、襯底檢查、掃描電鏡檢查、PN結(jié)染?、DB FIB、熱點(diǎn)檢測(cè)、漏電位置檢測(cè)、彈坑檢測(cè)、粗細(xì)撿漏、ESD 測(cè)試(2)常?失效模式分析:靜電損傷、過電損傷、鍵合
2024-03-15 17:34:29
現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試 電源質(zhì)量和能量分析儀
2024-03-14 22:33:48
網(wǎng)絡(luò)測(cè)試 NetWork 分析儀
2024-03-14 22:30:52
網(wǎng)絡(luò)測(cè)試 NetWork 分析儀
2024-03-14 22:30:52
MOS管瞬態(tài)熱阻測(cè)試(DVDS)失效品分析如何判斷是封裝原因還是芯片原因,有什么好的建議和思路
2024-03-12 11:46:57
射線,表征材料元素方面的信息,可定性、半定量Be-U的元素 ;
定位測(cè)試點(diǎn),如在失效分析中可以用來定位失效點(diǎn),在異物分析中可以用來定位異物點(diǎn)。
博****仕檢測(cè)測(cè)試案例:
1.觀察材料的表面形貌
2024-03-01 18:59:58
在芯片制造領(lǐng)域,透射電鏡TEM技術(shù)發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。通過TEM測(cè)試,科學(xué)家可以觀察芯片中晶體結(jié)構(gòu)的變化,分析晶體缺陷,研究材料界面結(jié)構(gòu),從而深入了解芯片的工作原理和性能。
2024-02-27 16:48:13
134 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/C1/63/wKgZomXdoceAFlCdAAB-OEiNvEQ36.webp)
在智能卡三輪測(cè)試中,失效表現(xiàn)為芯片受損,本文基于有限元模型來研究智能 IC 卡(Integrated circuit card)芯片受力分析與強(qiáng)度提升方法,
2024-02-25 09:49:29
215 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/C0/E2/wKgZomXanXiAM2hGAAAZme92XOc931.png)
掃描電鏡按構(gòu)造和用處可分為透射式電子顯微鏡、掃描式電子顯微鏡、反射式電子顯微鏡和發(fā)射式電子顯微鏡等。 掃描電鏡常用于察看那些用普通顯微鏡所不能分辨的纖細(xì)物質(zhì)構(gòu)造,次要用于察看固體外表的形貌,也能與
2024-02-01 18:22:15
603 。 一、汽車EMC測(cè)試項(xiàng)目 輻射傳導(dǎo)測(cè)試 輻射傳導(dǎo)測(cè)試是評(píng)估汽車電子設(shè)備在電磁輻射下的抗干擾能力。該測(cè)試項(xiàng)目使用天線或模擬輻射源向汽車電子設(shè)備輻射電磁波,并通過測(cè)量設(shè)備上的輻射電壓或電流來評(píng)估其抗干擾能力。 傳導(dǎo)敏感性測(cè)試 傳
2024-01-31 14:32:09
470 1月20日,廣州慧炬科技有限公司成功舉辦“承鴻鵠之志,造大國(guó)電鏡”新品發(fā)布會(huì),正式發(fā)布首臺(tái)國(guó)產(chǎn)商業(yè)場(chǎng)發(fā)射透射電子顯微鏡“太行”TH-F120。標(biāo)志著我國(guó)已掌握透射電鏡整機(jī)研制能力以及電子槍、高壓電源
2024-01-26 08:26:00
280 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/52/18/poYBAGLNN4iABUSyAAApxv0aPLo086.png)
來源:儀器信息網(wǎng),謝謝 ? 標(biāo)志著我國(guó)已掌握透射電鏡用的場(chǎng)發(fā)射電子槍等核心技術(shù),并具備量產(chǎn)透射電鏡整機(jī)產(chǎn)品的能力。 編輯:感知芯視界 Link 芯我們是幸運(yùn)的,可以共同見證這一重要時(shí)刻的來臨
2024-01-22 09:54:52
127 薄TEM薄片+TEM觀察分析對(duì)于芯片膜層很薄的結(jié)構(gòu)層,一般是幾個(gè)納米的芯片膜厚,透射電鏡TEM分辨率比SEM高,透射電子顯微鏡的分辨率比光學(xué)顯微鏡高的很多,可以達(dá)到0.1~0.2nm,放大倍數(shù)為幾萬
2024-01-02 17:08:51
中國(guó)近年來向著科技自立自強(qiáng)的方向邁出了堅(jiān)定的步伐,核心技術(shù)不斷突破,高端儀器設(shè)備持續(xù)涌現(xiàn)。近日消息,由蘇州博眾儀器科技有限公司(簡(jiǎn)稱博眾儀器)自主研發(fā)的200kV透射電子顯微鏡BZ-F200已經(jīng)進(jìn)入
2023-12-28 11:24:09
766 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B9/59/wKgZomWM6qKAZ3LKAAisIsmPxdg039.png)
,在發(fā)射端天線前面不放置大理石,根據(jù)是否部署透射式RIS進(jìn)行實(shí)驗(yàn),測(cè)量透射式RIS的波束賦形增益,結(jié)果如表1所示。在沒有部署RIS的情況下,發(fā)射功率需要達(dá)到13.6 dBm才可實(shí)現(xiàn)1024 Mbps的傳輸速率,而在部署RIS的情況下,僅需5.4 dBm的發(fā)射功率即可實(shí)現(xiàn)1121 Mbps的傳輸速率。
2023-12-27 14:29:38
218 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B9/34/wKgZomWLxPuAINp0AAAp5l_wNVg595.png)
成都某半導(dǎo)體芯片公司是一家專注于開發(fā)設(shè)計(jì)半導(dǎo)體電源芯片的高新技術(shù)企業(yè),目前企業(yè)對(duì)于電源管理芯片研發(fā)階段的測(cè)試,絕大部分采用人工手動(dòng)測(cè)試,效率低,耗時(shí)長(zhǎng),數(shù)據(jù)管理儲(chǔ)存難度大,無法快速地完成大數(shù)據(jù)分析
2023-12-25 16:42:04
179 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B8/ED/wKgaomWJP-OAce9YAAIUOi3mYx0028.png)
12月19日,國(guó)儀電鏡論壇暨合肥工業(yè)大學(xué)顯微技術(shù)交流會(huì)在合肥成功舉行,來自周邊地區(qū)高校與研究機(jī)構(gòu)的100余位專家學(xué)者,圍繞國(guó)產(chǎn)電鏡技術(shù)創(chuàng)新發(fā)展與示范應(yīng)用開展了深入討論與交流。本次大會(huì)由安徽省電鏡學(xué)會(huì)
2023-12-22 08:25:07
346 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/52/18/poYBAGLNN4iABUSyAAApxv0aPLo086.png)
蔡司代理三本精密儀器小編獲悉,近期蔡司對(duì)中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)龔明教授進(jìn)行了采訪,談了對(duì)于蔡司場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡在工作研究中的使用感受:中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)工程與材料科學(xué)實(shí)驗(yàn)中心副主任,材料顯微分析實(shí)驗(yàn)室
2023-12-20 15:04:37
226 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B6/F5/wKgaomWCkgKAcrlvAADOv9q3meI791.png)
433射頻發(fā)射電路是一種常見的無線通信電路,用于傳輸和接收無線信號(hào)。在這篇文章中,將詳細(xì)介紹433射頻發(fā)射電路的工作原理、電路組成以及相關(guān)參數(shù)。 433射頻發(fā)射電路主要包括:射頻發(fā)射器、射頻放大器
2023-12-20 14:25:01
1285 蔡司代理三本精密儀器小編介紹SEM掃描電鏡與X射線顯微鏡是生命科學(xué)研究中的重要儀器,憑借其納米級(jí)分辨率,SEM掃描電鏡與X射線顯微鏡極大地提升了我們對(duì)生物超微結(jié)構(gòu)的認(rèn)識(shí),-些亞細(xì)胞結(jié)構(gòu)甚至是通過
2023-12-15 14:11:17
142 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/8A/0C/wKgaomSPyFmAKdK8AADBrqcHYks445.png)
。下面我將詳細(xì)解析紅外發(fā)射電路的功能分析。 首先,紅外發(fā)射電路具有信號(hào)轉(zhuǎn)換的功能。它可以將輸入的電信號(hào)轉(zhuǎn)換為紅外光信號(hào),并通過紅外發(fā)射二極管將這些信號(hào)發(fā)射出去。這種轉(zhuǎn)換過程是通過電路中的元件和電子器件完成的,
2023-12-15 10:29:23
325 紅外發(fā)射電路是紅外通信系統(tǒng)中的重要組成部分,其主要功能是產(chǎn)生和發(fā)射紅外信號(hào)。本文將詳細(xì)分析紅外發(fā)射電路的功能,包括其工作原理、主要組成部分、性能指標(biāo)以及應(yīng)用場(chǎng)景。 一、紅外發(fā)射電路的工作原理 紅外
2023-12-13 11:02:11
409 大部分掃描電鏡實(shí)驗(yàn)室對(duì)于納米尺寸的準(zhǔn)確測(cè)量,要求沒有那么嚴(yán)格,比如線寬或顆粒大小到底是105nm還是95nm,似乎不太重要
2023-12-09 17:36:52
428 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B5/6F/wKgZomV0NXGAUIwuAAEQ9FzsUxo309.jpg)
汽車功能安全芯片測(cè)試? 汽車功能安全芯片測(cè)試是保障汽車安全性能的重要環(huán)節(jié),也是汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵部分。隨著汽車智能化技術(shù)的不斷進(jìn)步,車輛上搭載的各種智能功能也越來越多,這些功能倚賴于安全芯片來保障
2023-11-21 16:10:51
1066 車規(guī)芯片為什么要進(jìn)行三溫測(cè)試? 車規(guī)芯片,也被稱為汽車惡劣環(huán)境芯片,是一種專門用于汽車電子系統(tǒng)的集成電路芯片。車規(guī)芯片需要進(jìn)行三溫測(cè)試,是因?yàn)槠嚬ぷ鳝h(huán)境極其復(fù)雜,溫度變化范圍廣,從極寒的寒冷地區(qū)
2023-11-21 16:10:48
2596 芯片出廠前的測(cè)試主要包括芯片功能測(cè)試、性能測(cè)試和可靠性測(cè)試,這三大類測(cè)試是缺一不可的。
2023-11-21 14:53:36
242 電源芯片測(cè)試旨在檢測(cè)電源管理芯片的質(zhì)量和性能,保證其可以長(zhǎng)期穩(wěn)定工作。電源芯片測(cè)試的參數(shù)主要有輸入/輸出電壓、輸出電流、效率、溫度、功耗等。本文將對(duì)電源芯片測(cè)試參數(shù)以及測(cè)試注意事項(xiàng)進(jìn)行介紹。
2023-11-15 15:39:11
600 最近收到老師同學(xué)們的許多問題,其中大家最想要了解的問題是“如何在透射電鏡下判斷位錯(cuò)類型(螺位錯(cuò)、刃位錯(cuò)、混合位錯(cuò))”。在此,為了能快速理解并分析,我整理了三個(gè)問題,希望能幫助到大家,以下見解如有錯(cuò)誤,請(qǐng)大家批評(píng)指正。
2023-11-13 14:37:25
635 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/AF/BF/wKgZomVRxKSAA4lPAABGWGPAQEU022.png)
為什么要測(cè)試芯片上下電功能?芯片上電和下電功能測(cè)試的重要性? 芯片上下電功能測(cè)試是集成電路設(shè)計(jì)和制造過程中的一個(gè)重要環(huán)節(jié)。它是確保芯片在正常的上電和下電過程中能夠正確地執(zhí)行各種操作和功能的關(guān)鍵部分
2023-11-10 15:36:30
591 為什么需要芯片靜態(tài)功耗測(cè)試?如何使用芯片測(cè)試工具測(cè)試芯片靜態(tài)功耗? 芯片靜態(tài)功耗測(cè)試是評(píng)估芯片功耗性能和優(yōu)化芯片設(shè)計(jì)的重要步驟。在集成電路設(shè)計(jì)中,靜態(tài)功耗通常是指芯片在不進(jìn)行任何操作時(shí)消耗的功率
2023-11-10 15:36:27
1117 如何用集成電路芯片測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試芯片老化? 集成電路芯片老化測(cè)試系統(tǒng)是一種用于評(píng)估芯片長(zhǎng)期使用后性能穩(wěn)定性的測(cè)試設(shè)備。隨著科技的進(jìn)步和電子產(chǎn)品的廣泛應(yīng)用,人們對(duì)芯片的可靠性要求日益增高,因此老化測(cè)試
2023-11-10 15:29:05
680 11月7日,國(guó)儀電鏡論壇暨安徽大學(xué)先進(jìn)功能材料分析測(cè)試技術(shù)交流會(huì)在安徽大學(xué)磬苑校區(qū)成功舉行,來自周邊地區(qū)高校的80多位領(lǐng)域內(nèi)師生參與了本次會(huì)議,深入探討先進(jìn)功能材料的分析測(cè)試技術(shù)與電子顯微鏡在研究
2023-11-10 08:24:59
622 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/52/18/poYBAGLNN4iABUSyAAApxv0aPLo086.png)
如何測(cè)試電源芯片負(fù)載調(diào)整率呢?有哪些測(cè)試規(guī)范呢? 電源芯片的負(fù)載調(diào)整率是指電源芯片在負(fù)載變化時(shí),輸出電壓的調(diào)整速度。測(cè)試電源芯片的負(fù)載調(diào)整率是非常重要的,它能夠評(píng)估電源芯片在實(shí)際使用中對(duì)負(fù)載變化
2023-11-09 15:30:46
630 芯片電學(xué)測(cè)試如何進(jìn)行?包含哪些測(cè)試內(nèi)容? 芯片電學(xué)測(cè)試是對(duì)芯片的電學(xué)性能進(jìn)行測(cè)試和評(píng)估的過程。它是保證芯片質(zhì)量和可靠性的重要環(huán)節(jié),通過測(cè)試可以驗(yàn)證芯片的功能、性能和穩(wěn)定性,從而確保芯片可以在實(shí)際
2023-11-09 09:36:48
676 IC芯片測(cè)試基本原理是什么? IC芯片測(cè)試是指對(duì)集成電路芯片進(jìn)行功能、可靠性等方面的驗(yàn)證和測(cè)試,以確保其正常工作和達(dá)到設(shè)計(jì)要求。IC芯片測(cè)試的基本原理是通過引入測(cè)試信號(hào),檢測(cè)和分析芯片的響應(yīng),以判斷
2023-11-09 09:18:37
903 本文以ATE為基礎(chǔ),討論了 集成電路測(cè)試的基本原理和測(cè)試方法,并進(jìn)行了故 障分析.
2023-11-01 15:39:48
844 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/AB/D6/wKgaomVB_seAIOkYAAEKr0xKjcQ856.jpg)
廣東全自動(dòng)SEM掃描電鏡是一種高分辨率的顯微鏡,通過掃描樣品表面并利用電子信號(hào)生成圖像。它與傳統(tǒng)光學(xué)顯微鏡不同,能夠提供更高的放大倍數(shù)和更好的表面細(xì)節(jié)。以下是廣東全自動(dòng)SEM掃描電鏡的原理和構(gòu)造
2023-10-31 15:12:41
770 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/8A/0C/wKgaomSPyFmAKdK8AADBrqcHYks445.png)
透射電鏡圖像分為試樣的顯微像和衍射花樣,這兩種像分別為不同電子成像,前者是透射電子成像,后者為散射電子成像。
2023-10-31 14:53:50
677 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/AB/90/wKgaomVApOWAXK8mAAAPMWP-rD4832.jpg)
10月26日,2023年全國(guó)電子顯微學(xué)學(xué)術(shù)年會(huì)在東莞市召開。國(guó)儀量子在會(huì)議期間重磅發(fā)布自主研制的聚焦離子束電子束雙束顯微鏡DB500、超高分辨場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡SEM5000X,開啟了國(guó)產(chǎn)高端電鏡
2023-10-29 08:25:47
1159 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/52/18/poYBAGLNN4iABUSyAAApxv0aPLo086.png)
以太網(wǎng)芯片DM9051NP的替代品有哪些
2023-10-28 06:22:56
電學(xué)測(cè)試是芯片測(cè)試的一個(gè)重要環(huán)節(jié),用來描述和評(píng)估芯片的電性能、穩(wěn)定性和可靠性。芯片電學(xué)測(cè)試包括直流參數(shù)測(cè)試、交流參數(shù)測(cè)試和高速數(shù)字信號(hào)性能測(cè)試等。
2023-10-26 15:34:14
629 芯片電源電流測(cè)試是為了測(cè)試S.M.P.S.的輸入電流有效值INPUT CURRENT。電流測(cè)試是芯片電源測(cè)試的項(xiàng)目之一,用來檢測(cè)電路或設(shè)備的電流負(fù)載是否正常,保證其正常工作防止過載,評(píng)估芯片電源的電氣特性。
2023-10-25 16:54:54
620 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/AA/54/wKgaomU415KAA3qoAADksN4R_e4547.png)
普通熱發(fā)射掃描電子顯微鏡相比,場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡具有更高的亮度和更小的電子束直徑,即更小的束斑尺寸和更高的分辨率。是納米尺度微區(qū)形貌分析的首選。 2. 文書組成 場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡由場(chǎng)發(fā)射電子槍、電子束推進(jìn)器、聚光透
2023-10-23 14:56:39
3841 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/AB/96/wKgZomU2GQiAb5m_AAIMtZKjYNA201.png)
子束與樣品表面區(qū)作用,發(fā)生衍射,產(chǎn)生菊池帶(它與透射電鏡下透射方式形成的菊池帶有一些差異),由衍射錐體組成的三維花樣投影到低光度磷屏幕上,在二維屏幕上被截出相互交叉的菊池帶花樣,花樣被后面的 CCD 相機(jī)接收
2023-10-21 16:51:22
384 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/AB/72/wKgZomUzkX-ALDhoAACLC7Y79rQ063.png)
開發(fā)板名稱(芯片型號(hào))
揚(yáng)帆系列“競(jìng)”開發(fā)板(RK3568)
芯片架構(gòu)
Cortex-A55
CPU頻率
2.0GHz
介紹(字?jǐn)?shù)請(qǐng)控制在200字以內(nèi))
采用瑞芯微RK3568芯片,搭載
2023-10-19 10:39:21
提出了一種工作在 S 波段和 C 波段的寬頻透射型線-圓極化波轉(zhuǎn)換器, 其由五層超表面級(jí)聯(lián)而成。
2023-10-18 10:05:59
491 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/A8/F7/wKgaomUvPhGAL6LKAAA0q4zENNc954.png)
68.5khz的低頻信號(hào)怎么設(shè)置發(fā)射電路及發(fā)射天線
2023-10-18 06:02:04
在芯片的眾多測(cè)試項(xiàng)目中芯片的功耗測(cè)試可謂重中之重,因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">芯片的功耗不僅關(guān)系著芯片的整體工作性能也對(duì)芯片的效率有著非常重大的影響。ATECLOUD-IC芯片測(cè)試系統(tǒng)只需將測(cè)試儀器和芯片連接好之后,運(yùn)行
2023-10-08 15:30:25
492 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/A7/40/wKgaomUiWiKAefSaAAHcNyLZR3E341.png)
芯片測(cè)試座,又稱為IC測(cè)試座、芯片測(cè)試夾具或DUT夾具,是一種用于測(cè)試集成電路(IC)或其他各種類型的半導(dǎo)體器件的設(shè)備。它為芯片提供了一個(gè)穩(wěn)定的物理和電氣接口,使得在不造成芯片或測(cè)試設(shè)備損傷的情況下
2023-10-07 09:29:44
811 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/A6/CE/wKgaomUgtIWAcefDAABuGqs-7qc502.png)
化妝品蓋帽鎖緊扭力測(cè)試儀 瓶裝、吸嘴和軟管包裝產(chǎn)品的瓶蓋鎖緊與開啟扭矩值是生產(chǎn)單位嚴(yán)格把關(guān)的重要工藝參數(shù)之一。這個(gè)扭矩值的恰當(dāng)與否,對(duì)于產(chǎn)品的流轉(zhuǎn)以及最后的消費(fèi)體驗(yàn)都產(chǎn)生著深遠(yuǎn)的影響。而
2023-09-21 17:21:09
建立了高時(shí)空分辨電化學(xué)原位液相透射電鏡技術(shù),耦合真實(shí)電解液環(huán)境和外加電場(chǎng),實(shí)現(xiàn)了對(duì)Li–S電池界面反應(yīng)原子尺度動(dòng)態(tài)實(shí)時(shí)觀測(cè)和研究。
2023-09-16 09:28:38
395 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/A4/DC/wKgaomUFBp6AV246AABNbyW8rlo804.png)
透射陣和反射陣是基于空間饋電的天線陣列,通過調(diào)制陣面上每個(gè)單元的幅度和相位響應(yīng),實(shí)現(xiàn)波束賦形。相比于傳統(tǒng)相控陣,透射陣和反射陣具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單和低成本的優(yōu)勢(shì);而相比于傳統(tǒng)透鏡和反射面天線,其又具有較高的設(shè)計(jì)靈活度。
2023-09-10 09:19:54
1207 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/A2/5B/wKgZomT9GiuAeh7kAAA8VJmzlgY057.png)
截面分析 FIB-SEM測(cè)試
FIB技術(shù)可以精確地在器件的特定微區(qū)進(jìn)行截面觀測(cè),形成高分辨的清晰圖像,并且對(duì)所加工的材料沒有限制,同時(shí)可以邊刻蝕邊利用SEM實(shí)時(shí)觀察樣品,截面分析是FIB最常
2023-09-05 11:58:27
掃描電子顯微鏡-電子通道對(duì)比成像(SEM-ECCI)是在掃描電子顯微鏡下直接表征晶體材料內(nèi)部缺陷的技術(shù)。SEM-ECCI技術(shù)的發(fā)展已經(jīng)取代了透射電子顯微鏡(TEM)在缺陷表征領(lǐng)域的部分功能。與TEM
2023-09-04 14:56:47
356 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/A2/EE/wKgaomT1f3eAVeGAAARpsDAOU6Y998.png)
當(dāng)前火炫的ARGB: 電競(jìng)鍵盤、LED景觀照明等應(yīng)用芯片
火炫的ARGB應(yīng)用:
在ARGB展示中,MG32F02V032芯片里面帶一ASB總線,可控制4串ARGB燈條,就可呈現(xiàn)出酷炫變化的燈光
2023-08-29 15:37:44
電競(jìng)鍵盤M0系列: 玩家級(jí)酷炫燈光效果
玩家級(jí)酷炫燈光效果:
采用MG32F02U128芯片的鍵盤的應(yīng)用,其鍵盤的RGB燈效控制乃是透過硬件除法器計(jì)算燈效,然后再透過PWM輸出一個(gè)很漂亮
2023-08-29 15:34:08
散射。散射角的大小與樣品的密度、厚度等相關(guān),因此可以形成明暗不同的影像,影像在放大、聚焦后在成像器件(如熒光屏,膠片以及感光耦合組件)上顯示出來的顯微鏡。 透射電鏡TEM原理 博仕檢測(cè)工程師對(duì)客戶指定樣品區(qū)域內(nèi)定點(diǎn)制備高質(zhì)量的透射電子顯微鏡(TEM) 樣品 聚焦離子束FI
2023-08-29 14:54:15
1371 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/A1/BB/wKgaomTtlhSAGZ_uAAAUOtWob4w893.jpg)
能譜儀(EDS)是一種快速分析樣品微區(qū)內(nèi)元素種類及含量的重要工具,通常與掃描電鏡(SEM)、透射電鏡(TEM)組合使用,實(shí)現(xiàn)形貌與成分的對(duì)照。它的工作原理是:當(dāng)電子束掃描樣品時(shí),不同元素被激發(fā)出來的x射線能量不同,通過探測(cè)這些特征X射線的能量與強(qiáng)度,可以確定樣品中的元素組成和含量。
2023-08-29 09:43:24
1953 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/A0/62/wKgZomTtTciACnZbAAA6R50XlaE018.png)
有很多,如透射電鏡、拉曼光譜、電化學(xué)C-V、X射線雙晶衍射等。 安泰測(cè)試科技通過相應(yīng)的測(cè)試儀器和搭配的測(cè)試軟件,可提供覆蓋了量子材料、超導(dǎo)材料、半金屬材料、納米材料、薄膜材料、絕緣材料等大部分的半導(dǎo)體測(cè)試方法和應(yīng)用
2023-08-28 16:31:02
450 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/A0/54/wKgZomTsW0KAIynmAAIpk_9N4NQ625.png)
芯片封裝測(cè)試有技術(shù)含量嗎?封裝測(cè)試是干嘛的?? 芯片封裝測(cè)試是指針對(duì)生產(chǎn)出來的芯片進(jìn)行封裝,并且對(duì)封裝出來的芯片進(jìn)行各種類型的測(cè)試。封裝測(cè)試是芯片生產(chǎn)過程中非常關(guān)鍵的一環(huán),而且也需要高度的技術(shù)含量
2023-08-24 10:41:57
2313 芯明天壓電鏡架通常是由兩支壓電螺釘驅(qū)動(dòng)來完成二維角度偏轉(zhuǎn),兩軸之間具有共同的軸心,通過施加電壓使兩支壓電螺釘產(chǎn)生直線運(yùn)動(dòng)分別控制對(duì)應(yīng)軸的偏轉(zhuǎn)角度及方向,從而調(diào)整鏡片的位置和方向。 芯明天常規(guī)款電動(dòng)壓電鏡
2023-08-24 10:08:06
161 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/95/36/wKgaomTmu4SACG6UAAITFWKoEHc212.jpg)
有很多,如透射電鏡、拉曼光譜、電化學(xué)C-V、X射線雙晶衍射等。 ? ? 安泰測(cè)試科技通過相應(yīng)的測(cè)試儀器和搭配的測(cè)試軟件,可提供覆蓋了量子材料、超導(dǎo)材料、半金屬材料、納米材料、薄膜材料、絕緣材料等大部分的半導(dǎo)體測(cè)試方法和
2023-08-21 17:22:40
556 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/94/2F/wKgZomTjaIWAd6CYAABGFg-jB80245.png)
芯片測(cè)試座(Chip Test Socket)是一種用于測(cè)試集成電路芯片(IC)的裝置。它通常由一個(gè)金屬底盤和一個(gè)或多個(gè)針腳組成,針腳與IC的引腳相連,以便將IC連接到測(cè)試設(shè)備上。
2023-08-14 11:07:52
525 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/90/54/wKgaomTXNN6ARHHiAAGQjFSZn4A328.jpg)
和分析來揭示樣品的微觀結(jié)構(gòu)。 1.電子源 ? TEM使用電子束而不是光束。季豐電子MA實(shí)驗(yàn)室配備的透射電鏡Talos系列采用的是超高亮度電子槍,球差透射電鏡HF5000采用的是冷場(chǎng)電子槍。 2.真空系統(tǒng) ? 為了避免電子束在穿越樣品之前與氣體相互作用,整個(gè)顯微鏡都必須維持在高真空條件下。 3
2023-08-01 10:02:15
2342 掃描電鏡-電子通道襯度成像技術(shù)(SEM-ECCI)是一種在掃描電鏡下直接表征晶體材料內(nèi)部缺陷的技術(shù)。SEM-ECCI技術(shù)的發(fā)展在缺陷表征領(lǐng)域替代了一部分透射電鏡(TEM)的功能,相對(duì)透射電鏡分析而言
2023-07-31 15:59:56
330 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/8E/77/wKgZomTHafuAapPQAABlygPN1PI02.webp)
蔡司熱場(chǎng)掃描電鏡Sigma300電子顯微鏡能夠?qū)Ω鞣N材質(zhì)的導(dǎo)電和不導(dǎo)電樣品、不同尺寸和形狀的樣品表面微觀結(jié)構(gòu)進(jìn)行高分辨觀察。配置能譜和背散射電子衍射儀附件可以實(shí)現(xiàn)樣品表面微觀區(qū)域內(nèi)的成分和織構(gòu)分析
2023-07-26 10:48:06
650 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/8A/0C/wKgaomSPyFmAKdK8AADBrqcHYks445.png)
在IC芯片測(cè)試中,芯片測(cè)試座起著至關(guān)重要的作用。它是連接芯片和測(cè)試設(shè)備的關(guān)鍵橋梁,為芯片提供測(cè)試所需的電流和信號(hào)。
2023-07-25 14:02:50
632 電路基礎(chǔ)知識(shí)。芯片測(cè)試涉及到電子電路的測(cè)量和分析,因此需要具備扎實(shí)的電路基礎(chǔ)知識(shí),包括電子元器件、電路分析方法等。
2023-07-23 10:02:34
506 EM科特(EmCrafts)Cube系列桌面式掃描電鏡,是一款桌面緊湊型掃描電子顯微鏡。區(qū)別與傳統(tǒng)掃描電鏡的笨重機(jī)身,Cube系列占地面積小,便攜性能好,可遵照客戶服務(wù)指南任意移動(dòng)SEM設(shè)備。 EM
2023-07-05 15:24:02
433 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/8C/0F/wKgaomSlGpKASHLZAABIMd_4tkg213.png)
的高性能高效率,大樣品倉(cāng)內(nèi)含5軸共心電動(dòng)樣品臺(tái),可更輕松地測(cè)量大尺寸樣品。 EM科特 Veritas鎢燈絲掃描電鏡系列 產(chǎn)品優(yōu)勢(shì) l大尺寸樣品分析? Veritas系列可以分析常規(guī)SEM無法分析的大尺寸樣品。例如:晶圓,磁盤 l無損樣品分析?? 無需切割即可分析樣品。例如PCB,半導(dǎo)體圖案分析 l較重
2023-07-05 15:13:38
270 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/8C/0E/wKgZomSlGCKASiCZAABluz_g24s890.png)
這是Amanda王莉第55篇文章,點(diǎn)這里關(guān)注我,記得標(biāo)星在當(dāng)今世界,SEM掃描電子顯微鏡分析技術(shù),一種介于透射電子顯微鏡和光學(xué)顯微鏡之間的一種觀察手段,主要應(yīng)用在半導(dǎo)體、材料科學(xué)、生命科學(xué)和納米材料
2023-07-05 10:04:06
1995 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/8B/FE/wKgZomSj2KyAE6myAABdxVqlsMY646.png)
在芯片測(cè)試中,分類和選擇是關(guān)鍵的步驟,以確保芯片的質(zhì)量和可靠性。根據(jù)不同的測(cè)試目標(biāo)和要求,可以采用不同的分類方法和選擇策略。
2023-06-30 13:50:22
478 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用分組無線電鏡像機(jī)器人運(yùn)動(dòng).zip》資料免費(fèi)下載
2023-06-29 09:59:31
0 芯片封裝測(cè)試是在芯片制造過程的最后階段完成的一項(xiàng)重要測(cè)試,它主要用于驗(yàn)證芯片的封裝質(zhì)量和功能可靠性。芯片封裝測(cè)試包括以下主要方面。
2023-06-28 13:49:56
1167 當(dāng)MOS管關(guān)斷之后,在DCM工作條件下的Vds電壓變化展示如下圖所示,在波形的中段位置Vds=Vor+Vin,其中Vin是開關(guān)電源的輸入電壓,而Vor就是反射電壓。
2023-06-25 15:15:23
3009 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/8A/96/wKgZomSX6X-AXIC3AAER3Z1nurU030.jpg)
芯片功能測(cè)試是電子產(chǎn)品制造過程中的一項(xiàng)重要步驟。具體而言,它包括以下幾個(gè)方面的測(cè)試:
2023-06-20 14:50:52
935 今天三本精密儀器小編給您介紹場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡GeminiSEM500規(guī)格參數(shù)及樣品制備要求:一、樣品要求(1)本儀器不接收磁性、易潮、液體、有機(jī)、生物、不耐熱、熔融蒸發(fā)、松動(dòng)粉末或碎屑等有揮發(fā)物樣品
2023-06-19 11:15:40
813 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/8A/0C/wKgaomSPyFmAKdK8AADBrqcHYks445.png)
芯片測(cè)試設(shè)備是用于檢測(cè)芯片性能的工具和設(shè)備。這些設(shè)備可以幫助工程師、科學(xué)家和制造商檢測(cè)和分析芯片的特定屬性,以確保它們符合規(guī)格和標(biāo)準(zhǔn)。以下是一些常見的芯片測(cè)試設(shè)備:
邏輯分析儀(Logic
2023-06-17 15:01:52
芯片測(cè)試座是一種電子元器件,它是用來測(cè)試集成電路芯片的設(shè)備,它可以用來測(cè)試和檢查電路芯片的性能,以確保其達(dá)到規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)。
2023-06-15 13:43:53
805 芯片中的CP測(cè)試是什么?讓凱智通小編來為您解答~ ★芯片中的CP一般指的是CP測(cè)試,也就是晶圓測(cè)試(Chip Probing)。 一、CP測(cè)試是什么? CP測(cè)試在整個(gè)芯片制作流程中處于晶圓制造和封裝
2023-06-10 15:51:49
3372 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/AB/24/poYBAGSC2IOAHu5qAALlhRSznkk739.png)
芯片功能測(cè)試常用5種方法有板級(jí)測(cè)試、晶圓CP測(cè)試、封裝后成品FT測(cè)試、系統(tǒng)級(jí)SLT測(cè)試、可靠性測(cè)試。
2023-06-09 15:46:58
1665 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/AB/24/poYBAGSC2IOAHu5qAALlhRSznkk739.png)
、電源管理、互聯(lián)互通及系統(tǒng)級(jí)應(yīng)用等方面的信號(hào)傳輸特性分析展開,如圖所示。隨著芯片應(yīng)用技術(shù)和測(cè)試技術(shù)的發(fā)展,一些新的測(cè)試方法不斷問世,這些新方法可進(jìn)一步提高測(cè)試覆蓋率。
2023-06-08 16:44:23
721 芯片為什么要做測(cè)試?
因?yàn)樵?b class="flag-6" style="color: red">芯片在制造過程中,不可避免的會(huì)出現(xiàn)缺陷,芯片測(cè)試就是為了發(fā)現(xiàn)產(chǎn)生缺陷的芯片。如果缺少這一步驟,把有缺陷的壞片賣給客戶,后續(xù)的損失將是測(cè)試環(huán)節(jié)原本成本的數(shù)倍,可能還會(huì)影響公司在行業(yè)的聲譽(yù)。
2023-06-08 15:47:55
芯片測(cè)試座,又稱為芯片測(cè)試插座,是一種專門用于測(cè)試芯片的設(shè)備。它通常包括一個(gè)底座和一個(gè)插頭,是一種連接芯片與測(cè)試儀器或其他設(shè)備的接口。
2023-06-07 14:14:00
426 透射電子顯微鏡TEM 透射電子顯微鏡(Transmission Electron Microscope,簡(jiǎn)稱TEM),可以看到在光學(xué)顯微鏡下無法看清的小于0.2um的細(xì)微結(jié)構(gòu),這些結(jié)構(gòu)稱為亞顯微結(jié)構(gòu)
2023-05-31 09:20:40
782 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/88/E5/wKgZomR2oOaALWm4AANa_Ap7Ixk450.jpg)
工控級(jí)固態(tài)硬盤主控芯片BGA底部填充膠應(yīng)用案例分析由漢思新材料提供.客戶生產(chǎn)產(chǎn)品:工控級(jí)固態(tài)硬盤用膠芯片:硬盤主控芯片客戶要解決的問題:終端客戶做完TC測(cè)試和振動(dòng)測(cè)試后,抽檢20臺(tái)設(shè)備,3臺(tái)設(shè)備出現(xiàn)
2023-05-31 05:00:00
469 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/88/DC/wKgaomR1k5SAHZUuAAEb1UGRmVs644.png)
芯明天壓電鏡架是一種利用壓電效應(yīng)來控制鏡片位置的光學(xué)機(jī)械。壓電效應(yīng)是指在某些晶體中,如壓電陶瓷,當(dāng)施加電場(chǎng)時(shí),壓電陶瓷會(huì)發(fā)生形變,通過機(jī)械結(jié)構(gòu)將這種形變轉(zhuǎn)換為直線毫米級(jí)行程,該運(yùn)動(dòng)對(duì)鏡架進(jìn)行角度偏轉(zhuǎn)
2023-05-25 10:27:45
350 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/88/A9/wKgaomRux56AB-3kAACcPVNDlwI829.jpg)
脈沖壓縮透射光柵高功率光束組合光譜衍射光柵 脈沖壓縮透射光柵高功率光束組合光譜衍射光柵采用獨(dú)特的圖案化方法、DUV投影光刻和離子蝕刻,為透射衍射光柵提供了許多
2023-05-24 13:50:09
芯片從設(shè)計(jì)到成品有幾個(gè)重要環(huán)節(jié),分別是設(shè)計(jì)->流片->封裝->測(cè)試,但芯片成本構(gòu)成的比例確大不相同,一般為人力成本20%,流片40%,封裝35%,測(cè)試5%。測(cè)試是芯片各個(gè)環(huán)節(jié)中最
2023-05-22 08:58:33
1849 近期幫做芯片的同行看一份LPDDR4的Compliance測(cè)試數(shù)據(jù),想看看是否有機(jī)會(huì)優(yōu)化信號(hào)品質(zhì),報(bào)告中體現(xiàn)的問題很有代表性,整理記錄下來。
一、 測(cè)試數(shù)據(jù)
這是一份LPDDR4
2023-05-16 15:43:05
在開始芯片測(cè)試流程之前應(yīng)先充分了解芯片的工作原理。要熟悉它的內(nèi)部電路,主要參數(shù)指標(biāo),各個(gè)引出線的作用及其正常電壓。芯片很敏感,所以測(cè)試的時(shí)候要注意不要引起引腳之間的短路,任何一瞬間的短路都能被捕
2023-04-25 15:13:12
2065 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/82/40/wKgaomRHfYaAfLgeAAOzeNJIk7Q174.png)
時(shí)coremark為103.7分,和國(guó)際競(jìng)品一致l低功耗:15mA@48MHz;6.2uA@STOP model硬件除法運(yùn)算l硬件開方運(yùn)算l軟、硬件兼容國(guó)際競(jìng)品l多種封裝:TSSOP20、LQFP32、LQFP48、QFN32、QFN48
2023-04-17 11:12:31
?透射光柵分光片(Transmission Grating Beamsplitters)通常用于He-Ne激光束的分光和可見范圍內(nèi)多條激光的分離。透射的光束被衍射為多階。透射光柵分光片由在拋光玻璃
2023-04-12 14:46:14
0 豐富的外設(shè):ADC、TIMER、SPI、USART、I2C、I2S、DMA、WDT、TS、VREF、USB、CANl高性能:在72MHz時(shí)coremark為191.4分,領(lǐng)先國(guó)際競(jìng)品l低功耗
2023-04-11 16:39:15
矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀串?dāng)_如何測(cè)試,設(shè)備如何設(shè)置
2023-04-09 17:13:25
評(píng)論