FLU10ZME1 L波段中高功率GaAs FET

FET GaAs L波段

型號： FLU10ZME1

--- 產品參數 ---

廠家 Sumitomo Electric Device Innov
型號 FLU10ZME1
名稱 High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管
產地日本
封裝 ZME

--- 產品詳情 ---

型號簡介
Sumitomo的FLU10ZME1是為基站和CPE設計的GaAs FET高達4.0GHz頻率范圍的應用。這是一個新產品使用經過優化的塑料表面安裝封裝的系列用于高容量成本驅動的應用程序。SUMITOMO嚴格的質量保證計劃確保可靠性和一致的性能。

型號規格
廠家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型號 FLU10ZME1
名稱 High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管
產地日本
封裝 ZME

型號參數
高輸出功率：P1dB=29.5dBm（典型值）
高增益：G1dB=13.0dB（典型值）
低成本塑料（SMT）封裝
提供磁帶和卷軸

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