上海伯東磁控共濺鍍設備 Co-Sputter

鍍膜機

型號： Co-Sputter

--- 產品詳情 ---

價格貨期電議
磁控共濺鍍是指同時有兩個或多個磁控濺鍍槍, 濺鍍于被鍍物上. 磁控共濺鍍主要用于復合金屬或復合材料, 通過分別優化每一支磁控濺鍍槍 (靶材) 的功率來控制薄膜質量, 其薄膜厚度取決于濺鍍時間.

上海伯東代理的磁控共濺鍍腔提供了精準控制多個磁控濺鍍的制程條件, 加裝美國 KRi 離子源為客戶提供更好質量的復合式薄膜.單片和多片式的loading chamber, 可節省其制程腔體的抽氣時間, 進而節省整體實驗時間. 廣泛應用于半導體, 納米科技, 太陽能電池等行業以及氧化物, 氮化物和金屬材料的研究等.

上海伯東磁控共濺鍍設備配置和優點
客制化基板尺寸, 最大直徑可達 12寸晶圓
薄膜均勻度小于 ±3％
磁控濺鍍源 (最多8個源), 具有多種可選的靶材尺寸
具有順序操作或共沉積的多個濺鍍源
射頻, 直流或脈沖直流, 分別用于非導電與導電靶材
精準流量控制器（最多4條氣體管線）
基板可加熱到 1000°C
基材到靶材之間距為可調節的
每個濺鍍源和基板均安裝遮板

磁控濺鍍設備基本參數

系統類型	Real 超高真空	超高真空	高真空	緊湊型高真空
極限真空	5X10-10 Torr	5X10-9 Torr	3X10-7 Torr	5X10-7 Torr
腔室密封	全部 CF(烘烤)	一些密封圈(烘烤)	全部密封圈	全部密封圈
電子槍	3-4, 2-3 英寸	3-4, 2-4 英寸	3-4, 2-4 英寸	3-4, 2-3 英寸
電源	DC / DC pulse / RF	DC / DC pulse / RF	DC / DC pulse / RF	DC / DC pulse / RF
Load-lock	標準(HV)	標準(HV)	標準(HV)/可選	標準(HV)/可選
基板	4-6 英寸加熱至 800°C或水冷	4-8 英寸加熱至 800°C或水冷	4-8 英寸加熱至 800°C	4-6 英寸加熱至 800°C
真空泵	低溫泵	低溫泵 / 分子泵	分子泵	分子泵
監控	真空規和Baratron	真空規和Baratron	真空規和Baratron	真空規和Baratron
工藝控制	部分 / 3位 /手動閘閥	部分 / 3位 /手動閘閥	部分 / 3位 /手動閘閥	部分 / 3位 /手動閘閥
氣體	氬氣, 氮氣, 氧氣(load-lock可選)	氬氣, 氮氣, 氧氣(load-lock可選)	氬氣, 氮氣, 氧氣	氬氣, 氮氣, 氧氣
射頻偏壓清潔	300W RF(清潔和蝕刻)	300W RF(清潔和蝕刻)	可選	可選
離子源	100 KRi 離子源	100 KRi 離子源	可選	可選
薄膜	鈦氮化鈮NbTiN, 鈮 Nb, 鈀Pd等	鈦氮化鈮NbTiN, 鈮 Nb, 鈀Pd等	二氧化硅 SiO2, 氮化硅 Si3N4, 氧化鋁Al2O3 等	二氧化硅 SiO2, 氮化硅 Si3N4, 氧化鋁Al2O3 等

腔體
客制化的腔體尺寸取決于基板尺寸和其應用
寬大的前開式門, 并有兩個窗口和窗口遮版, 用于觀察基材和濺鍍源
具有顯示功能的全量程真空計和用于壓力控制的 Baratron 真空計
腔體的極限真空度約 10-8 Torr

選件
可以與傳送腔, 機械手臂和手套箱整合在一起
結合離子源, 熱蒸發源, 電子束...等等
基板射頻或直流偏壓
膜厚監測儀
射頻等離子清潔用于基材
OES, RGA 或制程監控的額外備用端口

應用領域
半導體類, 納米科技
產品質量控制和質量檢查
氧化物, 氮化物和金屬材料的研究
太陽能電池
光學研究, 材料研究

若您需要進一步的了解上海伯東磁控共濺鍍設備, 請聯絡上海伯東葉女士

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