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4N55 / 883B是一款高可靠性H級雙通道密封光電耦合器,采用16引腳陶瓷DIP封裝。還提供鍍金引線,焊接浸漬引線和各種引線形式選項。有關詳細信息,請參見數據表。
該產品可在整個軍用溫度范圍內運行和存儲,也可以商品級購買,并通過MIL-PRF-38534 Class K級測試,或來自DLA SMD 5962-87679。該設備在MIL-PRF-38534認證生產線上制造和測試,并包含在DLA 合格制造商列表QML-38534中,用于混合微電路。
每個通道都包含一個GaAsP LED,它是光學耦合到集成光子探測器。通過降低基極 - 集電極電容,光電二極管和輸出晶體管集電極的單獨連接可將速度提高到傳統光電晶體管耦合器的百倍。
該器件適用于寬帶模擬應用程序,以及TTL與LSTTL或CMOS的接口。在IF = 16mA時,電流傳輸比(CTR)為9%min。 18V Vcc功能將使設計人員能夠將任何TTL系列與CMOS接口。基極引線的可用性允許在模擬應用中優化增益/帶寬調整。 IC光電二極管的淺深度提供比傳統光電晶體管耦合器更好的輻射抗擾度。
這些產品也可與晶體管基極節點相連,以提高共模抗擾度和ESD敏感性。此外,特殊要求可提供更高的CTR最小值。
該模具在一個,兩個或四個通道中的封裝形式為8和16引腳DIP通孔,16引腳表面安裝DIP扁平封裝,以及20焊盤無鉛陶瓷芯片載體。大多數器件都有各種引線形式和電鍍選項。有關詳細信息,請參見數據表。
由于數據表中列出的每個器件的每個通道都使用相同的芯片,因此絕對最大額定值,建議的工作條件,電氣規格和性能特征如下所示。所有部件的數據表數字幾乎相同。由于包裝的變化和限制而存在偶然的例外,并且如上所述。另外,在所有設備中使用相同的包裝組裝過程和材料。這些相似性為使用從一個部件獲得的數據來表示其他部件的可靠性和某些有限的輻射測試結果提供了理由。