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DMN3061S N 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號: DMN3061S

--- 產品參數 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMN3061S
  • 名稱 N 溝道增強型 MOSFET
  • 產地 臺灣
  • 封裝 SOT23

--- 產品詳情 ---

DMN3061S   

 產品簡介
DIODES 的 DMN3061S 這種新一代MOSFET的設計目的是將導通狀態降至最低電阻(RDS(ON))同時保持優異的開關性能,使其成為高效電源管理應用的理想選擇。

 

產品規格 
品牌                DIODES
型號                DMN3061S
名稱                N 溝道增強型 MOSFET
產地                臺灣
封裝                SOT23

 

產品參數
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 2.3 A
PD @TA = +25°C (W) 1.23 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 59 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 98 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 196 (@3.3V) mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.5 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.8 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 2.9 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 5.5 nC
CISS Typ (pF) 233 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V

 

主要特征
低導通電阻
低輸入電容
開關速度快
低輸入/輸出泄漏

 

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