型號 SI2323DDST1GE3 絲印 VB2355 品牌 VBsemi 參數 溝道類型 P溝道 額定電壓 30V 額定電流 5.6A 導通電阻 47mΩ @ 10V, 56mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V) 閾值電壓 1V 封裝類型 SOT23詳細參數說明 SI2323DDST1GE3是一款P溝道MOS管，適用于最大30V的工作電壓，最大5.6A的電流承載能力。其導通電阻在10V下為47mΩ，4.5V下為56mΩ。閾值電壓為1V，需要在控制電壓小于該閾值時才能實現正常導通。封裝類型為SOT23。應用簡介 SI2323DDST1GE3適用于需要低電壓和中等電流的應用領域，如電源開關、電池保護、電源管理等。其低導通電阻和較低的額定電壓使其能夠提供高效能轉換和可靠的開關控制。在電源開關模塊、電池保護模塊和電源管理模塊中，SI2323DDST1GE3能夠提供穩定的功率傳輸和可靠的電路保護。綜上所述，SI2323DDST1GE3適用于低電壓和中等電流承載能力的應用，特別適用于電源開關、電池保護和電源管理等領域模塊。其低導通電阻、較低的額定電壓和穩定的性能為這些模塊提供了高效能轉換和可靠的電路控制。
--- 產品參數 ---
- 溝道類型 P溝道
- 額定電壓 30V
- 額定電流 5.6A
- 導通電阻 47mΩ @ 10V, 56mΩ @ 4.5V
- 閾值電壓 1V
- 封裝類型 SOT23
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
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