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TGF2023-2-05 分立式功率 GaN

型號: TGF2023-2-05

--- 產品參數 ---

  • 最低頻率(MHz) 直流電
  • 最大頻率(MHz) 18,000
  • 增益(分貝) 18
  • 飽和度(dBm) 43
  • PAE (%) 78.3
  • 電壓(伏) 12 至 32
  • Idq (毫安) 100 到 500

--- 產品詳情 ---

TGF2023-2-05

 產品簡介
Qorvo 的 TGF2023-2-05 是一款分立式 5.0 mm GaN on SiC HEMT,工作頻率范圍為 DC 至 18 GHz。
TGF2023-2-05 通常提供 43 dBm 的飽和輸出功率,在 3 GHz 時具有 18 dB 的功率增益。最大功率附加效率為 78.3%,這使得 TGF2023-2-05 適合高效應用。

 

產品規格
最低頻率(MHz) 直流電
最大頻率(MHz) 18,000
增益(分貝) 18
飽和度(dBm) 43
PAE (%) 78.3
電壓(伏) 12 至 32
Idq (毫安) 100 到 500

 

主要特征
頻率范圍:直流至 18 GHz
3 GHz 時標稱 Psat 為 43 dBm
78.3% 最大 PAE
18 dB 標稱功率增益
偏置:V D = 12 至 32 V,I DQ = 100-500 mA
芯片尺寸:0.82 x 1.44 x 0.10 毫米

 

相關型號
QPD9300
T1G4020036-FL
T1G4020036-FS
T2G4005528-FS
T2G6000528-Q3
T2G6001528-Q3
T2G6001528-SG
T2G6003028-FL
T2G6003028-FS
TGF2023-2-01
TGF2023-2-02
TGF2023-2-05
TGF2023-2-10
TGF2023-2-20
TGF2819-FL
TGF2819-FS
TGF2929-FL
TGF2929-HM

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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