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NLAS3899 模擬開關 雙DPDT 低RON 低電容

數據:

NLAS3899B是一款雙DPDT模擬開關,專為低功耗音頻和雙SIM卡應用而設計。低RON3.0Ω(典型值)非常適合將音頻信號路由到中等阻抗負載或從中等高阻抗負載路由。此外,20 pF(典型值)的低CON使NLAS3899B具有280 MHz的高帶寬,非常適合雙SIM卡應用。
特性
  • 單一供應運作; 1.65至4.3 VV CC
  • 低導通電阻(3.0 V典型值跨越V CC
  • 低C ON (20 pF典型值)
  • 帶寬280 MHz
  • 最大擊穿電壓:5.5 V
  • 低靜態功率
  • 1.8 V芯片組接口
應用 終端產品
  • 雙SIM卡數據切換
  • 手機揚聲器/麥克風切換
  • 鈴聲芯片/放大器切換
  • 四個不平衡(單端)開關
  • 智能手機
  • 平板電腦
  • VoIP手機

電路圖、引腳圖和封裝圖




技術文檔

數據手冊(1) 相關資料(3)
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