產(chǎn)品簡介
我們用于反射模式測量的TeraSpike太赫茲近場探針組合已擴(kuò)展到兩個(gè)新型號：TSR.75和TSR-TT.75。新系列的太赫茲近場收發(fā)器探頭現(xiàn)在服務(wù)于更廣泛的應(yīng)用場景，從體積檢查（TR.5）、具有更高空間分辨率的近表面體積檢查（TSR.75）和具有最大空間分辨率的表面掃描（TSR-TT.75）開始。雖然基本上所有TR系列太赫茲反射式近場探頭也可用于穿透方式的操作，但是TSR-TT.75型號是在最高空間分辨率方面最適合這種模式。
TR系列利用Protomics專有的“陷波器”“-WT選項(xiàng)”設(shè)計(jì)來抑制太赫茲近場探頭內(nèi)部反射信號，以及XR型柔性懸臂設(shè)計(jì)來提高機(jī)械穩(wěn)定性。我們的收發(fā)器探頭提供亞波長分辨率和最短THz傳輸路徑。
太赫茲反射式近場探針型號對照表
| 型號 TD-800- | 操作方式 | 天線數(shù)量 | 入射角度 | 太赫茲帶寬 | 空間分辨率 |
| TR.5 | 反射 | 2 | 0 | 1.5THz | 250um |
| TSR.75-PCS10-50 | 反射 | 2 | 15 | 3THz | 100um |
| TSR-TT.75-PCS10-50 | 反射和透射 | 1 | 0 | 2THz | 40um |
TR系列探針基于專利申請DE 10 2009 000 823.3、DE 10 2014 015 516.1、DE 10 2016 002 733.9、DE 10 2020 002 735.0。
反射式太赫茲近場探針：TD-800-TR.5
新的TeraSpike型號TR.5配備了一對緊密間隔的光導(dǎo)太赫茲天線，為反射模式下的高性能近場測量提供了新的手段。一個(gè)天線用作發(fā)射太赫茲脈沖發(fā)射器，另一個(gè)天線則用作探測器。超薄太赫茲近場收發(fā)器探頭利用Protematics專有的“陷波器”設(shè)計(jì)來抑制探頭內(nèi)部反射信號，以及XR型柔性PET懸臂設(shè)計(jì)來提高機(jī)械強(qiáng)度。與基于遠(yuǎn)場發(fā)射器/探測器組件的標(biāo)準(zhǔn)反射模式方法不同，新的近場收發(fā)器探頭提供了亞波長分辨率和最短THz傳輸路徑的訪問。
TD-800-TR.5太赫茲近場探針設(shè)計(jì)示意圖
TD-800-TR.5太赫茲近場探針參數(shù)
| 型號 | TD-800-TR.5 | |
| 暗電流 @ 1 V Bias | < 1.5 nA | |
| 光電流@ 1 V Bias | > 0.5 μA | |
| 激發(fā)波長 | 700 .. 860 nm | |
| 平均激發(fā)功率 | 0.1 .. 4 mW | |
| 連接方式 | 2x SMP | |
反射式太赫茲近場探針：TD-800-TSR.75-PCS10-50
TSR.75-PCS10-50太赫茲近場探針參數(shù)表
| 型號 | TD-800-TRS.75-PCS10-50 |
| 最大空間分辨率 | 100 μm |
| 暗電流 @ 1 V Bias | < 10 nA (typ. < 1.5 nA) |
| 光電流@ 1 V Bias | >0.1 μA (typ. >0.25 μA) |
| 激發(fā)波長 | 700 .. 860 nm |
| 平均激發(fā)功率 | 0.1 .. 3 mW |
| 連接方式 | 2x SMP |
TR系列太赫茲近場探針主要對橫向于探針尖端軸的THz電場分量敏感，如上圖中x軸方向所示。
佛羅里達(dá)網(wǎng)絡(luò)安全研究所（FICS）Asadi博士團(tuán)隊(duì)提供的IC樣本。基于Protamics軟件包Teraloc的堆疊界面和掩埋結(jié)構(gòu)定位-針對TeraSpike太赫茲近場探針進(jìn)行了優(yōu)化。
反射式太赫茲近場探針：TD-800-TSR-TT.75
TD-800-TRS-TT.75太赫茲近場探針參數(shù)表
| 型號 | TD-800-TRS-TT.75-PCS10-50 |
| 最大分辨率 | 40 μm |
| 暗電流@ 1 V Bias | < 10 nA (typ. <1.5 nA) |
| 光照電流 @ 1 V Bias | >0.1 μA (typ. >0.25 μA) |
| 激發(fā)波長 | 700 .. 860 nm |
| 平均功率 | 0.1 .. 3 mW |
| 連接方式 | 2x SMP |
應(yīng)用示例（薄膜檢測）
太赫茲測試目標(biāo)P-TTT-2-1200，鉻層厚度為10 nm和50 nm，分別相當(dāng)于約250歐姆和50歐姆的薄層電阻。
