2000年

　　·4月，中芯國際集成電路制造（上海）有限公司成立。

　　·6月，國務院18號文件《鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策》公布。

　　·7月，科技部依次批準上海、西安、無錫、北京、成都、杭州、深圳共7個國家級IC設計產(chǎn)業(yè)化基地。

　　·11月，上海宏力半導體制造有限公司在上海浦東開工奠基。

　　2001年

　　·2月，直徑8英寸硅單晶拋光片國家高技術產(chǎn)業(yè)化示范工程項目在北京有色金屬研究總院建成投產(chǎn)。

　　·3月，國務院第36次常務會議通過了《集成電路布圖設計保護條例》。

　　2002年

　　·9月，龍芯1號在中科院計算所誕生。

　　·11月，中國電子科技集團公司第四十六研究所率先研制成功直徑6英寸半絕緣砷化鎵單晶。

　　2003年

　　·3月，杭州士蘭微電子股份有限公司上市，成為國內(nèi)IC設計第一股。

　　·6月，臺積電（上海）有限公司落戶上海，并于2005年4月正式投產(chǎn)。

　　·8月，英特爾公司宣布成立英特爾（成都）有限公司，并于2005年12月正式投產(chǎn)。

　　2004年

　　·9月，中芯國際的中國大陸第一條12英寸線在北京投入生產(chǎn)。

　　2005年

　　·中星微電子在美國納斯達克上市，成為第一家在美國上市的中國IC設計公司。

　　2006年

　　·10月，無錫海力士意法半導體在無錫投產(chǎn)。

　　2007年

　　·3月，英特爾公司宣布在中國大連建廠。

　　·6月，成都成芯8英寸項目投產(chǎn)。

　　·12月，中芯國際集成電路制造（上海）有限公司的12英寸生產(chǎn)線（Fab8）建成投產(chǎn)。

　　2008年

　　·《集成電路產(chǎn)業(yè)“十一五”專項規(guī)劃》重點建設北京、天津、上海、蘇州、寧波等國家集成電路產(chǎn)業(yè)園。

　　2009年

　　·6月，工業(yè)和信息化部發(fā)布《關于進一步加強軟件企業(yè)認定和軟件產(chǎn)品登記備案工作的通知》工信廳軟［2009］115號。

　　2011年

　　·1月，展訊發(fā)布全球首款40納米低功耗商用TD-HSPA/TD-SCDMA多模通信芯片SC8800G。

　　·2月，國務院發(fā)布了被業(yè)界稱為“新18號文”的《進一步鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)的若干政策》（國發(fā)（2011）4號）。

　　·9月，上海華虹與宏力簽署合并協(xié)議。

　　2012年

　　·3月，三星投資70億美元在西安建立芯片生產(chǎn)線，工藝技術水平為10納米、12英寸硅圓片。

　　·5月，財政部、國稅總局發(fā)布《關于進一步鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展企業(yè)所得稅政策的通知》［財稅〔2012〕27號］。

　　·6月，中芯國際將聯(lián)合北京市相關機構共同籌集資金，在北京建設40納米～28納米生產(chǎn)線。