如下圖所示,GD32F4系列內(nèi)部SRAM分為通用SRAM空間和TCMSRAM空間,其中通用SRAM為從0x20000000開(kāi)始的空間,TCMSRAM為從0x10000000開(kāi)始的64KB空間。大家
2024-02-24 09:43:16190 賽普拉斯的NV-SRAM將標(biāo)準(zhǔn)快速SRAM單元(訪問(wèn)時(shí)間高達(dá)20 ns)與基于硅氧化物和亞硝酸鹽,氧化物硅(SONOS)的非易失性存儲(chǔ)元件相結(jié)合,可提供快速的異步讀寫(xiě)訪問(wèn)速度,并在其整個(gè)工作范圍內(nèi)具有20年的數(shù)據(jù)保留。
2024-02-19 10:52:40191 電線、電纜分為裸導(dǎo)線、電力電纜、電氣裝備用電線、電纜等類(lèi)別。裸導(dǎo)線主要特征是純金屬導(dǎo)體,無(wú)絕緣及護(hù)套層,主要用于城郊、農(nóng)村、用戶(hù)主線、開(kāi)關(guān)柜等;電力電纜主要特征是在金屬導(dǎo)體外包絕緣層或再增加
2024-01-20 17:27:10486 。CHA2063A99F有芯片形式。主要特征寬帶性能7-13GHZ2.0db噪聲系數(shù),8-13GHZ19db增益值低直流功能損耗,40MA18dbm三階截距點(diǎn)封裝尺寸:1.52x1.27x0.1mm
2024-01-15 14:32:19
賽普拉斯的NV-SRAM將標(biāo)準(zhǔn)快速SRAM單元(訪問(wèn)時(shí)間高達(dá)20 ns)與基于硅氧化物和亞硝酸鹽,氧化物硅(SONOS)的非易失性存儲(chǔ)元件相結(jié)合,可提供快速的異步讀寫(xiě)訪問(wèn)速度,并在其整個(gè)工作范圍內(nèi)具有20年的數(shù)據(jù)保留。
2024-01-09 10:54:28171 問(wèn)一下大家.
如何放大10nV 直流信號(hào). (內(nèi)阻是60K) .用普通運(yùn)放是放大不了的.太多噪聲.
2024-01-02 06:36:47
串聯(lián)諧振電路的三個(gè)特征? 串聯(lián)諧振電路是一種重要的電路結(jié)構(gòu),具有許多特征和應(yīng)用。本文將詳細(xì)介紹串聯(lián)諧振電路的三個(gè)主要特征,并對(duì)其原理和應(yīng)用進(jìn)行詳細(xì)討論。 首先,串聯(lián)諧振電路具有共振頻率。共振頻率
2023-12-20 14:54:04516 SRAM (Static Random Access Memory)是一種高速、隨機(jī)訪問(wèn)的存儲(chǔ)器,它以其快速的讀寫(xiě)操作和不需要刷新的特點(diǎn)而受到廣泛使用。本文將詳細(xì)介紹SRAM的讀寫(xiě)電路設(shè)計(jì)
2023-12-18 11:22:39500 Qotom 最新上市無(wú)風(fēng)扇迷你電腦Q20331G9,搭載了強(qiáng)大的Intel Atom C3758R Denverton處理器,其技術(shù)特性和靈活性令人印象深刻。下面跟著我一起大致了解一下該迷你電腦的主要特征。
2023-12-16 10:16:04182 西門(mén)子 EDA的內(nèi)存技術(shù)專(zhuān)家Jongsin Yun說(shuō), SRAM 的微縮滯后于邏輯收縮,主要是由于最新技術(shù)中嚴(yán)格的設(shè)計(jì)規(guī)則。過(guò)去,我們對(duì) SRAM 有單獨(dú)的設(shè)計(jì)規(guī)則,這使我們能夠比基于邏輯晶體管
2023-12-15 09:43:42175 SRAM是采用CMOS工藝的內(nèi)存。自CMOS發(fā)展早期以來(lái),SRAM一直是開(kāi)發(fā)和轉(zhuǎn)移到任何新式CMOS工藝制造的技術(shù)驅(qū)動(dòng)力。
2023-12-06 11:15:31635 自從IBM于20世紀(jì)60年代開(kāi)發(fā)出可控塌陷芯片連接(Controlled Collapse Chip Connect,C4)技術(shù),或稱(chēng)倒裝芯片技術(shù),凸點(diǎn)鍵合在微電子封裝領(lǐng)域特別是芯片與封裝基板的鍵合中得到了廣泛的應(yīng)用。隨著3D封裝技術(shù)的發(fā)展,凸點(diǎn)鍵合技術(shù)也被應(yīng)用于芯片-芯片、芯片-圓片鍵合及封裝體的3D疊層封裝。
2023-12-05 09:40:00333 請(qǐng)問(wèn)運(yùn)放的輸入噪聲電壓密度nV/rtHz怎么轉(zhuǎn)換為噪聲系數(shù)dB呢?
2023-11-22 08:11:17
您可以從曲面解除剪裁特征的結(jié)果中排除父曲面。在解除剪裁曲面PropertyManager 中的選項(xiàng)下,選擇排除父曲面以從曲面解除剪裁特征結(jié)果中排除父曲面。
2023-11-17 11:03:11176 SRAM 的數(shù)量是任何人工智能處理解決方案的關(guān)鍵要素,它的數(shù)量在很大程度上取決于您是在談?wù)摂?shù)據(jù)中心還是設(shè)備,或者是訓(xùn)練還是推理。但我想不出有哪些應(yīng)用程序在處理元件旁邊沒(méi)有至少大量的 SRAM,用于運(yùn)行人工智能訓(xùn)練或推理。
2023-11-12 10:05:05452 nv32開(kāi)發(fā)板上的ft232發(fā)熱嚴(yán)重,是什么問(wèn)題,但是通訊正常
2023-11-08 06:53:36
選擇適合自己的旅充方案可以保證在旅行中始終保持手機(jī)電量充足,以便隨時(shí)記錄美好的旅程,以及與他人保持聯(lián)系。深圳銀聯(lián)寶科技最新推出的5v2A旅充方案,采用開(kāi)關(guān)電源芯片U52143,適用功率在11W以?xún)?nèi),也可以應(yīng)用于適配器、反激式變換器中。
2023-11-06 15:58:22268 nv32f100為什么能模擬usb通訊,比如hid鍵盤(pán)之類(lèi)的,而其他單片機(jī)必須要有usb外設(shè)才能用
2023-11-03 08:21:47
機(jī)械設(shè)備負(fù)荷過(guò)重。主要特征表現(xiàn)為電動(dòng)機(jī)發(fā)熱,可通過(guò)變頻器面板顯示屏上讀取運(yùn)行電流來(lái)判斷。
2023-10-30 10:46:13169 UWB是Ultra-Wide Band的縮寫(xiě),意思是超寬帶。UWB無(wú)線通信是使用超寬帶的頻率帶寬的無(wú)線通信,其主要特征是能夠?qū)崿F(xiàn)高精度定位。近年來(lái),已普及至智能手機(jī)防丟失、高階汽車(chē)智能鑰匙等民用設(shè)備
2023-10-25 13:58:44375 機(jī)械設(shè)備負(fù)荷過(guò)重。主要特征表現(xiàn)為電動(dòng)機(jī)發(fā)熱,可通過(guò)變頻器面板顯示屏上讀取運(yùn)行電流來(lái)判斷。
2023-10-23 09:11:451203 如何修改AT32的SRAM空間大小如何修改SRAM大小?
2023-10-20 07:39:21
硬件面試的時(shí)候,看到應(yīng)聘者簡(jiǎn)歷上寫(xiě)著,有過(guò)AMD工作或?qū)嵙?xí)經(jīng)歷,熟悉CPU和內(nèi)存。于是我問(wèn),那請(qǐng)你畫(huà)一下SRAM和DRAM的基本cell出來(lái),然后簡(jiǎn)要說(shuō)一下工作原理及特點(diǎn),但是沒(méi)能說(shuō)出來(lái)。
2023-10-01 14:08:002382 如何提高SRAM的讀取速度
2023-09-28 06:28:57
請(qǐng)問(wèn)一下nv32f103鎖死怎么解鎖
2023-09-26 07:46:45
使用NV12原始數(shù)據(jù),創(chuàng)建bm_image的注意事項(xiàng)?
2023-09-19 06:12:24
使用MM32F3270 FSMC驅(qū)動(dòng)SRAM
2023-09-18 16:29:50922 IC SRAM NV TIMEKEEPING POWERCAP
2023-09-13 18:30:27
IC SRAM NV TIMEKEEPING POWERCAP
2023-09-13 18:30:27
機(jī)械設(shè)備負(fù)荷過(guò)重。主要特征表現(xiàn)為電動(dòng)機(jī)發(fā)熱,可通過(guò)變頻器面板顯示屏上讀取運(yùn)行電流來(lái)判斷。
2023-09-07 16:11:53310
應(yīng)用: EBI SRAM 上的高空空間
BSP 版本: NUC472/NUC442系列BSP CMSIS v3.03.000
硬件: nuvoton 核 NUC472 演示委員會(huì)V1.0
2023-08-23 06:35:44
現(xiàn)代汽車(chē)正迅速成為與大量傳感器連接的復(fù)雜計(jì)算機(jī),并產(chǎn)生大量數(shù)據(jù),這些數(shù)據(jù)需要在汽車(chē)中移動(dòng)并在ecu之間共享。這就產(chǎn)生了對(duì)車(chē)載網(wǎng)絡(luò)高帶寬能力的需求,而汽車(chē)以太網(wǎng)正迅速成為首選網(wǎng)絡(luò)。一些傳統(tǒng)的ecu仍然基于CAN、LIN和FlexRay協(xié)議,因此汽車(chē)中的網(wǎng)絡(luò)網(wǎng)關(guān)必須在這些傳統(tǒng)協(xié)議(例如CAN)和以太網(wǎng)之間執(zhí)行協(xié)議轉(zhuǎn)換的重要任務(wù)。
2023-08-21 12:23:021865 為什么越來(lái)越多的圖書(shū)館會(huì)選擇LED照明系統(tǒng)呢?因?yàn)長(zhǎng)ED照明系統(tǒng)可以提供充足的光線,確保閱讀時(shí)有足夠的亮度進(jìn)行閱讀和學(xué)習(xí)。合適的照明水平可以減輕眼部疲勞,提高閱讀的效率和舒適度。LED照明的色彩還原性較好,能夠準(zhǔn)確還原物體的真實(shí)色彩,意味著讀者可以更清晰地看到書(shū)籍、文檔和其他材料的真實(shí)顏色,有助于準(zhǔn)確理解和閱讀。選擇一款好的LED照明驅(qū)動(dòng)ic,可以更高效的達(dá)到使用效果,推薦深圳銀聯(lián)寶科技的U6237D!
2023-08-17 15:45:15348 讓一顆SRAM型FPGA在太空長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行的難度,就類(lèi)似練成獨(dú)孤九劍的難度。
2023-08-15 10:36:081898 SRAM型FPGA屬于核心元器件,因此對(duì)SRAM型FPGA進(jìn)行抗輻照加固設(shè)計(jì)非常必要。今天貧道主要給大家布道一下SRAM型FPGA在軌會(huì)遇到的問(wèn)題及其影響。
2023-08-11 10:32:461089 SRAM型FPGA屬于核心元器件,因此對(duì)SRAM型FPGA進(jìn)行抗輻照加固設(shè)計(jì)非常必要。今天貧道主要給大家布道一下SRAM型FPGA在軌會(huì)遇到的問(wèn)題及其影響。
2023-08-11 10:30:451264 本次操作的SRAM的型號(hào)是IS62WV51216,是高速,8M位靜態(tài)SRAM。它采用ISSI(Intergrated Silicon Solution, Inc)公司的高性能CMOS技術(shù),按照512K個(gè)字(16)位進(jìn)行組織存儲(chǔ)單元。
2023-07-22 14:58:561092 DS1220AB及DS1220AD 16k非易失(NV) SRAM為16,384位、全靜態(tài)NV SRAM,按照8位、2048字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路,控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC
2023-07-21 15:28:06
NV021 Final 數(shù)據(jù)表
2023-07-10 21:00:310 IP_數(shù)據(jù)表(M-1):SRAM and TCAM
2023-07-06 20:12:090 NV4V31SF 數(shù)據(jù)表
2023-07-04 20:27:470 NV4V41SF 數(shù)據(jù)表
2023-07-04 20:27:360 NV4V31MF 數(shù)據(jù)表
2023-07-04 20:27:190 ,非易失性存儲(chǔ)器在計(jì)算機(jī)關(guān)閉后存儲(chǔ)數(shù)據(jù)仍保留在計(jì)算機(jī)中。易失性存儲(chǔ)器的主要特征是它們需要電源來(lái)維持其存儲(chǔ)狀態(tài)。主要分為兩種類(lèi)型:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)。 1963年,F(xiàn)airchild發(fā)明了SRAM。作為即1959年I
2023-06-28 09:05:28874 基于表面電勢(shì)的Compact Model,除了HiSIM之外的另一個(gè)代表便是PSP Model.
2023-06-27 17:14:25857 AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化鎵)的熱管理
2023-06-19 10:05:37
采用了GaNSense?技術(shù)的NV6169 PQFN 8×8 GaNFast?功率IC,適用于更高功率的應(yīng)用
2023-06-16 11:12:02
消防物聯(lián)網(wǎng)是一種基于物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的消防安全管理系統(tǒng),在傳統(tǒng)消防系統(tǒng)的基礎(chǔ)上,通過(guò)智能化、網(wǎng)絡(luò)化和信息化技術(shù)的應(yīng)用,實(shí)現(xiàn)了對(duì)消防設(shè)備、環(huán)境和人員的實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)、數(shù)據(jù)采集、分析和預(yù)警,從而增強(qiáng)了消防安全的管理和應(yīng)急響應(yīng)能力。其主要特征包括:
2023-06-15 09:39:44586 玄鐵C910處理器是同構(gòu)多核架構(gòu),支持雙核;(開(kāi)源版本為雙核,預(yù)留四核接口),主要特征有。
2023-06-08 15:58:12652 NV170D-SOP8語(yǔ)音芯片有一組PWM輸出口,可以直推0.5w喇叭,音質(zhì)清晰,內(nèi)置LVR復(fù)位,無(wú)需外加復(fù)位電路。
2023-05-22 14:33:55176 SRAM(Static RAM)不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)?其中的“刷新電路”什么意思?謝謝~
2023-05-10 14:56:06
我們正在使用 iMXRT1176。我們的要求是使用片上SRAM和QSPI flash。
我們?cè)?SDK 中使用 sd_jpeg 示例并且它運(yùn)行完美。
給出了兩個(gè) icf 文件:
1) 內(nèi)存
2023-05-05 06:38:08
如何使用 QDR(TM) II SRAM 和 DDR II SRAM 用戶(hù)手冊(cè)
2023-04-27 20:25:406 EMI Serial SRAM是為串行接口的SRAM,外擴(kuò)SRAM可以通過(guò)使用SPI的接口來(lái)將外部RAM添加到幾乎所有應(yīng)用中。串行訪問(wèn)的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器采用先進(jìn)的CMOS技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)和制造,以提供高速性能和低功耗。
2023-04-27 17:37:44615 柔性制造的主要特征
(1) 機(jī)器柔性
系統(tǒng)的機(jī)器設(shè)備具有隨產(chǎn)品變化而加工不同零件的能力;
(2) 工藝柔性
系統(tǒng)能夠根據(jù)加工對(duì)象的變化或原材料的變化而確定相應(yīng)的工藝流程;
2023-04-26 14:42:121612 我正在使用 S32k358 uC,我想禁用內(nèi)存區(qū)域的數(shù)據(jù)緩存。在框圖中,我看到樹(shù)形 SRAM 塊 SRAM0、SRAM1、SRAM2。是否可以禁用 SRAM2 的數(shù)據(jù)緩存并保留 SRAM 0 和 SRAM1 的數(shù)據(jù)緩存?
2023-04-23 08:01:09
我們總會(huì)提取給定對(duì)象的固有屬性-特征。本章主要描述IEC 61000-4-2定義ESD脈沖特征。
2023-04-14 11:04:23900 高可靠性:變電站自動(dòng)化系統(tǒng)采用了各種先進(jìn)的技術(shù)和設(shè)備,如保護(hù)器、斷路器等,以保障整個(gè)系統(tǒng)的可靠性,在大幅度提升自動(dòng)化的同時(shí),也提供了系統(tǒng)的穩(wěn)定性和安全性。
2023-04-13 15:46:36673 、能量使用情況的數(shù)字化采集和更好的管理。數(shù)字化變電站是以數(shù)字化技術(shù)和信息化技術(shù)為主要手段,利用自動(dòng)化技術(shù)和智能化技術(shù)提高設(shè)備性能、運(yùn)營(yíng)效率和穩(wěn)定性,實(shí)現(xiàn)全面數(shù)字化管理、運(yùn)行和維護(hù)的現(xiàn)代化變電站。
2023-04-12 15:40:541515 變電站自動(dòng)化系統(tǒng)是指通過(guò)先進(jìn)的電力自動(dòng)化技術(shù)將變電站設(shè)備實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化和智能化,從而實(shí)現(xiàn)對(duì)變電站的監(jiān)測(cè)、控制和管理。其主要特征包括:
1. 自動(dòng)化程度高:變電站自動(dòng)化系統(tǒng)采用了大量先進(jìn)的電力
2023-04-11 14:59:331761 NV040C語(yǔ)音芯片,可部分替代MCU的功能,通過(guò)通訊口調(diào)用NV040C語(yǔ)音芯片集成的標(biāo)準(zhǔn)功能模塊,實(shí)現(xiàn)更多的擴(kuò)展功能應(yīng)用,在MCU開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)上可節(jié)省1元以上的成本,同時(shí)省去產(chǎn)品開(kāi)發(fā)過(guò)程中各類(lèi)需求功能代碼的開(kāi)發(fā)和調(diào)試時(shí)間。
2023-04-10 12:45:27273 割傷使用者,為了讓毛球修剪器使用得更放心,很多廠家會(huì)在該產(chǎn)品中置入SOP8封裝,小體積的NV040D語(yǔ)音芯片,讓毛球修剪器會(huì)語(yǔ)音播放提示目前工作的狀態(tài)。一、NV0
2023-04-07 10:41:06302 ELP-04NV
2023-04-06 23:35:38
SRAM可以分為低速、中速、高速。===========================================================16位寬的SRAM//16BITSRAM指針
2023-04-06 15:13:03554 智能電網(wǎng)是一種能夠?qū)崿F(xiàn)數(shù)據(jù)采集、分析和遠(yuǎn)程控制的電力系統(tǒng),它將應(yīng)用現(xiàn)代計(jì)算機(jī)、通信、感知、控制等新一代信息技術(shù),以實(shí)現(xiàn)對(duì)電力系統(tǒng)的更加智能拓展和管理,提高電網(wǎng)的效率、可靠性和安全性。
2023-04-03 16:48:573968 很容易割傷使用者,為了讓毛球修剪器使用得更放心,很多廠家會(huì)在該產(chǎn)品中置入SOP8封裝,小體積的NV040D語(yǔ)音芯片,讓毛球修剪器會(huì)語(yǔ)音播放提示目前工作的狀態(tài)。 一、NV040D語(yǔ)音芯片在毛球修剪器上的應(yīng)用 在毛球修剪器中加入我司的NV
2023-03-31 16:00:04228 前兩期,我們分別對(duì)OTP和MTP,RAM和ROM進(jìn)行了比較。這一次,我們來(lái)談?wù)凪emory Compiler,以及通過(guò)它生成的Register file和SRAM。
2023-03-31 10:56:378520 景和功能上都有所不同,語(yǔ)音時(shí)長(zhǎng)也不同。 目前市面上需求量最多的是40秒和80秒的語(yǔ)音芯片,那么80秒的語(yǔ)音芯片有哪些呢? 一、NV語(yǔ)音芯片系列:NV080C、NV080D、NVG080W、NV080B等; 九芯電子的語(yǔ)音芯片主要是品牌代表N+語(yǔ)音系列V+語(yǔ)音時(shí)長(zhǎng)(如080)+芯片系
2023-03-30 14:47:16447 在了解SRAM之前,有必要先說(shuō)明一下RAM。RAM主要的作用就是存儲(chǔ)代碼和數(shù)據(jù)供CPU在需要的時(shí)候調(diào)用。但是這些數(shù)據(jù)并不是像用袋子盛米那么簡(jiǎn)單,更像是圖書(shū)館中用書(shū)架擺放書(shū)籍一樣,不但要放進(jìn)去還要
2023-03-30 14:15:533196 今天就帶你詳細(xì)了解一下到底什么是SRAM,在了解SRAM之前,有必要先說(shuō)明一下RAM:RAM主要的作用就是存儲(chǔ)代碼和數(shù)據(jù)供CPU在需要的時(shí)候調(diào)用。
2023-03-30 14:11:51588 BOARD EVAL NV890101MWTX
2023-03-30 11:56:04
BOARD EVAL FOR NV890100
2023-03-30 11:54:40
BOARD EVAL NV890201MWTX
2023-03-30 11:54:30
EVAL BOARD FOR NV8664ST50T3G
2023-03-30 11:51:01
BOARD EVAL FOR NV706271
2023-03-29 22:54:26
NV1210B683K102CEMN
2023-03-29 22:46:08
B02P-NV(LF)(SN)
2023-03-29 21:59:06
B04P-NV(LF)(SN)
2023-03-29 21:52:39
B03P-NV(LF)(SN)
2023-03-29 21:50:16
ATTACHMNT NP3 PANEL CUTOUT NV3
2023-03-29 19:55:45
GASKET WATERPROOF FOR NV3Q 10/PK
2023-03-29 19:55:44
WATERPROOF PACKINGS FOR NV3W
2023-03-29 19:55:44
Battery NV Series
2023-03-29 19:55:43
PROTECTIVE SHEETS FOR NV3Q
2023-03-29 19:55:43
PROTECTIVE SHEETS FOR NV3W
2023-03-29 19:55:43
NV1206B103K102CEDN
2023-03-29 17:37:07
NV2220B224K102CEUN
2023-03-29 17:25:12
NV1206B473K102CEGN
2023-03-28 18:09:02
親愛(ài)的社區(qū),我有幾個(gè)關(guān)于 SRAM ECC 的問(wèn)題。1) SRAM 上的ECC 是否默認(rèn)啟用?哪些代碼使 SRAM 上的 ECC 啟用?2) 我試圖從 M7 內(nèi)核啟動(dòng) A53 內(nèi)核,所以我必須
2023-03-27 09:15:16
NV021 Final 數(shù)據(jù)表
2023-03-24 19:10:280
評(píng)論
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