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多晶硅供應過剩令光伏價格承壓

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2023-06-05 15:10:011596

【周評】組件大幅走跌,光伏市場價格混戰(zhàn)!P-N出現(xiàn)同價!

多晶硅 晶7元/千克,多晶硅致密料主流價格110-123元/千克,多晶硅價格指數(shù)106.23元/千克。 多晶硅價格再度走跌,多晶硅庫存持續(xù)走高目前已經(jīng)逼近13萬大關,硅片價格的走跌一定程度加速
2023-06-05 09:53:13918

5.5太陽能級多晶硅的物理冶金制備

半導體
jf_75936199發(fā)布于 2023-06-01 00:07:55

組件可燃性測試儀

PY-1925D組件可燃性測試儀是冷板加高檔噴涂外箱,采用普通機電控制一體機,可做到自動點火方式,自動計時及試樣位置X,Y軸電動控制調節(jié)。 PY-1925D組件可燃性測試儀采用
2023-05-29 11:33:31

模擬器太陽能電池陣列模擬PV源

模擬器
拓沃得TEWERD發(fā)布于 2023-05-16 16:37:57

半導體工藝設備之單晶爐工藝流程

單晶爐,全自動直拉單晶生長爐,是一種在惰性氣體(氮氣、氦氣為主)環(huán)境中,用石墨加熱器將多晶硅多晶材料熔化,用直拉法生長無錯位單晶的設備。
2023-05-16 09:48:515624

單相逆變器并網(wǎng)能接入三相電供負載嗎?

單相逆變器并網(wǎng)能接入三相電供負載嗎?
2023-05-06 17:37:49

三相組串式并網(wǎng)逆變器怎么連接組件的?

三相組串式并網(wǎng)逆變器怎么連接組件的?與單相的差別是什么?
2023-05-06 16:36:27

Q1投擴產(chǎn)超2000億 鋰電產(chǎn)業(yè)結構性過剩加劇

未來幾年動力電池結構性產(chǎn)能過剩會加劇,行業(yè)將進入深度洗牌階段,產(chǎn)能過剩的時間節(jié)點與競爭慘烈程度可能將超乎想象。
2023-05-05 10:55:02704

太陽能儲能發(fā)電系統(tǒng)有哪些類型?

  太陽能發(fā)電系統(tǒng)分為并網(wǎng)發(fā)電和離網(wǎng)發(fā)電。并網(wǎng)發(fā)電是指太陽能發(fā)電系統(tǒng)與市政電力并網(wǎng),由市政電力調節(jié)的一種用電方式。離網(wǎng)發(fā)電系統(tǒng)是一種獨立的太陽能發(fā)電系統(tǒng)。它不需要與市政當局連接。通過
2023-04-25 16:33:02

耦MOC3063驅動可控

如圖所示:1.單片機給IO口發(fā)送一個高電平后耦3063會立即導通還是在交流電壓的過零點導通2.如果耦在輸入電壓的過零點導通,是否可以認為可控兩端的電壓為零,此時可控不導通,那如果是這樣請問這個電路可控是何時導通的,又是和是關斷的 。導通是可控T2和G極之間的電壓為多少,怎么理解
2023-04-10 21:59:00

2023中國(青島)國際太陽能及儲能展覽會

、華人電池網(wǎng)、桿塔網(wǎng)、鋰電網(wǎng)、光電巴巴、測試網(wǎng)、電力網(wǎng)、交易網(wǎng)、商貿(mào)網(wǎng)、系統(tǒng)網(wǎng)、英才網(wǎng)、業(yè)在線贏網(wǎng)、《東方照明》、《中國路燈》、《電源工業(yè)》雜志等國內外上千家媒體報道。參展
2023-04-08 10:36:29

半導體行業(yè)之刻蝕工藝技術

DRAM柵工藝中,在多晶硅上使用鈣金屬硅化物以減少局部連線的電阻。這種金屬硅化物和多晶硅的堆疊薄膜刻蝕需要增加一道工藝刻蝕W或WSi2,一般先使用氟元素刻蝕鈞金屬硅化合物層,然后再使用氯元素刻蝕多晶硅
2023-04-07 09:48:162195

1500Voc三電平中央逆變器的智能解決方案

IGBT模塊可以實現(xiàn)具有低電感換向的大功率三電平中央逆變器。研究表明,通過將LV100 IGBT模塊與有源中性箝位(A-NPC)拓撲結合使用,可以為所有工作模式提供低電感換向路徑。在輸出電壓極性變化期間,可以應用此處描述的新型換向模式來有效降低開關過
2023-04-07 09:32:46

基于Simulink的單相并網(wǎng)控制仿真說明

  簡介  并網(wǎng)發(fā)電系統(tǒng)就是太陽能發(fā)電系統(tǒng)與常規(guī)電網(wǎng)相連,共同承擔供電任務。當有陽光時,逆變器將系統(tǒng)所發(fā)的直流電逆變成正弦交流電,產(chǎn)生的交流電可以直接供給交流負載,然后將剩余的電能輸入
2023-04-06 15:23:46

多晶硅蝕刻工藝講解

下圖顯示了Intel的第6代晶體管(6T)SRAM尺寸縮小時間表,以及多晶硅柵刻蝕技術后從90nm到22nm技術節(jié)點6TSRAM單元的SEM圖像俯視視圖。可以看出,SRAM的布局從65nm節(jié)點已發(fā)生
2023-04-03 09:39:402451

發(fā)電,電量不夠如何自動切換

最低成本解決板同時給大小兩組電瓶同時充電,防止電流倒灌,防止小電瓶過充問題, 同時解決電量不夠自動切換市電。
2023-03-31 13:36:07

單片機控制可控調壓簡介

的過零點,然后延時一定時間后,輸出一個脈沖,使可控導通。  延時時間越長,導通時間越短,輸出電壓越低。  2.電路設計  首先過零檢測電路如下。原理比較簡單,由一個整流橋和耦組成。  輸出波形
2023-03-23 15:19:30

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