完整的 DDR2/3/3L/4 存儲器電源解決方案同步降壓控制器、2A LDO
| DDR memory type | DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4, LPDDR2, LPDDR3 |
| Control mode | D-CAP2, S3, S4/S5 |
| Iout VDDQ (Max) (A) | 20 |
| Iout VTT (Max) (A) | 2 |
| Iq (Typ) (mA) | 0.6 |
| Output | VDDQ, VREF, VTT |
| Vin (Min) (V) | 3 |
| Vin (Max) (V) | 28 |
| Features | Complete Solution, Eco Mode, S3/S5 Support |
| Rating | Catalog |
- 同步降壓控制器 (VDDQ)
- 轉(zhuǎn)換電壓范圍：3V 至 28V
- 輸出電壓范圍：0.7V 至 1.8V
- 0.8% VREF精度
- D-CAP2?針對陶瓷輸出電容器的模式
- 可選 500kHz/670kHz 開關(guān)頻率
- 自動跳頻功能優(yōu)化了輕負(fù)載和重負(fù)載時(shí)的效率
- 支持 S4/S5 狀態(tài)中的軟啟動
- 過流 (OCL) / 過壓 (OVP) / 欠壓 (UVP) / 欠壓閉鎖 (UVLO) 保護(hù)
- 電源正常輸出
- 2A LDO (VTT)、緩沖基準(zhǔn) (VTTREF)
- 2A（峰值）灌電流和拉電流
- 只需 10μF 陶瓷輸出電容器
- 經(jīng)緩沖的，低噪聲，10mA VTTREF 輸出
- 0.8% VTTREF，20mV VTT 精度
- 在 S3 中支持高阻抗 (High-Z) 而在 S4/S5 中支持軟關(guān)閉
- 熱關(guān)斷
- 20 引腳 3mm × 3mm WQFN 封裝
TPS51716 用最少總體成本和最小空間提供一個(gè)用于 DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 內(nèi)存系統(tǒng)的完整電源。它將同步降壓穩(wěn)壓器控制器 (VDDQ) 與 2A 灌電流/拉電流跟蹤 LDO (VTT) 和緩沖低噪聲基準(zhǔn) (VTTREF) 相集成。TPS51716 采用融合了 500kHz 或 670kHz 工作頻率的 D-CAP2 模式，此模式可在無需外部補(bǔ)償電路的情況下支持陶瓷輸出電容器。VTTREF 跟蹤 VDDQ/2 的精度高達(dá) 0.8%。能夠提供 2A 灌電流/拉電流峰值電流功能的 VTT ，而且只需 10μF 的陶瓷電容。此外，該器件還 具有 專用 LDO 電源輸入。
TPS51716 提供豐富、實(shí)用的功能以及出色的電源性能。它支持靈活功率級控制，將 VTT 置于 S3 中的高阻抗?fàn)顟B(tài)并在 S4/S5 狀態(tài)中將 VDDQ，VTT 和 VTTREF 放電（軟關(guān)閉）。它包括具有低側(cè) MOSFET RDS（接通）感測的可編程 OCL，OVP/UVP/UVLO 和熱關(guān)斷保護(hù)。
TI 的 TPS51716 采用 20 引腳 3mm × 3mm WQFN 封裝，且其額定環(huán)境溫度范圍介于 -40°C 至 85°C 之間。
