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這款雙路小外形尺寸（SO）-8,60V，23mΩNexFET功率MOSFET被設計運行為低電流電機控制應用中的半橋。
頂視圖R θJA = 60°C /W，這是在一個厚度0.06英寸環氧樹脂（FR4）印刷電路板（PCB）上的1英寸 2 ，2盎司的銅過渡墊片上測得的典型值脈沖持續時間≤300μs，占空比≤2％
| ? |
|---|
| VDS (V) |
| Logic Level |
| RDS(on) Typ at VGS=10V (Typ) (mOhm) |
| Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms) |
| IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC (A) |
| QG Typ (nC) |
| Configuration |
| Package (mm) |
| Operating Temperature Range (C) |
| QGS Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| VGS (V) |
| VGSTH Typ (V) |
| ? |
| CSD88539ND | CSD88537ND |
|---|---|
| 60 ? ? | 60 ? ? |
| No ? ? | No ? ? |
| 23 ? ? | 12.5 ? ? |
| 28 ? ? | 15 ? ? |
| 46 ? ? | 62 ? ? |
| 11.7 ? ? | 16 ? ? |
| 14 ? ? | 14 ? ? |
| Dual ? ? | Dual ? ? |
| SO-8 ? ? | SO-8 ? ? |
| -55 to 150 ? ? | -55 to 150 ? ? |
| 4.6 ? ? | 4.6 ? ? |
| 2.3 ? ? | 2.3 ? ? |
| 20 ? ? | 20 ? ? |
| 3 ? ? | 3 ? ? |
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