝕率以最快的速度發(fā)生，則拋光液不同的PH值對應(yīng)一個腐蝕率，由此可見，去除速率與PH值有關(guān)，PH越高，速率越快。
2023-06-02 15:24:06347 
在半導(dǎo)體和太陽能電池制造過程中，清洗晶圓的技術(shù)的提升是為了制造高質(zhì)量產(chǎn)品。目前已經(jīng)有多種濕法清洗晶圓的技術(shù)，如離子水清洗、超聲波清洗、低壓等離子和機械方法。由于濕法工藝一般需要使用含有有害化學(xué)物質(zhì)的酸和堿溶液，會產(chǎn)生大量廢水，因此存在廢物處理成本和環(huán)境監(jiān)管等問題。
2023-06-02 13:33:211020 
使用化學(xué)機械拋光(CMP)方法對碳化硅晶片進行了超精密拋光試驗，探究了滴液速率、拋光頭轉(zhuǎn) 速、拋光壓力、拋光時長及晶片吸附方式等工藝參數(shù)對晶片表面粗糙度的影響，并對工藝參數(shù)進行了優(yōu)化，最終 得到了表面粗糙度低于0.1 nm的原子級光滑碳化硅晶片。
2023-05-31 10:30:062215 
拋光硅晶片是通過各種機械和化學(xué)工藝制備的。首先，硅單晶錠被切成圓盤（晶片），然后是一個稱為拍打的扁平過程，包括使用磨料清洗晶片。通過蝕刻消除了以往成形過程中引起的機械損傷，蝕刻之后是各種單元操作，如拋光和清洗之前，它已經(jīng)準(zhǔn)備好為設(shè)備制造。
2023-05-16 10:03:00584 
LTC?3524 是一款集成 BIAS 和白光 LED 功率轉(zhuǎn)換器解決方案，以用于中小尺寸的多晶硅薄膜晶體管 (TFT) 液晶 (LCD) 顯示屏。該器件采用單節(jié)鋰離子/鋰聚合物電池或任何 2.5V
2023-05-15 17:04:32
晶圓清洗工藝的目的是在不改變或損壞晶圓表面或基板的情況下去除化學(xué)雜質(zhì)和顆粒雜質(zhì)。晶圓表面必須保持不受影響，這樣粗糙、腐蝕或點蝕會抵消晶圓清潔過程的結(jié)果
2023-05-11 22:03:03783 一、自動拋光機的拋光效果因素自動拋光機的拋光效果取決于多個因素，除了自動拋光機本身的質(zhì)量以外，還包括使用工藝、選用什么樣的拋光輔料，要拋光物件材質(zhì)，操作者的經(jīng)驗技術(shù)等，在條件都合適的情況下，自動
2023-05-05 09:57:03535 書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章：III-V族化學(xué)-機械拋光工藝開發(fā) 編號：JFKJ-21-214 作者：炬豐科技 摘要 ? III-V材料與絕緣子上硅平臺的混合集成是一種很有前景的技術(shù)
2023-04-18 10:05:00151 
DRAM柵工藝中，在多晶硅上使用鈣金屬硅化物以減少局部連線的電阻。這種金屬硅化物和多晶硅的堆疊薄膜刻蝕需要增加一道工藝刻蝕W或WSi2,一般先使用氟元素刻蝕鈞金屬硅化合物層，然后再使用氯元素刻蝕多晶硅。
2023-04-07 09:48:162198 下圖顯示了Intel的第6代晶體管（6T）SRAM尺寸縮小時間表，以及多晶硅柵刻蝕技術(shù)后從90nm到22nm技術(shù)節(jié)點6TSRAM單元的SEM圖像俯視視圖。可以看出，SRAM的布局從65nm節(jié)點已發(fā)生
2023-04-03 09:39:402452 濾波器等電路，同時具有實現(xiàn)信號采集、級間隔離及阻抗匹配等功能，以及射頻混頻和光載波的集成解決方案。1） 雙極性和場效應(yīng)對晶體管偏壓網(wǎng)絡(luò)2） 電壓調(diào)節(jié)網(wǎng)絡(luò)3） 溫度補償網(wǎng)絡(luò)4） 射頻衰減網(wǎng)絡(luò)5）射頻整形和均衡網(wǎng)絡(luò)6）隔離網(wǎng)絡(luò)
2023-03-28 14:19:17
PROSLIC?單芯片F(xiàn)XS解決方案
2023-03-25 02:23:12
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