介紹

藍(lán)寶石LED蝕刻的新要求已經(jīng)被引入，因?yàn)長(zhǎng)ED照明的新應(yīng)用正在推動(dòng)正確，壽命和穩(wěn)定性的極限。 量子效率的提高正在推動(dòng)新的垂直結(jié)構(gòu)，需要額外的蝕刻要求。 蝕刻這些結(jié)構(gòu)有獨(dú)特的高溫要求，實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)方法提高10倍的吞吐量。 雖然大多數(shù)公司使用干式蝕刻工藝來(lái)創(chuàng)建圖案表面，但干式蝕刻的缺點(diǎn)并不小，包括加工設(shè)備的成本高，吞吐量低，擴(kuò)展性差等等。 這種不利因素促使許多人重新燃起對(duì)濕法蝕刻的興趣。歷史上，標(biāo)準(zhǔn)工藝浴槽的溫度限制為190°C。 藍(lán)寶石蝕刻速率隨溫度呈幾何級(jí)數(shù)增長(zhǎng)，因此需要一個(gè)能達(dá)到300度工藝溫度的系統(tǒng)。高溫濕法蝕刻比干法蝕刻便宜得多，而且速度也更快。

在高溫濕法蝕刻過(guò)程中，用SiO2掩蓋的晶片被放置在高溫工藝槽中，槽中有蝕刻劑和緩沖劑的混合物:硫酸和磷酸，通常以1:1或3:1的比例。 在浸沒(méi)之前，等離子體增強(qiáng)的化學(xué)蒸汽過(guò)程在藍(lán)寶石襯底上旋轉(zhuǎn)二氧化硅掩膜，光刻暴露所需的圖案。 這種混合物的溫度范圍在260 - 300°C之間，遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)半導(dǎo)體制造中使用的150 - 180°C。

藍(lán)寶石晶圓濕法與干法蝕刻

LED有著非常光明的未來(lái)。 根據(jù)strategy Unlimited (SU)發(fā)布的一份市場(chǎng)研究報(bào)告，高亮度(HB) LED市場(chǎng)在2009年至2010年間經(jīng)歷了93%的增長(zhǎng)。 2009年，盒裝HB led的全球市場(chǎng)為56億美元。 2010年，這一數(shù)字增至108億美元。 SU預(yù)測(cè)，到2015年，全球市場(chǎng)價(jià)值將達(dá)到189億美元，復(fù)合年增長(zhǎng)率(CAGR)為11.8%。盡管前景樂(lè)觀，但仍有一個(gè)因素可能抑制LED市場(chǎng)的增長(zhǎng):高(且不斷增長(zhǎng)的)生產(chǎn)成本。

　　審核編輯：湯梓紅