摘要

實(shí)驗(yàn)研究了預(yù)清洗對(duì)KOH/IPA溶液中單晶硅表面紋理化的影響。如果沒(méi)有適當(dāng)?shù)念A(yù)清洗，表面污染會(huì)形成比未污染區(qū)域尺寸小的金字塔，導(dǎo)致晶片表面紋理特征不均勻，晶片表面反射率不均勻。根據(jù)供應(yīng)商的不同，晶片的表面質(zhì)量和污染水平可能會(huì)有所不同，預(yù)清洗條件可能需要定制，以達(dá)到一致和期望的紋理化結(jié)果。

介紹

晶體硅的織構(gòu)化是太陽(yáng)能電池制造中必不可少的工藝之一。具有良好紋理的表面可以提高太陽(yáng)能電池的光吸收效率，這被認(rèn)為對(duì)電池的IQE（內(nèi)部量子效率）非常商卷然已經(jīng)開(kāi)發(fā)了許多用于表面紋理化的技術(shù)，但是在c-Si（單晶硅）太陽(yáng)能電池， 的工業(yè)生產(chǎn)中通常使用熱堿性溶液的各向異性蝕刻。通過(guò)適當(dāng)應(yīng)用工藝參 數(shù)，氫氧化鉀（或氫氧化鈉）和異丙醇（異丙醇）的濕化學(xué)混合物與硅反應(yīng)，在（100）取向的cSi晶片表面上形成隨機(jī)金字塔，從而降低總表面反射率。

雖然大部分努力都放在調(diào)整紋理化工藝參數(shù)以控制金字塔尺寸上，但很少關(guān)注晶片表面質(zhì)量的變量以及紋理化前表面處理對(duì)紋理化結(jié)果的影響。本文通過(guò)應(yīng)用各種清洗條件和使用不同供應(yīng)商的晶片，研究了預(yù)清洗對(duì)c-Si太陽(yáng)能晶片堿性織構(gòu)化的影響，并對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行了討論。

結(jié)果和討論

實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，在目前的工作中廠分布在晶片表面上的微汚染物，似乎完美地充當(dāng)了成核的雜質(zhì)，增強(qiáng)了污染區(qū)域上金字塔的密集形成。因此,不均勻分布導(dǎo)致整個(gè)晶片的反射率不均勻。作為去除硅表面天然氧化物的有效化學(xué)方法，幾乎不蝕刻硅的HF-dip步驟似乎不足以去除表面污染，并且對(duì)反射率均勻性幾乎沒(méi)有影響。因此，能夠?qū)璁a(chǎn)生清潔和蝕刻效果的偽裝處理是優(yōu)選的。由于切割表面通常會(huì)出現(xiàn)許多微裂紋，因此表面污染程度可能會(huì)超出表面水平，并且可能會(huì)因晶圓供應(yīng)商的清洗、清潔和封裝工藝而有很大差異。預(yù)清潔步驟可能必須針對(duì)進(jìn)入的晶片的表面質(zhì)量進(jìn)行調(diào)整,以獲得一致且期望的紋理化結(jié)果。然而，根據(jù)實(shí)驗(yàn)結(jié)果，預(yù)清洗步驟不需要進(jìn)行完全的SDZ去除。

本文通過(guò)應(yīng)用不同的清洗條件和使用來(lái)自不同供應(yīng)商的晶片，研究了預(yù)清洗對(duì)單晶硅太陽(yáng)能晶片在氫氧化鉀/異丙醇溶液中織構(gòu)化的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，由于缺乏適當(dāng)?shù)念A(yù)清洗，相對(duì)較小的金字塔優(yōu)選在污染區(qū)域形成，并導(dǎo)致晶片表面上不均 勻的紋理分布。紋理的不均勻性可以通過(guò)晶片表面反射率的顯著變化來(lái)揭示。此外，根據(jù)供應(yīng)商的不同，晶片表面質(zhì)量可能會(huì)有很大差異，因此在紋理化之前需要進(jìn)行相對(duì)積極的清潔蝕刻工藝，以實(shí)現(xiàn)一致的紋理化性能。

　　審核編輯：湯梓紅