我國(guó)科學(xué)家成功在8英寸硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片。我國(guó)氧化鎵領(lǐng)域研究連續(xù)取得突破日前，西安郵電大學(xué)新型半導(dǎo)體器件與材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的陳海峰教授團(tuán)隊(duì)成功在8英寸硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片
2023-03-15 11:09:59
5-100V降壓恒流LED調(diào)光驅(qū)動(dòng)芯片-磁吸燈智能調(diào)光IC芯片-H5112A惠海半導(dǎo)體-高輝無頻閃1.芯片類型：LED無頻閃智能照明調(diào)光芯片2.方案名稱：H5112A惠海半導(dǎo)體 磁吸燈智能調(diào)光IC
2020-09-12 17:27:28
`1.方案名稱：H5118 LED智能照明PWM調(diào)光IC無頻閃高輝48V 惠海半導(dǎo)體2.公司名稱：東莞市惠海半導(dǎo)體有限公司3.公司介紹：東莞市惠海半導(dǎo)體有限公司專業(yè)從事LED恒流驅(qū)動(dòng)調(diào)光芯片
2020-09-11 13:56:54
制備方法對(duì)Ba2FeMoO6雙鈣鈦礦磁性能的影響采用濕化學(xué)法和固相反應(yīng)制備了Ba2FeMoO6雙鈣鈦礦化合物，對(duì)比研究了制備方法對(duì)其磁性能尤其是磁卡效應(yīng)的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，濕化學(xué)法準(zhǔn)備的樣品具有
2009-05-26 00:22:45
首先自我介紹下， 我是金鑒實(shí)驗(yàn)室邵工， 在這里給大家講解下近兩年很火熱的新型半導(dǎo)體激光器——VCSEL 激光器項(xiàng)目， 既然講到這里， 那肯定就會(huì)涉及到 VCSEL激光器研發(fā)這塊， 既然是研發(fā)新產(chǎn)品
2022-03-15 12:08:50
某即將畢業(yè)的研究生，把多年珍藏的資料拿出來奉獻(xiàn)給大家。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的詳細(xì)資料，中國(guó)半導(dǎo)體生產(chǎn)廠商及分布的詳細(xì)情況。當(dāng)然還有那些所謂的小小資料片什么的{:soso_e113:}半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資料——即將畢業(yè)的研究生珍貴資料大奉送[hide][/hide]
2011-12-15 13:51:35
，且有成本低，體積小易集成等特點(diǎn)，在新基建時(shí)代，SOA將會(huì)在接入網(wǎng)和城域網(wǎng)邊緣，以及光纖傳感、激光雷達(dá)、眼科成像等領(lǐng)域獲得大規(guī)模應(yīng)用。SOA和EDFA對(duì)比2.半導(dǎo)體光放大器SOA市場(chǎng)應(yīng)用隨著SOA輸出
2023-02-16 18:00:34
半導(dǎo)體制冷—— 2 1 世紀(jì)的綠色“冷源”唐春暉（上海理工大學(xué)光學(xué)與電子信息工程學(xué)院，上海 200093）摘要：基于節(jié)能和環(huán)保已是當(dāng)今一切科技發(fā)展進(jìn)步的基本要求，對(duì)半導(dǎo)體制冷技術(shù)原理以及應(yīng)用情況做了
2010-04-02 10:14:56
半導(dǎo)體制冷片是利用半導(dǎo)體材料的Peltier效應(yīng)而制作的電子元件，當(dāng)直流電通過兩種不同半導(dǎo)體材料串聯(lián)成的電偶時(shí)，在電偶的兩端即可分別吸收熱量和放出熱量，可以實(shí)現(xiàn)制冷的目的。它是一種產(chǎn)生負(fù)熱阻的制冷技術(shù)，其特點(diǎn)是無運(yùn)動(dòng)部件，可靠性也比較高。半導(dǎo)體制冷片的工作原理是什么？半導(dǎo)體制冷片有哪些優(yōu)缺點(diǎn)？
2021-02-24 09:24:02
滲透、與UV紫外線殺菌等重重關(guān)卡，才能放行使用。由于去離子水是最佳的溶劑與清潔劑，其在半導(dǎo)體工業(yè)之使用量極為驚人！ 8、潔凈室所有用得到的氣源，包括吹干晶圓及機(jī)臺(tái)空壓所需要的，都得使用氮?dú)?(98
2011-08-28 11:55:49
`半導(dǎo)體變流技術(shù)（第2版） 257頁(yè)`
2012-08-20 18:43:16
）用于中CR clean，化學(xué)組成是H2SO4+H2O2(120℃)能去除嚴(yán)重有機(jī)污染H2SO4 + H2O2 → H2SO5 + H2OH2SO5 + PR → CO2 + H2O + H2SO4必須
2020-02-17 12:20:00
半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體的功能分類集成電路的四大類
2021-02-24 07:52:52
哪位大神可以詳細(xì)介紹一下半導(dǎo)體式光纖溫度傳感器的建模、仿真與實(shí)驗(yàn)
2021-04-07 06:42:55
進(jìn)行了詳細(xì)研究，建立了系統(tǒng)的數(shù)學(xué)模型，并通過仿真和實(shí)驗(yàn)對(duì)系統(tǒng)特性和實(shí)際應(yīng)用的難點(diǎn)進(jìn)行了分析。 2 測(cè)溫原理 當(dāng)一定波長(zhǎng)的光通過半導(dǎo)體材料時(shí)，主要引起的吸收是本征吸收，即電子從價(jià)帶激發(fā)到導(dǎo)帶引起的吸收
2018-11-01 14:57:18
請(qǐng)教下以前的[半導(dǎo)體技術(shù)天地]哪里去了
2020-08-04 17:03:41
半導(dǎo)體技術(shù)是如何變革汽車設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)的？
2021-02-22 09:07:43
半導(dǎo)體過壓保護(hù)器是根據(jù)可控硅原理采用離子注入技術(shù)生產(chǎn)的一種 新型保護(hù)器件，具有精確導(dǎo)通、快速響應(yīng)（響應(yīng)時(shí)間ns級(jí)）、浪涌吸收 能力較強(qiáng)、雙向?qū)ΨQ、可靠性高等特點(diǎn)。由于其浪涌通流能力較同尺寸 的TVS
2016-09-28 16:21:09
半導(dǎo)體材料從發(fā)現(xiàn)到發(fā)展，從使用到創(chuàng)新，擁有這一段長(zhǎng)久的歷史。宰二十世紀(jì)初，就曾出現(xiàn)過點(diǎn)接觸礦石檢波器。1930年，氧化亞銅整流器制造成功并得到廣泛應(yīng)用，是半導(dǎo)體材料開始受到重視。1947年鍺點(diǎn)接觸三極管制成，成為半導(dǎo)體的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
好像***最近去英國(guó)還專程看了華為英國(guó)公司的石墨烯研究，搞得國(guó)內(nèi)好多石墨烯材料的股票大漲，連石墨烯內(nèi)褲都跟著炒作起來了~~小編也順應(yīng)潮流聊聊半導(dǎo)體材料那些事吧。
2019-07-29 06:40:11
氣體傳感器主要有半導(dǎo)體式、接觸燃燒方式、化學(xué)反應(yīng)式、光干涉式、熱傳導(dǎo)式、紅外線吸收散式等。而這當(dāng)中以半導(dǎo)體氣體傳感器應(yīng)用更為廣泛。半導(dǎo)體氣體傳感器由氣敏部分、加熱絲以及防爆網(wǎng)等構(gòu)成，它是在氣敏部分
2012-08-29 15:40:48
，傳統(tǒng)半導(dǎo)體激光器難以直接用于金屬切割。近年來，隨著半導(dǎo)體耦合技術(shù)的提高，以及新型合束技術(shù)的逐漸成熟，部分千瓦級(jí)以上的光纖輸出的半導(dǎo)體激光器，也可以滿足切割對(duì)光束質(zhì)量的要求。另外，由于半導(dǎo)體激光器波長(zhǎng)
2019-05-13 05:50:35
效率低，不節(jié)能。激光固化非常適合嵌入在生產(chǎn)線中，提高產(chǎn)能。2. 當(dāng)激光照射到工件上，由于是局部升溫固化工件，可以避免工件的其它部位因不能耐高溫而受損或發(fā)生形變。3.半導(dǎo)體激光工作性能穩(wěn)定，壽命長(zhǎng)，且能耗
2011-12-02 14:03:52
載波機(jī)中的石英晶體振蕩器小結(jié)思考題練習(xí)題半導(dǎo)體電路實(shí)驗(yàn)和電子測(cè)量?jī)x器簡(jiǎn)介半導(dǎo)體電路實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)一半導(dǎo)體三極管的判別和直流參數(shù)的測(cè)定實(shí)驗(yàn)二直流穩(wěn)壓電路的調(diào)整和測(cè)試實(shí)驗(yàn)三LC振蕩電路的調(diào)試和研究實(shí)驗(yàn)四阻容耦合放大
2008-07-11 13:05:29
，導(dǎo)電能力明顯改變。2. 本征半導(dǎo)體制作半導(dǎo)體器件時(shí)用得最多的半導(dǎo)體材料是硅和鍺，它們?cè)雍说淖钔鈱佣?有4個(gè)價(jià)電子。將硅或鍺材料提純（去掉雜質(zhì)）并形成單晶體后，所有原子在空間 便基本上整齊排列。半導(dǎo)體
2017-07-28 10:17:42
，導(dǎo)電能力明顯改變。2. 本征半導(dǎo)體制作半導(dǎo)體器件時(shí)用得最多的半導(dǎo)體材料是硅和鍺，它們?cè)雍说淖钔鈱佣?有4個(gè)價(jià)電子。將硅或鍺材料提純（去掉雜質(zhì)）并形成單晶體后，所有原子在空間 便基本上整齊排列。半導(dǎo)體
2018-02-11 09:49:21
國(guó)際半導(dǎo)體芯片巨頭壟斷加劇半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)三大趨勢(shì)
2021-02-04 07:26:49
半導(dǎo)體是什么？芯片又是什么？半導(dǎo)體芯片是什么？半導(dǎo)體芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)是由哪些部分組成的？
2021-07-29 09:18:55
半導(dǎo)體芯片行業(yè)的運(yùn)作模式
2020-12-29 07:46:38
` 誰(shuí)來闡述一下半導(dǎo)體集成電路是什么？`
2020-03-24 17:12:08
多層薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)的襯底,利用Al2O3高介電常數(shù)的優(yōu)點(diǎn)和BCB薄膜工藝制備厚度的靈活性實(shí)現(xiàn)了低傳輸損耗。本研究采用與CMOS相兼容的半導(dǎo)體制造工藝在三種不同襯底(Si、Si/BCB和Si/Al2O
2010-04-24 09:02:35
,新型,半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),能源消耗,物質(zhì)資料,新能源,新挑戰(zhàn),礦物燃料【DOI】：CNKI:SUN:DLDI.0.2010-01-008【正文快照】：.新估計(jì)衰明.到2050年我們所搖要的能源可能會(huì)達(dá)到現(xiàn)有
2010-05-04 08:06:22
吸收體相繼出現(xiàn),比如摻Cr晶體[1-5]和半導(dǎo)體飽和吸收鏡(Semiconductor SaturableAbsorber Mirrors,SESAMs)[6-7].相對(duì)于摻Cr全文下載
2010-04-26 16:11:49
材料。與目前絕大多數(shù)的半導(dǎo)體材料相比，GaN 具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)：禁帶更寬、飽和漂移速度更大、臨界擊穿電場(chǎng)和熱導(dǎo)率更高，使其成為最令人矚目的新型半導(dǎo)體材料之一。目前，GaN 基發(fā)光器件的研究已取得了很大
2019-06-25 07:41:00
`LED恒流調(diào)光芯片 5-100V輸入 2.5A 惠海半導(dǎo)體H5114東莞市惠海半導(dǎo)體有限公司是專注設(shè)計(jì)、研發(fā)高性能、高性價(jià)比、調(diào)光效果佳的LED 恒流驅(qū)動(dòng)IC ，寬電壓輸入8-100V，可應(yīng)用于
2020-09-04 17:38:44
MOS 管的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)MOS 管的工作機(jī)制
2020-12-30 07:57:04
梁德豐，錢省三，梁靜（上海理工大學(xué)工業(yè)工程研究所/微電子發(fā)展中心，上海 200093）摘要：由于半導(dǎo)體制造工藝過程的復(fù)雜性，一般很難建立其制造模型，不能對(duì)工藝過程狀態(tài)有效地監(jiān)控，所以迫切需要先進(jìn)
2018-08-29 10:28:14
我正在研究 STM32H743我使用 USB 設(shè)備驅(qū)動(dòng)程序（引腳 PB14 和 PB15）：只有 AF12 是可能的我也使用 SD 卡驅(qū)動(dòng)程序 (PC8 ... PC12) ：只有 AF12 是可能
2022-12-06 09:00:02
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：半導(dǎo)體行業(yè)的濕化學(xué)分析——總覽編號(hào)：JFSJ-21-075作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html對(duì)液體和溶液進(jìn)行
2021-07-09 11:30:18
了腐蝕層。本文討論了一種新開發(fā)的由化學(xué)鍍鎳、鈀和金組成的多層涂層系統(tǒng)，作為一種改進(jìn)工藝。實(shí)驗(yàn)研究如下：用于引線鍵合研究的樣品制備（內(nèi)容略）焊點(diǎn)試件生產(chǎn)加工可靠性研究（內(nèi)容略）引線鍵合可靠性評(píng)估（內(nèi)容略
2021-07-09 10:29:30
，但顯然值得更多的關(guān)注用于商業(yè)利用和實(shí)施。本文綜述了臭氧化去離子水（DI-O3 水）在硅片表面制備中的應(yīng)用，包括去除有機(jī)雜質(zhì)、金屬污染物和顆粒以及光刻膠剝離。 介紹自半導(dǎo)體技術(shù)起源以來，清潔襯底表面在
2021-07-06 09:36:27
鎵和碳化硅的各種蝕刻劑，包括水性無機(jī)酸和堿溶液以及熔融鹽。濕法刻蝕在寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)中有多種應(yīng)用，包括缺陷裝飾、通過產(chǎn)生特征凹坑或小丘識(shí)別極性和多型(用于碳化硅)以及在光滑表面上制造器件。對(duì)于氮化鎵
2021-10-14 11:48:31
發(fā)射極感興趣，這可以避免AlGaAs 的氧化和深能級(jí)問題。用于器件制造的關(guān)鍵技術(shù)操作之一是濕化學(xué)蝕刻。在我們之前的論文中，我們介紹了一組在 HC1:C H3COOH:H2O2（所謂的 KKI）溶液中
2021-07-09 10:23:37
陽(yáng)極偏壓光照下，在氫氧化鉀、硫酸和鹽酸溶液中的腐蝕速率測(cè)量結(jié)果。這項(xiàng)研究的目的是了解在這些不同的環(huán)境下，氮化鎵蝕刻的動(dòng)力學(xué)和機(jī)制。蝕刻后半導(dǎo)體表面的表面分析提供了關(guān)于蝕刻過程的附加信息。 實(shí)驗(yàn) 蝕刻
2021-10-13 14:43:35
蝕刻之后完成。在去污之后，晶片被認(rèn)為是“干凈的”。去污包括：1.浸入 5:1:1 H2O:H2O2:HCl 中 20 分鐘（在 wbsilicide 中完成 - 水槽必須在之后凈化。）2.過程通過
2021-07-01 09:42:27
：MacEtch 是一種濕法蝕刻工藝，可提供對(duì)取向、長(zhǎng)度、形態(tài)等結(jié)構(gòu)參數(shù)的可控性，此外，它是一種制造極高縱橫比半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)單且低成本的方法。 3 該工藝?yán)昧嗽谘趸瘎ɡ邕^氧化氫 (H2O2)）和酸（例如
2021-07-06 09:33:58
功率半導(dǎo)體器件概述功率半導(dǎo)體器件基本概念功率半導(dǎo)體器件（Power Semiconductor Device）又稱電力電子器件（Power Electronic Device）。1940年貝爾實(shí)驗(yàn)
2019-02-26 17:04:37
`晶圓是如何生長(zhǎng)的？又是如何制備的呢？本文的主要內(nèi)容有：沙子轉(zhuǎn)變?yōu)?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體級(jí)硅的制備，再將其轉(zhuǎn)變成晶體和晶圓，以及生產(chǎn)拋光晶圓要求的工藝步驟。這其中包括了用于制造操作晶圓的不同類型的描述。生長(zhǎng)
2018-07-04 16:46:41
我廠專業(yè)生產(chǎn)半導(dǎo)體加熱材料，半導(dǎo)體烘干設(shè)備，這種新型的半導(dǎo)體材料能節(jié)約能源，讓熱能循環(huán)再利用。如有需要請(qǐng)聯(lián)系我們。網(wǎng)址：www.rftxny.com 電話：0536-52065060536-5979521
2013-04-01 13:13:15
1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合用于
2019-07-29 07:16:49
是最流行的半導(dǎo)體，這是由于其在地球上的大量供應(yīng)。半導(dǎo)體晶圓是從錠上切片或切割薄盤的結(jié)果，它是根據(jù)需要被摻雜為P型或N型的棒狀晶體。然后對(duì)它們進(jìn)行刻劃，以用于切割或切割單個(gè)裸片或方形子組件，這些單個(gè)裸片或
2021-07-23 08:11:27
去的三十年里，III-V 技術(shù)（GaAs 和InP）已經(jīng)逐漸擴(kuò)大到這個(gè)毫米波范圍中。新近以來，由于工藝尺寸持續(xù)不斷地減小，硅技術(shù)已經(jīng)加入了這個(gè)“游戲”。在本文中，按照半導(dǎo)體特性和器件要求，對(duì)可用于
2019-07-31 07:43:42
元件來適應(yīng)略微增加的開關(guān)頻率，但由于無功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗［2］。因此，開關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計(jì)演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
先楫半導(dǎo)體使用上怎么樣？
2023-08-08 14:56:29
提供廣闊的范圍，還要確保最終的創(chuàng)造是以實(shí)際市場(chǎng)發(fā)展趨勢(shì)為基礎(chǔ)，并能帶來可以評(píng)價(jià)的成果。 此外，創(chuàng)新型公司還應(yīng)與不同的合作伙伴，包括戰(zhàn)略合作伙伴和新興的創(chuàng)新型中小企業(yè)，在下面的半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)揮著關(guān)鍵作用
2011-03-22 17:43:00
`半導(dǎo)體是一種基礎(chǔ)材料，它廣泛應(yīng)用于集成電路、電子計(jì)算機(jī)、移動(dòng)通訊設(shè)備等各行業(yè)。近年來，物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、大數(shù)據(jù)等技術(shù)應(yīng)用飛速發(fā)展，同時(shí)也賦予了半導(dǎo)體全新的角色與價(jià)值。2018年已過大半，整個(gè)半導(dǎo)體
2018-08-21 18:31:47
大小,實(shí)驗(yàn)結(jié)果和設(shè)計(jì)相符合。基于"n+1"冗余并聯(lián)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體激光器電源,可靠性高,只需采用廉價(jià)的場(chǎng)效應(yīng)管,就可實(shí)現(xiàn)大電流恒流輸出,成本大為降低,具有較廣泛應(yīng)用前景。【關(guān)鍵詞
2010-05-04 08:05:06
將會(huì)展出。安森美半導(dǎo)體還將于2018年2月27日發(fā)表無電池智能無源感測(cè)方案的演講。觀迎出席以了解這種新型無線傳感器如何從電源和過程功能中發(fā)揮感測(cè)功能，開拓各種新應(yīng)用。請(qǐng)蒞臨4A展廳＃260展位參觀。
2018-10-11 14:28:55
本周在Facebook的F8大會(huì)上，安森美半導(dǎo)體和Q Tech展示了他們的攝像機(jī)參考設(shè)計(jì)，支持Facebook的環(huán)視360度開源3D 虛擬實(shí)境(VR)視頻記錄和處理平臺(tái)。該設(shè)計(jì)被稱為Endeavor
2018-10-24 09:00:10
去年九月，安森美半導(dǎo)體宣布收購(gòu)Fairchild半導(dǎo)體。上周，我們完成了前Fairchild半導(dǎo)體產(chǎn)品信息向安森美半導(dǎo)體網(wǎng)站的轉(zhuǎn)移。這使訪客能瀏覽低、中、高壓電源模塊、集成電路和分立器件合并的、擴(kuò)展
2018-10-31 09:17:40
安森美半導(dǎo)體應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)的成像技術(shù)和方案分享
2021-05-31 07:07:32
和邏輯轉(zhuǎn)換器：安森美半導(dǎo)體的I2C I/O擴(kuò)展芯片通過I2C總線或SMBus提供16位通用I/O功能。I/O口擴(kuò)展芯片可用于MCU/DSP通用I/O口的擴(kuò)展，通過I2C擴(kuò)展成8或16位GPIO。當(dāng)應(yīng)用中
2019-05-15 10:57:14
半導(dǎo)體元器件是用半導(dǎo)體材料制成的電子元器件，隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展，各種新型半導(dǎo)體元器件層出不窮。半導(dǎo)體元器件是組成各種電子電路的核心元件，學(xué)習(xí)電子技術(shù)必須首先了解半導(dǎo)體元器件的基本結(jié)構(gòu)和工作原理
2008-05-24 10:29:38
常用的功率半導(dǎo)體器件有哪些？
2021-11-02 07:13:30
恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors）近日為時(shí)尚、零售和電子市場(chǎng)推出了其最新的UHF解決方案。基于結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、經(jīng)濟(jì)高效的單天線解決方案，UCODE G2iL和G2iL+不僅實(shí)現(xiàn)了行業(yè)領(lǐng)先
2019-08-01 08:28:10
自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的功率型硅基LED芯片產(chǎn)業(yè)化光效超過140流明/瓦，GaN同質(zhì)襯底白光LED技術(shù)進(jìn)展顯著，采用GaN/Al2O3復(fù)合襯底同質(zhì)外延技術(shù)制備的高亮度LED光效超過130 lm/W；深紫外LED發(fā)光
2016-03-03 16:44:05
，有如下反應(yīng)：42 （
2） 上式表明，被氧俘獲的電子釋放出來，這樣
半導(dǎo)體表面載流子濃度上升，從而
半導(dǎo)體表面電阻率減小。三、氧化物
半導(dǎo)體甲烷傳感器的
研究進(jìn)展 盡管甲烷是分子結(jié)構(gòu)最簡(jiǎn)單的一種碳?xì)?/div>
2018-10-24 14:21:10
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
變化轉(zhuǎn)為熱電勢(shì)變化的是熱電偶傳感器。另外，還有利用半導(dǎo)體PN 結(jié)和溫度的關(guān)系研制的PN 結(jié)溫度傳感器。實(shí)驗(yàn)中研究的是銅——康銅熱電偶，NTC（負(fù)溫度系統(tǒng)）半導(dǎo)體熱敏電阻，PN 結(jié)溫度傳感器。實(shí)驗(yàn)十二
2008-06-04 12:59:08
電力半導(dǎo)體器件的分類
2019-09-19 09:01:01
`電動(dòng)車USB手機(jī)充電器芯片 電動(dòng)車充電器芯片 85V90V100V110V120V轉(zhuǎn)5V2A 惠海半導(dǎo)體H6201東莞惠海半導(dǎo)體有限公司專業(yè)從事DC-DC寬電壓8-150V輸入降壓恒壓芯片
2020-09-05 10:24:46
惠海半導(dǎo)體H6205 100V降壓芯片 100V降壓IC 電動(dòng)車/電瓶車/滑板車儀表儀器供電芯片方案 100V轉(zhuǎn)5V2A東莞惠海半導(dǎo)體有限公司專業(yè)從事DC-DC寬電壓8-150V輸入降壓恒壓芯片
2020-09-05 17:26:34
實(shí)驗(yàn)名稱：基于電場(chǎng)誘導(dǎo)的白光LED結(jié)構(gòu)化涂層制備及其應(yīng)用研究 研究方向：電場(chǎng)誘導(dǎo)結(jié)構(gòu)制備工藝試驗(yàn)研究 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容： 本文主要圍繞：平面電極和機(jī)構(gòu)化電極兩種電場(chǎng)誘導(dǎo)工藝進(jìn)行試驗(yàn)研究，在平面電極
2022-03-29 15:44:41
用交替微波加熱法快速制備CeO2/C復(fù)合材料,進(jìn)而制備Pt-CeO2/C。用電化學(xué)方法研究了甲醇、乙醇、甘油和乙二醇在KOH溶液中在Pt/C或Pt-CeO2/C電極上的電化學(xué)氧化性能。結(jié)果顯示負(fù)載在
2011-03-11 12:31:25
態(tài)比電阻為5.7mQ·cm2的4H—SiCBJT 3.SiC MOSFET的研究MOSFET在目前的超大規(guī)模集成電路中占有極其重要的地位，而SiC作為唯一一種本征的氧化物是SiO，的化合物半導(dǎo)體
2017-06-16 10:37:22
美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司 (National Semiconductor Corporation)宣布該公司的PowerWise??高能效芯片系列添加兩款低功率低電壓差分信號(hào)傳輸(LVDS)2x2
2018-08-27 16:07:41
”，“5-10年”和“10年以上”分為4個(gè)級(jí)別。并用這5個(gè)階段和4個(gè)級(jí)別完成一個(gè)優(yōu)先權(quán)矩陣，用于評(píng)估投資該市場(chǎng)的風(fēng)險(xiǎn)。2016技術(shù)成熟度曲線（來源：Gartner 2016年7月）新型半導(dǎo)體材料主要是以砷
2017-02-22 14:59:09
`泰科天潤(rùn)招聘貼~研發(fā)工程師崗位職責(zé)：1.半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)；2.半導(dǎo)體工藝開發(fā)；3.研究SiC功率器件方面的最新進(jìn)展，包括研究文獻(xiàn)、新設(shè)計(jì)、新技術(shù)、新產(chǎn)品等；4.協(xié)助小組項(xiàng)目開發(fā)。任職要求：1.本科
2018-03-12 16:24:28
，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。隨著無線通信的發(fā)展，高頻電路應(yīng)用越來越廣，今天我們來介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導(dǎo)體材料及工藝情況。
2019-06-27 06:18:41
半導(dǎo)體生產(chǎn)用高純度原料高純氧化硼（Boron Oxide，B2O3 ）
2022-01-17 14:16:58
半導(dǎo)體世界是平的--記貝爾實(shí)驗(yàn)室終止半導(dǎo)體研究
貝爾實(shí)驗(yàn)室?guī)滋烨白C實(shí)了關(guān)于該公司退出芯片研究業(yè)務(wù)的消息。
貝爾實(shí)驗(yàn)室，現(xiàn)已成為阿爾卡特-朗訊公司的一
2008-09-03 09:33:20
434 飛兆半導(dǎo)體新型集成升壓轉(zhuǎn)換器用于LED背光驅(qū)動(dòng)--FAN5336
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild SEMIconductor)推出新型高頻率集成升壓轉(zhuǎn)換器FAN5336，可讓設(shè)計(jì)人員獲得
2010-03-20 14:22:27606 一種用于單相交流電機(jī)的新型SVPWM變頻調(diào)速方案的實(shí)驗(yàn)研究
2016-03-30 14:40:32
36 最近，中科院半導(dǎo)體所半導(dǎo)體超晶格國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室王麗麗副研究員和沈國(guó)震研究員與吉林大學(xué)等單位合作，設(shè)計(jì)了一種新型MXene/BP半導(dǎo)體薄膜基自供電柔性感知集成系統(tǒng)。
2021-03-12 15:52:273612 單晶半導(dǎo)體材料制備技術(shù)說明。
2021-04-08 11:53:2935 書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章：III-V集成光子的制備 編號(hào)：JFKJ-21-212 作者：炬豐科技 摘要 ? 本文主要研究集成光子的制備工藝。基于III-V半導(dǎo)體的器件，?這項(xiàng)工作涵蓋
2023-04-19 10:04:00130 
在Covid-19大流行的刺激下，隨著整個(gè)醫(yī)療保健行業(yè)和消費(fèi)者對(duì)消毒和清潔的抗菌需求不斷增加，人們對(duì)稀釋過氧化氫(H2O2)生產(chǎn)的研究越來越感興趣。
2022-09-08 09:09:37622 半導(dǎo)體晶圓清洗設(shè)備市場(chǎng)-概況 半導(dǎo)體晶圓清洗設(shè)備用于去除晶圓表面的顆粒、污染物和其他雜質(zhì)。清潔后的表面有助于提高半導(dǎo)體器件的產(chǎn)量和性能。市場(chǎng)上有各種類型的半導(dǎo)體晶圓清洗設(shè)備。一些流行的設(shè)備類型包括
2023-08-22 15:08:001225 
該研究提出模塊化局域元素供應(yīng)生長(zhǎng)技術(shù)，成功實(shí)現(xiàn)了半導(dǎo)體性二維過渡金屬硫族化合物晶圓批量化高效制備，晶圓尺寸可從2英寸擴(kuò)展至與現(xiàn)代半導(dǎo)體工藝兼容的12英寸，有望推動(dòng)二維半導(dǎo)體材料由實(shí)驗(yàn)研究向產(chǎn)業(yè)應(yīng)用過渡，為新一代高性能半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展奠定了材料基礎(chǔ)。
2023-07-10 18:20:39510 
晶圓級(jí)二維半導(dǎo)體的批量制備，是推動(dòng)相應(yīng)先進(jìn)技術(shù)向產(chǎn)業(yè)化過渡的關(guān)鍵所在。二維半導(dǎo)體薄膜尺寸需達(dá)到與硅基技術(shù)兼容的直徑300 mm（12-inch）標(biāo)準(zhǔn)，以平衡器件產(chǎn)量與制造成本。因此，批量化、大尺寸、低成本制備過渡金屬硫族化合物晶圓是二維材料走向?qū)嶋H應(yīng)用亟待解決的關(guān)鍵問題之一。
2023-07-13 10:36:11442 
研究人員針對(duì)擴(kuò)大二維半導(dǎo)體晶圓尺寸和批量制備的核心科學(xué)問題，提出了一種全新的模塊化局域元素供應(yīng)生長(zhǎng)策略，成功實(shí)現(xiàn)了最大尺寸為12英寸的二維半導(dǎo)體晶圓的批量制備。
2023-07-13 11:16:00211 該研究提出模塊化局域元素供應(yīng)生長(zhǎng)技術(shù)，成功實(shí)現(xiàn)了半導(dǎo)體性二維過渡金屬硫族化合物晶圓批量化高效制備，晶圓尺寸可從2英寸擴(kuò)展至與現(xiàn)代半導(dǎo)體工藝兼容的12英寸，有望推動(dòng)二維半導(dǎo)體材料由實(shí)驗(yàn)研究向產(chǎn)業(yè)應(yīng)用過渡，為新一代高性能半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展奠定了材料基礎(chǔ)。
2023-07-13 16:06:49408 實(shí)驗(yàn)室儀器是用于進(jìn)行科學(xué)研究、實(shí)驗(yàn)、分析和測(cè)量的設(shè)備。它們?cè)诓煌I(lǐng)域的實(shí)驗(yàn)室中廣泛應(yīng)用，用于進(jìn)行各種實(shí)驗(yàn)和研究工作。實(shí)驗(yàn)室儀器的溫度控制是確保實(shí)驗(yàn)條件穩(wěn)定性和精確性的重要部分。溫控系統(tǒng)用于維持儀器
2023-12-28 10:28:16374 
納微半導(dǎo)體，作為全球唯一全面專注于下一代功率半導(dǎo)體公司，氮化鎵和碳化硅功率芯片的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者，近日宣布與深圳欣銳科技股份有限公司聯(lián)合打造的新型研發(fā)實(shí)驗(yàn)室正式揭牌。這一合作旨在加速全球新能源汽車的第三代半導(dǎo)體應(yīng)用發(fā)展。
2024-01-30 11:08:20312 已全部加載完成
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