什么是3D晶體管？3D晶體管，從技術上講，應該是三個門晶體管。傳統的二維門由較薄的三維硅鰭（fin）所取代，硅鰭由硅基垂直伸出。
2012-08-08 11:12:01
3086 8050的情況下，補碼通常是8550。8050和8550晶體管的技術額定值通常是相同的。區別在于它們的極性。它們共同允許電流安全地流過無線電和無線電，從而為傳輸提供動力，并允許在用戶端實現多種功能
2023-02-16 18:22:30
其實早在2002年Intel即發現了這一技術，一直處于試驗演示階段，現在終于把它變成了現實，Intel打算把它融入到22nm的“Ivy Bridge”芯片，Ivy Bridge晶體管的數量將達到10億。
2020-04-07 09:01:21
3D顯示技術的原理是什么？3D顯示技術有哪些應用？3D拍好了到底怎么樣傳輸？
2021-05-31 06:53:03
的減輕產品重量呢？采用新型的塑料成型技術：3D混合制造 可以到達要求，3D混合制造步驟是3D打印成型/激光LDS選擇性沉積金屬。采用這種工藝的好處是節省了制造時間和實現了復雜的饋源/波導等器件的一體化免安裝調試，且帶來的另外好處是大幅度減輕了產品重量。下面舉例說明：
2019-07-08 06:25:50
晶體管技術方案面臨了哪些瓶頸？
2021-05-26 06:57:13
的B和C對稱、和E極同樣是N型。也就是說，逆接C、E也同樣有晶體管的功效。即電流由E→C流動。3. 逆向晶體管有如下特點。hFE低（正向約10%以下）耐壓低 (7 to 8Ｖ 與VEBO一樣低)↑通用
2019-04-09 21:27:24
晶體管并聯時，當需要非常大的電流時，可以將幾個晶體管并聯使用。因為存在VBE擴散現象，有必要在每一個晶體管的發射極上串聯一個小電阻。電阻R用以保證流過每個晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據
2024-01-26 23:07:21
晶體管之間的差異性：就三極管，mos管和可控硅之間的差別和相同點的相關概念有點模糊，請各位大俠指點！！！
2016-06-07 23:27:44
晶體管分類 按半導體材料和極性分類 按晶體管使用的半導體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管。 按結構
2010-08-12 13:59:33
晶體管參數測量技術報告摘 要晶體管的參數是用來表征管子性能優劣和適應范圍的指標，是選管的依據。為了使管子安全可靠的工作，必須注意它的參數。本文主要論述以AduC812為核心的晶體管參數測試系統，該系
2012-08-02 23:57:09
本帖最后由 gongddz 于 2017-3-29 09:06 編輯
晶體管作為電流單方向通過的電子開關使用晶體管也可以作為電子開關使用。但這個開關的電流方向只能是單向的，pnp型管和npn型
2017-03-28 15:54:24
` 《晶體管電路設計（下）》是“實用電子電路設計叢書”之一，共分上下二冊。本書作為下冊主要介紹晶體管／FET電路設計技術的基礎知識和基本實驗，內容包括FET放大電路、源極跟隨器電路、功率放大器
2019-03-06 17:29:48
晶體管圖示儀器是用來測量晶體管輸入、輸出特性曲線的儀器。在實驗、教學和工程中通過使用圖示儀，可以獲得晶體管的實際特性，能更好的發揮晶體管的作用。
2021-05-07 07:43:17
的hFE檔測量。測量時，應先將萬用表置于ADJ檔進行調零后，再撥至hFE檔，將被測晶體管的C、B、E三個引腳分別插入相應的測試插孔中（采用TO-3封裝的大功率晶體管，可將其3個電極接出3根引線后，再分
2012-04-26 17:06:32
在PROTUES中如何改變晶體管的放大倍數？有的器件有放大倍數改變的參數。另外，不同的仿真模型參數不同如何改變？
2014-02-28 08:42:03
晶體管測量模塊的基本特性有哪些？晶體管測量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
組成。 BA.3B.4C.5D.63.固定偏置共射極放大電路，已知RB=300KΩ，RC=4KΩ，Vcc=12V，β=50，則ICQ為( )。 CA.2μAB.3μAC.2mAD.3mA4.三相異步電動機的轉子由轉子鐵心、轉子繞組、風扇、換向器等組成。 ×5.單結晶體管的結構中有( )個PN結。 CA.
2021-09-02 06:19:31
從事電子設計7年了，發覺這兩本書挺好的，發上來給大家分享一下附件晶體管電路設計（上）放大電路技術的實驗解析.pdf42.5 MB晶體管電路設計（下）FET_功率MOS_開關電路的實驗解析.rar.zip47.2 MB
2018-12-13 09:04:31
`非常不錯的晶體管電路設計書籍！`
2016-11-08 14:12:33
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-3 21:31 編輯
圖解實用電子技術叢書---晶體管電路設計與制作，黑田徹著aTeastaEdaitaTeastaEdait
2013-11-01 17:14:06
IC一般不能超出ICM。(3) 集電極最大允許功耗PCMPCM是指晶體管參數變化不超出規定允許值時的最大集電極耗散功率。使用晶體管時，實際功耗不允許超過PCM，通常還應留有較大余量，因為功耗過大往往是
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數有哪些？晶體管的開關電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
（電阻器）組成。構成晶體管的硅是形成地球的巖石中大量含有的物質。因此，晶體管也俗稱"石"，設計者常用"…之石"的叫法3. 按集成度分類為滿足客戶需求，ROHM在分立式
2019-04-10 06:20:24
本文為大家介紹“Si晶體管”（之所以前面加個Si,是因為還有其他的晶體管，例如SiC）。 雖然統稱為“Si晶體管”，但根據制造工藝和結構，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外，還可根據處理
2020-06-09 07:34:33
本篇開始將為大家介紹“Si晶體管”。雖然統稱為“Si晶體管”，不過根據制造工藝和結構，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外，還可根據處理的電流、電壓和應用進行分類。下面以“功率元器件”為主
2018-11-28 14:29:28
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發明給當時的電子工業界來帶來了前所未有的沖擊。而且，正是這個時候成為了今日電子時代的開端。之后以計算機為首，電子技術取得急速
2019-07-23 00:07:18
有效芯片面積的增加，(2)技術上的簡化，(3)晶體管的復合——達林頓，(4)用于大功率開關的基極驅動技術的進步。、直接工作在整流380V市電上的晶體管功率開關晶體管復合(達林頓)和并聯都是有效地增加
2018-10-25 16:01:51
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發明給當時的電子工業界來帶來了前所未有的沖擊。而且，正是這個時候成為了今日電子時代的開端。之后以計算機為首，電子技術取得急速
2019-05-05 00:52:40
）用業收集電子。晶體管的發射極電流IE與基極電流IB、集電極電流IC之間的關系如下：IE=IB+IC3．晶體管的工作條件晶體管屬于電流控制型半導體器件，其放大特性主要是指電流放大能力。所謂放大，是指當
2013-08-17 14:24:32
圖像中放、伴音中放、緩沖放大等）電路中使用的高頻晶體管，可以選用特征頻率范圍在30~300MHZ的高頻晶體管，例如3DG6、3DG8、3CG21、2SA1015、2SA673、2SA733、S9011
2012-01-28 11:27:38
的B和C對稱、和E極同樣是N型。也就是說，逆接C、E也同樣有晶體管的功效。即電流由E→C流動。3. 逆向晶體管有如下特點。hFE低（正向約10%以下）耐壓低 (7 to 8Ｖ 與VEBO一樣低)↑通用
2019-05-09 23:12:18
晶體管 &
2010-08-12 13:57:39
【不懂就問】圖中的晶體管驅動電路，在變壓器Tr的副邊輸出電阻R3上并聯的二極管D2，說D2的作用是在輸入端有正脈沖輸入時使得變壓器次級產生的的正脈沖通過D2，直接驅動MOSFET管Q2，達到提高導
2018-07-09 10:27:34
是碳化硅（SiC）襯底上的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。這種GaN內匹配（IM）場效應晶體管與其他技術相比，提供了優異的功率附加效率。GaN與硅或砷化鎵相比具有更高的性能，包括更高
2018-08-13 10:58:03
Finfet技術（3D晶體管）詳解
2012-08-19 10:46:17
JY-3晶體管測試儀技術說明書
2012-08-03 00:00:14
。圖片：D. Hisamoto等人，1990年 英特爾在 2012 年宣布使用批量配置（22 納米技術）（圖 11）。 圖 11.英特爾的鰭式場效應晶體管。圖片：英特爾公司 一些基本功能
2023-02-24 15:20:59
求大神相助，Multisim里面雪崩晶體管的過壓擊穿怎么放著那，當我設的電壓已經大于了Vcbo滯后還是不見晶體管導通。
2014-08-08 10:42:58
一、引言PNP 晶體管是雙極結型晶體管（BJT）。PNP晶體管具有與NPN晶體管完全不同的結構。在PNP晶體管結構中，兩個PN結二極管相對于NPN晶體管反轉，使得兩個P型摻雜半導體材料被一層薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
近年來，3D打印技術全面開花！好像隔兩天你就會聽到3D打印引領發展潮流的相關報道。最近，我讀到一篇有關第一臺太空3D打印機的報道。NASA希望3D打印將在某一天隨時隨地為打印備用零件提供資源，并且在
2018-09-11 14:04:15
晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制和許多其它功能
2010-08-13 11:36:51
作， (3)可得到的器件耐壓范圍從100V到700V，應有盡有． 幾年前，晶體管的開關能力還小于10kW。目前，它已能控制高達數百千瓦的功率。這主要歸功于物理學家、技術人員和電路設計人員的共同努力，改進
2010-08-13 11:38:59
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個晶體管來代替，MFR151管子能用哪個來代替？或是誰有這兩個高頻管子的原件庫？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
本帖最后由 王棟春 于 2021-1-5 22:40 編輯
《晶體管電路設計與制作》是“圖解實用電子技術叢書”之一。本書首先對各種模擬電路的設計和制作進行詳細敘述；然后利用可在微機
2021-01-05 22:38:36
與銷售集團總裁Stacy Smith英特爾公司執行副總裁兼制造、運營與銷售集團總裁Stacy Smith全球首次展示“Cannon Lake”10納米晶圓，采用超微縮技術，擁有世界上最密集的晶體管和最小
2017-09-22 11:08:53
世界首款3D芯片工藝即將由無晶圓半導體公司BeSang授權。 BeSang制造了一個示范芯片，在邏輯控制方面包含1.28億個縱向晶體管的記憶存儲單元。該芯片由韓國國家Nanofab和斯坦福
2008-08-18 16:37:37
互補晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
當3D電影已成為影院觀影的首選，當3D打印已普及到雙耳無線藍牙耳機，一種叫“3D微波”的技術也悄然而生。初次聽到“3D微波”，你可能會一臉茫然，這個3D微波是應用在哪個場景？是不是用這種技術的微波爐1秒鐘就能把飯煮熟？O M G!我覺得很有必要給大家科普一下！
2019-07-02 06:30:41
調制和振蕩器。晶體管可以獨立封裝，也可以封裝在非常小的區域內，容納1億個或更多晶體管集成電路的一部分。（英特爾 3D 晶體管技術）嚴格來說，晶體管是指基于半導體材料的所有單一元件，包括由各種半導體材料
2023-02-03 09:36:05
顯示器和透明太陽能電池板產品的出現。 在許多透明電子系統中，晶體管都是至關重要的部件。如今，這種器件通常是薄膜晶體管形式，由In2O3、ZnO2、SnO2等透明導電氧化物材料制成。 不過，薄膜晶體管
2020-11-27 16:30:52
達林頓晶體管是一對雙極晶體管，連接在一起，從低基極電流提供非常高的電流增益。輸入晶體管的發射極始終連接到輸出晶體管的基極;他們的收藏家被綁在一起。結果，輸入晶體管放大的電流被輸出晶體管進一步放大
2023-02-16 18:19:11
電場控制材料的電導率。 鰭式場效應晶體管是一種非平面器件，即不受單個平面的限制。它也被稱為3D，因為具有第三維度。 為避免混淆，必須了解不同的文獻在提及鰭式場效應晶體管器件時使用不同的標簽
2023-02-24 15:25:29
描述你有沒有想過如何自己想出一個觸摸開關？是的！隨著晶體管的發明，一切都成為可能。在這個項目中，我們將使用 BC547 晶體管和其他支持組件構建一個簡單的觸摸傳感器電路。這種類型的開關可用于現代
2022-08-30 07:23:58
PNP晶體管在哪里使用？放大電路采用PNP晶體管。達林頓對電路采用PNP晶體管。機器人應用利用了PNP晶體管。PNP 晶體管用于控制大功率應用中的電流。如何控制PNP晶體管？首先，為了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
請教：單結晶體管在什么位置，有人說是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
做了一個單結晶體管仿真（電力電子技術的初學者）。有個問題請教于各位高手。1：開關初始時刻是閉合的時候，點擊仿真，發光二極管不亮 。:2：初始時刻，開關打開，點擊仿真后，點擊開關閉合，二極管開始閃爍。按照道理來說。情境1與情境2不應該是一樣的嗎，為什么會有差別啊。
2017-03-07 21:07:45
各位高手，小弟正在學習單結晶體管，按照網上的電路圖做的關于單結晶體管的仿真，大多數都不成功，請問誰有成功的單結晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽極的兩個二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態下，基極-發射極結（稱這個PN結為“發射結”）處于正向偏置狀態，而基極-集電極（稱這個PN結為“集電結”）則處于反向偏置狀態。
2019-09-26 09:00:23
，導致流過晶體管的電流為零的大耗盡層。在這種情況下，晶體管被關閉。 截斷區域特征如下所示： 圖3.截斷區域特征。圖片由Simon Munyua Mugo提供 晶體管操作類似于單刀單擲固態開關
2023-02-20 16:35:09
如何去判別晶體管材料與極性？如何去檢測晶體管的性能？怎樣去檢測特殊晶體管？
2021-05-13 07:23:57
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
為了改善晶體管的開關特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅動電路的設計上會采取一些加速措施。如下： 加速電路一 在加速電路一中，并聯在RB兩端的電容CB稱為加速電容，數值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
本帖最后由 LOVE玲 于 2017-8-22 19:42 編輯
電路見圖中，請教各位前輩們在此電路中，如何用軟件檢測晶體管的故障？謝謝大家！
2017-08-22 19:36:41
來至網友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們在型號上的大致區別是什么？例如《晶體管電路設計》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）。現在產品設計中最常用的型號是哪些？
2017-10-11 23:53:40
bandgap中晶體管的熱噪聲比較大，通過什么手段能解決？
2021-06-24 07:29:25
晶體管為保持ON狀態的最低電壓、定義VI(on)為min錯誤觀點1：由0開始依次加入輸入電壓。2：達到1.8V時，數字晶體管啟動。3：因在規格書規定的3V(min) 以下，故判斷為不合格。正確觀點A
2019-04-22 05:39:52
混淆VI(on): 數字晶體管為保持ON狀態的最低電壓、定義VI(on)為min錯誤觀點1：由0開始依次加入輸入電壓。2：達到1.8V時，數字晶體管啟動。3：因在規格書規定的3V(min) 以下，故
2019-04-09 21:49:36
急需一種流動性更強的新材料來替代硅。三五族材料砷化銦鎵就是候選半導體之一，普渡大學通過這種材料做出了全球首款3D環繞閘極(gate-all-around)晶體管。此外，三五族合金納米管將把閘極長度
2011-12-08 00:01:44
（電阻器）組成。構成晶體管的硅是形成地球的巖石中大量含有的物質。因此，晶體管也俗稱"石"，設計者常用"…之石"的叫法3. 按集成度分類為滿足客戶需求，ROHM在分立式
2019-05-05 01:31:57
效率和功率密度。GaN功率晶體管作為一種成熟的晶體管技術在市場上確立了自己的地位，但在軟開關應用中通常不被考慮使用。雖然在硬開關應用中使用GaN可以顯著提高效率，但軟開關轉換器（如LLC）對效率和頻率
2023-02-27 09:37:29
求51單片機 STC89c526個晶體管問題按下鍵1 晶體管1閃爍 鍵2+，鍵3-，鍵4修改鬧鐘時間，再按鍵1 晶體管2閃爍 鍵2+，鍵3-，鍵4修改鬧鐘時間，以此類推。求大神幫助
2017-03-12 19:59:39
3D視覺技術有何作用？常見的3D視覺方案主要有哪些？
2021-11-09 07:46:56
` 引言 在功率變換器應用中，寬帶隙（WBG）技術日益成為傳統硅晶體管的替代產品。在某些細分市場的應用場景中，提升效率極限一或兩個百分點依然關系重大，變換器功率密度的提高可以提供更多應用優勢
2021-01-19 16:48:15
正在從二維走向三維世界——芯片設計、芯片封裝等環節都在向3D結構靠攏。晶體管架構發生了改變當先進工藝從28nm向22nm發展的過程中，晶體管的結構發生了變化——傳統的平面型晶體管技術（包括體硅技術
2020-03-19 14:04:57
的GAA晶體管結構，三星通過使用納米片設備制造出MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場效應管），該技術可以顯著增強晶體管性能，取代FinFET晶體管技術。 此外，MBCFET技術還能兼容現有的FinFET制造工藝的技術及設備，從而加速工藝開發及生產。
2020-07-07 11:36:10
來至網友的提問：如何選擇分立晶體管？
2018-12-12 09:07:55
請問怎樣理解3D ICs技術之變？
2021-06-18 07:20:20
這個達林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:10 編輯
高清圖詳解英特爾最新22nm 3D晶體管
2012-08-05 21:48:28
高清圖詳解英特爾最新22nm_3D晶體管
2012-08-02 23:58:43
本文通過高清圖詳解Intel最新22nm 3D 晶體管 。業界一直傳說3D三柵級晶體管技術將會用于下下代14nm的半導體制造，沒想到英特爾竟提前將之用于22nm工藝，并且于上周四向全世界表示將在
2012-08-03 17:09:18
0 本文核心議題： 通過本文介紹，我們將對Intel 22nm 3D三柵極晶體管技術有著詳細的了解。業界一直傳說3D三柵級晶體管技術將會用于下下代14nm的半導體制造，沒想到英特爾竟提前將之用
2012-08-15 10:45:277281 
英特爾已經準備把第一個3D晶體管結構導入大量生產，它將是首款使用3-D Tri-Gate晶體管的量產芯片。22納米處理器，代號為Ivy Bridge。3-D晶體管和2-D平面晶體管有本質性的區別，它不只可
2012-08-15 11:23:24949 
英特爾已經準備把第一個3D晶體管結構導入大量生產，它將是首款使用3-D Tri-Gate晶體管的量產芯片。22納米處理器，代號為Ivy Bridge。3-D晶體管和2-D平面晶體管有本質性的區別，它不只可
2012-08-15 11:23:241232 英特爾已經準備把第一個3D晶體管結構導入大量生產，它將是首款使用3-D Tri-Gate晶體管的量產芯片。22納米處理器，代號為Ivy Bridge。3-D晶體管和2-D平面晶體管有本質性的區別，它不只可
2012-08-15 11:23:244845 FinFET的芯片。在2月份舉行的這次Common Platform 2013技術論壇上，IBM除了展示FinFET這種3D晶體管技術外，還展示了諸如硅光子晶體管，碳納米管等前沿技術。
2013-02-20 23:04:307799 CPU里的晶體管都是集成的超微晶體管，一個22納米工藝的i5可能集成上十億的晶體管。
2020-01-31 16:10:0013392
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