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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMT6012LPSW 60V N 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號: DMT6012LPSW

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMT6012LPSW
  • 名稱 60V N 溝道增強型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 PowerDI®5060-8

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMT6012LPSW 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMT6012LPSW 該 MOSFET 旨在最大限度地降低導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)),同時保持卓越的開關(guān)性能,使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                  DIODES
型號                  DMT6012LPSW
名稱                  60V N 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地                  臺灣
封裝                  PowerDI?5060-8

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 13.1 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 31.5 A
PD @TA = +25°C (W) 3.1 W
PD @TC = +25°C (W) 17.9 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 12 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 17 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 10.7 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 22.2 nC
CISS Typ (pF) 1522 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 30 V


主要特征
生產(chǎn)中 100% 非鉗位電感開關(guān) (UIS) 測試 — 確保最終應(yīng)用更加可靠和穩(wěn)健
高轉(zhuǎn)換效率
低 RDS(ON) — 最大限度地減少狀態(tài)損失
低輸入電容
開關(guān)速度快
ESD保護(hù)柵極
用于改進(jìn)光學(xué)檢測的可濕性側(cè)面


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