型號：FDN327N-NL-VB
絲印：VB1240
品牌：VBsemi
參數(shù)：N溝道,20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V)；0.45~1Vth(V)；SOT23
封裝：SOT23

詳細參數(shù)說明：
- 型號：FDN327N-NL-VB
- 絲印：VB1240
- 品牌：VBsemi
- 溝道類型：N溝道
- 最大耐壓：20V
- 最大電流：6A
- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻：24mΩ @ 4.5V, 33mΩ @ 2.5V
- 門源極電壓：8Vgs (±V)
- 閾值電壓：0.45~1V

應(yīng)用簡介：
FDN327N-NL-VB是一款N溝道MOSFET，適用于多種電子模塊和應(yīng)用，特別在需要中等電流開關(guān)和低導(dǎo)通電阻的情況下。

應(yīng)用領(lǐng)域：
這種產(chǎn)品通常用在以下領(lǐng)域的模塊上：
1. 電源開關(guān)模塊：用于電源開關(guān)和電流控制，如電源適配器和便攜式電子設(shè)備。
2. 信號開關(guān)模塊：用于模擬和數(shù)字信號開關(guān)和切換，如音頻信號切換器和數(shù)據(jù)選擇器。
3. 傳感器接口模塊：用于連接和管理傳感器信號，如溫度傳感器和光傳感器。
4. 低功耗應(yīng)用模塊：適用于需要低靜態(tài)功耗的電子設(shè)備，如便攜式醫(yī)療設(shè)備和傳感器節(jié)點。
5. 電池管理模塊：在低功耗設(shè)備中，可用于電池充電和放電控制，如便攜式電子設(shè)備。

這款器件的中等電流開關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻使其適用于各種低至中等功耗應(yīng)用，有助于提高電子系統(tǒng)的性能和效率。