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TC1101P0811 低噪聲和中等功率GaAs FET

型號: TC1101P0811

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 廠家 Sumitomo
  • 型號 TC1101P0811
  • 名稱 砷化鎵HEMT
  • 產(chǎn)地 日本
  • 封裝 Chip

--- 產(chǎn)品詳情 ---

TC1101P0811

型號簡介
Sumitomo的TC1101是GaAs偽晶高電子遷移率晶體管(PHEMT)芯片,其具有非常低的噪聲系數(shù)、高相關(guān)增益和高動(dòng)態(tài)范圍。該設(shè)備可用于高達(dá)30 GHz的電路,以及適用于低噪聲和中等功率放大器應(yīng)用。所有設(shè)備都經(jīng)過100%直流測試,以確保質(zhì)量一致。所有焊盤均鍍金用于熱壓或熱聲引線接合。


型號規(guī)格  
廠家                    Sumitomo 
型號                    TC1101P0811
名稱                    砷化鎵HEMT
產(chǎn)地                    日本
封裝                    Chip
 

型號參數(shù)
低噪聲系數(shù):NF=0.5 dB 12 GHz時(shí)的典型值
高相關(guān)增益:Ga=12 dB,典型頻率為12 GHz
高動(dòng)態(tài)范圍:1 dB壓縮功率P-1=18.5 dBm,12 GHz
擊穿電壓:BVDGO≥9 V
Lg=0.25μm,Wg=160μm
全金金屬化,實(shí)現(xiàn)高可靠性
嚴(yán)密的Vp范圍控制
高射頻輸入功率處理能力
100%直流測試


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