損耗是MOSFET的Qg乘以驅動器電壓和開關頻率的值。Qg請參考所使用的MOSFET的技術規格書。驅動器電壓或者實測，或者參考IC的技術規格書。
2020-04-05 11:52:00
3550 
在導通數據中，原本2，742μJ的開關損耗變為1，690μJ，損耗減少了約38%。在關斷數據中也從2，039μJ降至1，462μJ，損耗減少了約30%。
2020-07-17 17:47:44949 
對于半導體器件，損耗包括兩部分，一部分是開關損耗，一部分是傳導損耗，開關損耗隨頻率的升高而升高，傳導損耗不受工作頻率的影響。當開關損耗與傳導損耗相等時，總損耗最低。
2020-09-12 11:28:132213 
為了匹配CREE SiC MOSFET的低開關損耗，柵極驅動器必須能夠以快速壓擺率提供高輸出電流和電壓，以克服SiC MOSFET的柵極電容。
2021-05-24 06:17:002391 
MOSFET/IGBT的開關損耗測試是電源調試中非常關鍵的環節，但很多工程師對開關損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上，PFC MOSFET的開關損耗更是只能依據口口相傳的經驗反復摸索，那么該如何量化評估呢?
2022-10-19 10:39:231504 點擊“東芝半導體”，馬上加入我們哦！ 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布， 推出采用有助于降低開關損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET
2023-09-04 15:13:401134 
VCE的 dv/dt造成的電流注到柵極驅動回路中的風險，避免使器件重新偏置為傳導狀態，從而導致多個產生Eoff的開關動作。ZVS和ZCS拓撲在降低MOSFET 和 IGBT的關斷損耗方面很有優勢。不過
2018-08-27 20:50:45
和器件特性相關的三個主要功率開關損耗—導通損耗、傳導損耗和關斷損耗進行描述。此外，還通過舉例說明二極管的恢復特性是決定MOSFET 或 IGBT導通開關損耗的主要因素，討論二極管恢復性能對于硬開關拓撲
2021-06-16 09:21:55
一些參數進行探討，如硬開關和軟開關ZVS(零電壓轉換) 拓撲中的開關損耗，并對電路和器件特性相關的三個主要功率開關損耗—導通損耗、傳導損耗和關斷損耗進行描述。此外，還通過舉例說明二極管的恢復特性是決定
2020-06-28 15:16:35
可大大降低開關損耗。順便提一下，PrestoMOS的“Presto”是源于表示“急板”的音樂速度用語。開發旨在trr高速化的FN系列，是為了使逆變器電路和電機驅動器電路的損耗更低，并通過免除外置二極管
2018-11-28 14:27:08
MOSFET較小的柵極電阻可以減少開通損耗嗎？柵極電阻的值會在開通過程中影響與漏極相連的二極管嗎？
2023-05-16 14:33:51
，提高開關的速度，從而降低開關損耗，但是過高的開關速度會引起EMI的問題。（2）提高柵極驅動電壓也可以提高開關的速度，降低開關損耗。同時，高的柵極驅動電壓會增加驅動損耗，特別是輕載的時候，對效率
2017-03-06 15:19:01
過程中的開關損耗。開關損耗內容將分成二次分別講述開通過程和開通損耗，以及關斷過程和和關斷損耗。功率MOSFET及驅動的等效電路圖如圖1所示，RG1為功率MOSFET外部串聯的柵極電阻，RG2為功率
2017-02-24 15:05:54
在功率MOSFET的數據表中，列出了開通延時、開通上升時間，關斷延時和關斷下降時間，作者經常和許多研發的工程師保持技術的交流，在交流的過程中，發現有些工程師用這些參數來評估功率MOSFET的開關損耗
2016-12-16 16:53:16
矛盾的參數，為了減小導通電阻，就必須增加硅片面積；硅片面積增加，寄生的電容也要增加，因此對于一定的面積硅片，只有采用新的工藝技術，才能減小的寄生的電容。通常功率MOSFET的開關損耗主要與米勒電容、即
2016-10-10 10:58:30
要提高開關電源的效率，就必須分辨和粗略估算各種損耗。開關電源內部的損耗大致可分為四個方面：開關損耗、導通損耗、附加損耗和電阻損耗。這些損耗通常會在有損元器件中同時出現，下面將分別討論。 01與功率
2020-08-27 08:07:20
功率損耗。圖5 所示MOSFET 的漏源電壓( VDS)和漏源電流(IDS)的關系圖可以很好地解釋MOSFET 在過渡過程中的開關損耗，從上半部分波形可以看出VDS和tSW(ON)期間電壓和電流發生瞬變，MOSFET 的電容進行充電、放電。?? 圖5 所示，( VDS )降到最終導通狀態(=ID ×
2021-12-29 07:52:21
一、開關損耗包括開通損耗和關斷損耗兩種。開通損耗是指功率管從截止到導通時所產生的功率損耗；關斷損耗是指功率管從導通到截止時所產生的功率損耗。二、開關損耗原理分析：(1)、非理想的開關管在開通時，開關
2021-10-29 07:10:32
SiC-MOSFET和SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）組成的類型，也有僅以SiC-MOSFET組成的類型。與Si-IGBT功率模塊相比，開關損耗大大降低處理大電流的功率模塊中，Si的IGBT與FRD
2018-12-04 10:14:32
討論。與功率開關有關的損耗功率開關是典型的開關電源內部最主要的兩個損耗源之一。損耗基本上可分為兩部分：導通損耗和開關損耗。導通損耗是當功率器件已被開通，且驅動和開關波形已經穩定以后，功率開關處于導
2019-09-23 08:00:00
使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。但隨著半導體技術的進步，碳化硅 （SiC） 金屬氧化物半導體場效應晶體管 （MOSFET） 能夠以比 IGBT 更高的頻率進行開關，通過降低電阻和開關損耗來提高效率
2022-11-02 12:02:05
COOLMOS的開關時間約為常 規MOSFET的1/2；開關損耗降低約50%。關斷時間的下降也與COOLMOS內部低柵極電阻（＜1Ω＝有關。 4、抗雪崩擊穿能力與SCSOA 目前，新型
2023-02-27 11:52:38
產生的。傳導損耗與占空比有直接關系。當電流較高一側的MOSFET打開后，負載電流就會從其中通過。漏源通道電阻(RDSON)產生的功率耗散可以用公式1表示：其中D == 占空比對于LM2673這樣的非同
2018-08-30 14:59:56
如圖片所示，為什么MOS管的開關損耗（開通和關斷過程中）的損耗是這樣算的，那個72pF應該是MOS的輸入電容，2.5A是開關電源限制的平均電流
2018-10-11 10:21:49
本帖最后由 小小的大太陽 于 2017-5-31 10:06 編輯
MOS管的導通損耗影響最大的就是Rds，而開關損耗好像不僅僅和開關的頻率有關，與MOS管的結電容，輸入電容，輸出電容都有關系吧？具體的關系是什么？有沒有具體計算開關損耗的公式？
2017-05-31 10:04:51
，可以降低Eon損耗，并提供分離的開關引腳，可以將Eon損耗降低60%以上。它采用非常高效的Trench Field Stop II技術構建，并針對具有低導通電壓和最小化開關損耗優勢的高速開關進行了優化
2020-07-07 08:40:25
限度降低傳導和開關損耗）、如何最大限度降低柵極損耗、如何降低系統寄生效應的影響、如何減小導通電阻等問題。首先，考慮到關斷能量、導通能量、米勒效應等都會影響開關行為。通過降低柵極電阻（RG）或者在關閉
2019-07-09 04:20:19
時間trr快（可高速開關）?trr特性沒有溫度依賴性?低VF（第二代SBD）下面介紹這些特征在使用方面發揮的優勢。大幅降低開關損耗SiC-SBD與Si二極管相比，大幅改善了反向恢復時間trr。右側的圖表為
2019-03-27 06:20:11
參數進行探討，如硬開關和軟開關ZVS (零電壓轉換) 拓撲中的開關損耗，并對電路和器件特性相關的三個主要功率開關損耗—導通損耗、傳導損耗和關斷損耗進行描述。此外，還通過舉例說明二極管的恢復特性是決定
2017-04-15 15:48:51
本帖最后由 張飛電子學院魯肅 于 2021-1-30 13:21 編輯
本文詳細分析計算功率MOSFET開關損耗，并論述實際狀態下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關斷的過程，從而使電子
2021-01-30 13:20:31
MOSFET作為主要的開關功率器件之一，被大量應用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對其分析，有利于優化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是一味的減少MOSFET的損耗及其他方面的損耗
2019-09-25 07:00:00
極、柵極/ 源極及漏極/源極電容。這些電容會在器件中產生開關損耗，因為在每次開關時都要對它們充電。MOSFET的開關速度因此被降低，器件效率也下降。為計算開關過程中器件的總損耗，設計人員必須計算開通
2019-09-04 07:00:00
注到柵極驅動回路中的風險，避免使器件重新偏置為傳導狀態，從而導致多個產生Eoff的開關動作。ZVS和ZCS拓撲在降低MOSFET 和 IGBT的關斷損耗方面很有優勢。不過ZVS的工作優點在IGBT中
2019-03-06 06:30:00
討論。與功率開關有關的損耗功率開關是典型的開關電源內部最主要的兩個損耗源之一。損耗基本上可分為兩部分：導通損耗和開關損耗。導通損耗是當功率器件已被開通，且驅動和開關波形已經穩定以后，功率開關處于導
2019-09-02 08:00:00
。設計挑戰然而，SiC MOSFET 技術可能是一把雙刃劍，在帶來改進的同時，也帶來了設計挑戰。在諸多挑戰中，工程師必須確保：以最優方式驅動 SiC MOSFET，最大限度降低傳導和開關損耗。最大
2017-12-18 13:58:36
雙極晶體管 (IGBT)。然而，隨著半導體技術的進步，碳化硅 (SiC) 金屬氧化物半導體場效應晶體管具有比IGBT更高的開關頻率，不僅可以通過降低電阻和開關損耗提高效率，還可以增加功率和電流密度。在EV牽引
2022-11-03 07:38:51
SiC-MOSFET的量產。SiC功率模塊已經采用了這種溝槽結構的MOSFET，使開關損耗在以往SiC功率模塊的基礎上進一步得以降低。右圖是基于技術規格書的規格值，對1200V/180A的IGBT模塊、采用第二代
2018-11-27 16:37:30
充電器時的損耗降低情況① 與使用Si快速恢復二極管（Si FRD）的IGBT相比，開關損耗降低67%② 與損耗比IGBT更低的Super Junction MOSFET（SJ-MOSFET）相比
2022-07-27 10:27:04
4開關損耗測試結果圖六、總結開關損耗測試對于器件評估非常關鍵，通過專業的電源分析插件，可以快速有效的對器件的功率損耗進行評估，相對于手動分析來說，更加簡單方便。對于MOSFET來說，I2R的導通損耗計算公式是最好的選擇。
2021-11-18 07:00:00
壞該開關器件。 由于硬開關存在以上缺點，限制了開關器件工作頻率的提高，在軟開關技術出來之前，功率開關器件的開關損耗是很大的。為了彌補硬開關工作的不足，提出了軟開關技術。 軟開關技術的原理 所謂
2019-08-27 07:00:00
，為了保證控制環路的穩定性，無論有多少相位，都會自動穩定內部數字控制環路，而這正是以前的模擬技術所無法實現的。 圖5 ,柵極驅動的數值（VGD）改變時，RDSon就會變化，但是開關損耗降低。 可變柵極
2018-11-29 17:00:15
電容的充電。驅動電流能力越高，電容的充放電速度就越快。拉灌大量電荷的能力可以降低功率損耗和畸變。（傳導損耗是另一種FET開關損耗，傳導損耗取決于內部電阻或FET的RDS(on)值，其中，隨著電流
2022-11-14 06:52:10
開關管MOSFET的功耗分析MOSFET的損耗優化方法及其利弊關系
2020-12-23 06:51:06
如何更加深入理解MOSFET開關損耗？Coss產生開關損耗與對開關過程有什么影響？
2021-04-07 06:01:07
使功率耗散最小的器件。這個器件應該具有均衡的阻性和開關損耗。使用更小（更快）的MOSFET所增加的阻性損耗將超過它在開關損耗方面的降低，而更大（RDS（ON）更低）的器件所增加的開關損耗將超過它對于阻
2021-01-11 16:14:25
算法，可根據負載功率因子在不同扇區內靈活放置零電壓矢量，與傳統的連續調制SVPWM相比，在增加開關頻率的同時減小了開關電流。仿真結果也表明這種方法有著最小的開關損耗。
2019-10-12 07:36:22
和計算開關損耗，并討論功率MOSFET導通過程和自然零電壓關斷過程的實際過程，以便電子工程師了解哪個參數起主導作用并了解MOSFET. 更深入地MOSFET開關損耗1，通過過程中的MOSFET開關損耗功率M...
2021-10-29 08:43:49
與齊納二極管并聯，與漏源端子并聯。在雪崩期間，現代MOSFET可以耗散很多，但不建議讓零件連續雪崩，而只能在接通等過載情況下。雪崩是產生EMI的隨機過程。 3、Rdson，開關損耗 標準硅MOSFET
2023-02-20 16:40:52
MOSFET通過降低開關損耗和具有頂部散熱能力的DaulCool功率封裝技術可以實現更高的工作頻率,從而能夠獲得更高的功率密度。 理想開關 在典型的同步降壓開關電源轉換器中,MOSFET作為開關使用時
2012-12-06 14:32:55
動態恒流區、一段穩定時間的米勒平臺恒流區，此時MOSFET均工作于放大狀態，這也可以理解：MOSFET在開關過程中，跨越恒流區（放大區），是MOSFET產生開關損耗的直接原因。
2016-11-29 14:36:06
功率MOSFET的Coss會產生開關損耗，在正常的硬開關過程中，關斷時VDS的電壓上升，電流ID對Coss充電，儲存能量。在MOSFET開通的過程中，由于VDS具有一定的電壓，那么Coss中儲能
2017-03-28 11:17:44
碳化硅（SiC）等寬帶隙技術為功率轉換器設計人員開辟了一系列新的可能性。與現有的IGBT器件相比，SiC顯著降低了導通和關斷損耗，并改善了導通和二極管損耗。對其開關特性的仔細分析表明，SiC
2023-02-22 16:34:53
的圖像。圖1：開關損耗讓我們先來看看在集成高側MOSFET中的開關損耗。在每個開關周期開始時，驅動器開始向集成MOSFET的柵極供應電流。從第1部分，您了解到MOSFET在其終端具有寄生電容。在首個時段
2018-08-30 15:47:38
。在此期間，電感電流通過輸出電容、負載和正向偏置二極管。負載電流流過二極管產生的功率耗散可以用公式2表示：其中VF是選定二極管的正向電壓降。除了集成MOSFET與環流二極管中的傳導損耗，電感器中也有傳導
2018-06-07 10:17:46
，在這兩種情況下估算時間t3作為MOSFET的上升和下降時間，您可使用等式4估算開關損耗：開關損耗取決于頻率和輸入電壓。因此，輸入電壓和開關頻率較高時，總效率相對降低。在輕負載時，LM2673非同步降壓
2018-06-05 09:39:43
功率器件損耗主要分為哪幾類？什么叫柵極電荷？開關損耗和柵極電荷有什么關系？
2021-06-18 08:54:19
新技術就可通過降低RDS（ON）和柵極電荷（Qg），最大限度地減少傳導損耗和提高開關性能。這樣，MOSFET就能應對開關過程中的高速電壓瞬變（dv/dt）和電流瞬變（di/dt），甚至可在更高的開關頻率下
2011-08-17 14:18:59
請您介紹一下驅動器源極引腳是如何降低開關損耗的。首先，能否請您對使用了驅動器源極引腳的電路及其工作進行說明？Figure 4是具有驅動器源極引腳的MOSFET的驅動電路示例。它與以往驅動電路
2020-07-01 13:52:06
產生效果相反的兩種反饋電壓，分別控制 MOSFET 柵源電壓的上升和下降時間，因此降低功率回路中的 di/dt。然而，這樣通常會增加開關損耗，因此并非理想方法 [8]，[9]。功率級寄生電容公式 1
2020-11-03 07:54:52
圖1：開關損耗讓我們先來看看在集成高側MOSFET中的開關損耗。在每個開關周期開始時，驅動器開始向集成MOSFET的柵極供應電流。從第1部分，您了解到MOSFET在其終端具有寄生電容。在首個時段（圖
2022-11-16 08:00:15
電流能力越高，電容的充放電速度就越快。拉灌大量電荷的能力可以降低功率損耗和畸變。（傳導損耗是另一種FET開關損耗，傳導損耗取決于內部電阻或FET的RDS(on)值，其中，隨著電流通過，FET也會耗散
2019-08-07 04:45:12
在升壓變換器中利用新型MOSFET減少開關損耗
摘要：升壓變換器通常應用在彩色監視器中。為提高開關電源的效率，設計
2009-07-20 16:03:00564 
理解功率MOSFET的開關損耗
本文詳細分析計算開關損耗，并論述實際狀態下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關斷的過程，從而使電子工程師知道哪個參數起主導作用并
2009-10-25 15:30:593320 MOSFET才導通，因此同步MOSFET是0電壓導通ZVS，而其關斷是自然的0電壓關斷ZVS，因此同步MOSFET在整個開關周期是0電壓的開關ZVS，開關損耗非常小，幾乎可以忽略不計，所以同步MOSFET只有RDS(ON)所產生的導通損耗，選取時只需要考慮RDS（ON）而不需要考慮Crss的值。
2012-04-12 11:04:2359180 
為了有效解決金屬-氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）在通信設備直流-48 V緩啟動應用電路中出現的開關損耗失效問題，通過對MOSFET 柵極電荷、極間電容的闡述和導通過程的解剖，定位了MOSFET 開關損耗的來源，進而為緩啟動電路設計優化，減少MOSFET的開關損耗提供了技術依據。
2016-01-04 14:59:05
38 使用示波器測量電源開關損耗。
2016-05-05 09:49:380 MOSFET/IGBT的開關損耗測試是電源調試中非常關鍵的環節，但很多工程師對開關損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上，PFC MOSFET的開關損耗更是只能依據口口相傳的經驗反復摸索，那么該如何量化評估呢？
2017-11-10 08:56:426345 1、CCM 模式開關損耗
CCM 模式與 DCM 模式的開關損耗有所不同。先講解復雜 CCM 模式，DCM 模式很簡單了。
2018-01-13 09:28:578163 
工藝技術，可以在給
定 RDS(ON) 值的情況下實現低 QG，從而獲得較低的品
質因數 （Figure of Merit， FOM）。 MCP87130 的低
FOM 與低 RG 相結合，可以支持高效率的功率轉換，并
降低開關損耗和傳導損耗。
2018-06-29 11:23:002 逆變器的功率密度，探討了采用軟開關技術的碳化硅 MOSFET 逆變器。 比較了不同開關頻率下的零電壓開關三相逆變器及硬開關三相逆變器的損耗分布和關鍵無源元件的體積， 討論了逆變器效率和關鍵無源元件體積與開關頻率之間的關系。 隨著開關頻率從數十 kHz 逐漸提升至數百
2018-10-08 08:00:0029 一個高質量的開關電源效率高達95％，而開關電源的損耗大部分來自開關器件（MOSFET和二極管），所以正確的測量開關器件的損耗，對于效率分析是非常關鍵的。那我們該如何準確測量開關損耗呢？
2019-06-26 15:49:45721 一個高質量的開關電源效率高達95%，而開關電源的損耗大部分來自開關器件（MOSFET和二極管），所以正確的測量開關器件的損耗，對于效率分析是非常關鍵的。那我們該如何準確測量開關損耗呢？
2019-06-27 10:22:081926 電子發燒友網為你提供如何正確評估功率MOSFET的開關損耗？資料下載的電子資料下載，更有其他相關的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設計、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-01 08:49:1511 功率MOSFET的開關損耗分析。
2021-04-16 14:17:0248 一、開關損耗包括開通損耗和關斷損耗兩種。開通損耗是指功率管從截止到導通時所產生的功率損耗；關斷損耗是指功率管從導通到截止時所產生的功率損耗。二、開關損耗原理分析：(1)、非理想的開關管在開通時，開關
2021-10-22 10:51:0611 和計算開關損耗，并討論功率MOSFET導通過程和自然零電壓關斷過程的實際過程，以便電子工程師了解哪個參數起主導作用并了解MOSFET. 更深入地MOSFET開關損耗1，通過過程中的MOSFET開關損耗功率M...
2021-10-22 17:35:5953 的圖像。
圖1：開關損耗
讓我們先來看看在集成高側MOSFET中的開關損耗。在每個開關周期開始時，驅動器開始向集成MOSFET的柵極供應電流。從第1部分，您了解到MOSFET在其終端具有寄生電容
2022-01-21 17:01:12831 
如今的開關電源技術很大程度上依托于電源半導體開關器件，如MOSFET和IGBT。這些器件提供了快速開關速度，能夠耐受沒有規律的電壓峰值。同時在On或Off狀態下小號的功率非常小，實現了很高的轉化效率
2021-11-23 15:07:571095 近日，東芝研發出新款4.5-kV雙柵極反向傳導注入增強型柵極晶體管（RC-IEGT）。經測試證實，相比于傳統單柵極結構，該產品在導通關斷時的總功耗（開關損耗）可降低24%。
2022-06-30 17:09:381097 功耗是傳導損耗和開關損耗的總和，傳導損耗也稱為靜態損耗。另一方面，開關損耗也稱為動態損耗。
2022-07-26 17:30:032675 
MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統中，MOSFET可被看成電氣開關。例如N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時，當VGS電壓達到MOSFET的開啟電壓時，MOSFET導通等同開關導通，有IDS通過，實現功率轉換。
2022-11-28 15:53:05666 開關過程中，穿越線性區（放大區）時，電流和電壓產生交疊，形成開關損耗。其中，米勒電容導致的米勒平臺時間，在開關損耗中占主導作用。
2023-01-17 10:21:00978 特別是對于SiC MOSFET，柵極驅動器IC必須將開關和傳導損耗（包括導通和關斷能量）降至最低。
2023-02-06 14:27:17387 功率半導體的柵極電阻選型，一般有兩個優化目標。一方面，選擇電阻值較小的柵極電阻，可以使得功率半導體的開關速度更快。這將降低開關損耗，從而降低總體損耗
2023-02-07 17:03:341312 
全SiC功率模塊與現有的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開關損耗、2）開關頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優勢。
2023-02-08 13:43:22673 
MOSFET和IGBT等電源開關器件被廣泛應用于各種電源應用和電源線路中。需要盡可能地降低這種開關器件產生的開關損耗和傳導損耗，但不同的應用其降低損耗的方法也不盡相同。近年來，發現有一種方法可以改善
2023-02-09 10:19:18634 
－接下來，請您介紹一下驅動器源極引腳是如何降低開關損耗的。首先，能否請您對使用了驅動器源極引腳的電路及其工作進行說明？Figure 4是具有驅動器源極引腳的MOSFET的驅動電路示例。
2023-02-16 09:47:49457 
從某個外企的功率放大器的測試數據上獲得一個具體的感受：導通損耗60W開關損耗251。大概是1:4.5 下面是英飛凌的一個例子：可知，六個管子的總功耗是714W這跟我在項目用用的那個150A的模塊試驗測試得到的總功耗差不多。 導通損耗和開關損耗大概1:2
2023-02-23 09:26:4915 上一篇文章中探討了同步整流降壓轉換器的功率開關--輸出端MOSFET的傳導損耗。本文將探討開關節點產生的開關損耗。開關損耗：見文識意，開關損耗就是開關工作相關的損耗。在這里使用PSWH這個符號來表示。
2023-02-23 10:40:49623 
本文將探討功率開關MOSFET的柵極驅動相關的損耗，即下圖的高邊和低邊開關的“PGATE”所示部分。柵極電荷損耗是由該例中外置MOSFET的Qg（柵極電荷總量）引起的損耗。
2023-02-23 10:40:50428 
全SiC功率模塊與現有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優異性能。本文將對開關損耗進行介紹，開關損耗也可以說是傳統功率模塊所要解決的重大課題。
2023-02-24 11:51:28496 
MOSFET的柵極電荷（米勒電容）以及控制IC的驅動能力。本應用筆記將詳細分析導通開關損耗以及選擇開關P溝道MOSFET的標準。
2023-03-10 09:26:35556 
的充電。驅動電流能力越高，電容充電或放電的速度就越快。能夠源出和吸收大量電荷可最大限度地減少功率損耗和失真。（傳導損耗是FET中其他類型的開關損耗。傳導損耗由內阻或RDS（開啟），其中 FET 的 .FET隨著電流的傳導而耗散功率。
2023-04-07 10:23:291234 
的傳導和開關損耗，本文以給出了使用ST碳化硅MOSFET的主要設計原則，以得到最佳性能。一，如何減少傳導損耗：碳化硅MOSFET比超結MOSFET要求更高的G級電壓
2022-11-30 15:28:282647 
使用SiC MOSFET時如何盡量降低電磁干擾和開關損耗
2023-11-23 09:08:34333 
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