英特爾公司正在計劃將目前的193nm浸入式微影技術擴展到14nm邏輯節點，此一計劃預計在2013下半年實現。同時，這家芯片業巨頭也希望能在2015年下半年于10nm邏輯節點使用超紫外光(EUV)微影技術進行生產。

　　但英特爾微影技術總監Sam Sivakumar指出，超紫外光(EUV)微影技術正面臨缺乏關鍵里程碑的危機。

　　盡管英特爾在距今4年前便已開始計劃10nm節點，但該公司目前正在敲定相關的制程設計規則，而EUV則遲遲未能參與此一盛晏。“EUV趕不及參與10nm節點設計規則的定義。”Sivakumar說。

　　Sivakumar表示，若生產工具順利在2012年下半年交貨，那么，EUV技術仍然很可能被應用在該公司的10nm節點。但即便如此，EUV技術的進度仍然落后。

　　英特爾正在考慮兩家公司的EUV技術工具：ASML和Nikon。據報導，ASML公司即將為英特爾推出一款“預生產”的EUV微影工具。ASML公司的這款工具名為NXE:3100，它采用Cymer公司的光源。

　　而Nikon日本總部和研發組織Selete則已開發了EUV alpha工具。今年或明年，ASML和Nikon應該都能推出成熟的EUV工具。

　　盡管如此，對EUV技術而言，時間依然緊迫。EUV是下一代微影(next-generation lithography, NGL)技術，原先預計在65nm時導入芯片生產。但該技術一直被推遲，主要原因是缺乏光源能(power sources)、無缺陷光罩、阻抗和量測等基礎技術。

　　先進芯片制造商們仍然指望能將EUV技術用在量產上，以努力避免可怕且昂貴的雙重曝光(double patterning)光學微影技術。然而，除了朝雙重曝光方向發展之外，芯片制造商們似乎別無選擇。專家認為，目前EUV主要瞄準16nm或更先進的節點。

　　設計規則的規則

　　英特爾在45nm節點使用干式193nm微影。在32納米則首次使用193nm浸入式生產工具，這部份主要使用Nikon的設備。

　　在22納米，英特爾將繼續使用193nm浸入式微影技術。這家芯片巨頭將在22nm節點的關鍵層同時使用ASML和Nkion的設備，預計2011下半年進入量產。

　　而后在14nm，這家芯片制造商將繼續使用193nm浸入式微影加上雙重曝光技術，該公司稱之為兩次間距曝光(pitch splitting)。在一些會議上，英特爾曾提及在14nm節點使用五倍曝光(quintuple patterning)。該公司希望為14nm節點建立一條EUV試產線，但目前尚不清楚EUV技術所需的準備時間。

　　英特爾已經確定其14nm節點的設計規則，有時甚至在產品量產前兩年便制訂完成。“針對14nm的設計規則目前是確定的。”Sivakumar說。

　　在65納米及以上制程，英特爾采用2D隨機和復雜的布局設計芯片。但在45nm時則很難再將2D隨機布局微縮。因此，在推進到45nm時，英特爾便轉移到1D的單向、柵格式(gridded)設計規則，他說。

　　針對10nm節點，英特爾希望在非關鍵層使用193nm浸入式技術，以及在更復雜和更精細的線切割步驟中使用EUV。“在這些步驟中，EUV是我們的首要選擇，”他說。如果EUV尚未就緒，那么英特爾很可能會使用無光罩或193nm浸入式技術來處理線切割步驟。

　　英特爾也已大致確立了其10nm設計規則，它將是基于1D單向、柵格式的設計。但難題是：英特爾的10nm設計規則必須以EUV或是193nm浸入式方案其中一種為主，他表示。

　　EUV顯然趕不及英特爾的10nm節點設計規則定義時程了，他說。據報導，英特爾已開始制定基于193nm浸入式和多重曝光(multiple-patterning)的設計規則。

　　當EUV工具就緒，英特爾可能會回頭重新定義設計規則。因此，實際上EUV仍有可能用于10nm節點。但若工具沒有準備好，英特爾就必須尋求其他的選擇。該公司的10納米設計規則將正式在2013年第一季抵定。