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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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SI4850DY-T1-E3-VB一款N溝道SOP8封裝MOSFET應用分析

型號: SI4850DY-T1-E3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 N溝道
  • 封裝 SOP8封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號:SI4850DY-T1-E3-VB
絲印:VBA1630
品牌:VBsemi
參數(shù):
- N溝道
- 最大耐壓:60V
- 最大電流:7.6A
- 靜態(tài)導通電阻:27mΩ @ 10V, 32mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 閾值電壓:1.54V
- 封裝:SOP8

**詳細參數(shù)說明:**
SI4850DY-T1-E3-VB是一款N溝道MOSFET,最大耐壓為60V,最大電流為7.6A。在不同電壓下,其靜態(tài)導通電阻表現(xiàn)如下:在10V下為27mΩ,在4.5V下為32mΩ,驅(qū)動電壓范圍為±20V。閾值電壓為1.54V。該器件采用SOP8封裝。

**應用簡介:**
SI4850DY-T1-E3-VB適用于多種領(lǐng)域的模塊,包括但不限于:
1. **電源管理模塊**:由于其較低的導通電阻和高耐壓特性,它可用于電源開關(guān),有效管理和控制電流,降低功耗。

2. **驅(qū)動電路**:作為N溝道MOSFET,可用于驅(qū)動電路,包括電機驅(qū)動、照明控制和電子開關(guān)。

3. **電池管理**:在充電和放電管理電路中,它可以用于電池保護和電流控制。

4. **通信設備**:在通信設備的電源開關(guān)和電源逆變器中,該器件可以實現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換。

總之,SI4850DY-T1-E3-VB適用于需要高性能N溝道MOSFET的各種電子領(lǐng)域,從電源管理到電子開關(guān)和通信設備。

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