TLC274和TLC279四通道運(yùn)算放大器結(jié)合了多種輸入失調(diào)電壓等級(jí)，具有低失調(diào)電壓漂移，高輸入阻抗，低噪聲和接近速度通用BiFET器件的那種。

這些器件采用德州儀器（TI）的硅柵LinCMOS ^TM 技術(shù)，該技術(shù)提供的偏移電壓穩(wěn)定性遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)傳統(tǒng)金屬柵極工藝的穩(wěn)定性。

極高的輸入阻抗，低偏置電流和高壓擺率使這些經(jīng)濟(jì)高效的器件非常適用于之前為BiFET和NFET產(chǎn)品預(yù)留的應(yīng)用。提供四種偏移電壓等級(jí)（C后綴和I后綴類型），范圍從低成本TLC274（10 mV）到高精度TLC279（900 uV）。這些優(yōu)勢(shì)與良好的共模抑制和電源電壓抑制相結(jié)合，使這些器件成為新的最先進(jìn)設(shè)計(jì)以及升級(jí)現(xiàn)有設(shè)計(jì)的理想選擇。

一般而言，LinCMOS ^TM 運(yùn)算放大器可提供與雙極技術(shù)相關(guān)的許多功能，而不會(huì)對(duì)雙極技術(shù)造成功率損失。 TLC274和TLC279可輕松設(shè)計(jì)一般應(yīng)用，如換能器接口，模擬計(jì)算，放大器模塊，有源濾波器和信號(hào)緩沖。這些器件還具有低電壓?jiǎn)坞娫垂╇姡浅＿m合遠(yuǎn)程和難以接近的電池供電應(yīng)用。共模輸入電壓范圍包括負(fù)軌。

提供多種封裝選項(xiàng)，包括用于高密度系統(tǒng)應(yīng)用的小外形和芯片載體版本。

器件輸入和輸出設(shè)計(jì)用于承受-100 mA的浪涌電流，而不會(huì)出現(xiàn)閂鎖現(xiàn)象。

TLC274和TLC279采用內(nèi)部ESD保護(hù)電路，可防止在MIL-STD-883C，方法3015.2下測(cè)試的高達(dá)2000 V電壓下的功能故障;但是，在處理這些器件時(shí)應(yīng)小心，因?yàn)楸┞队贓SD可能會(huì)導(dǎo)致器件參數(shù)性能下降。

C-suffix器件的特點(diǎn)是工作溫度范圍為0°C至70°C。 I后綴器件的特點(diǎn)是在-40°C至85°C的溫度范圍內(nèi)工作。 M-suffix器件的特點(diǎn)是在-55°C至125°C的整個(gè)軍用溫度范圍內(nèi)工作。