型號：SI4401BDY-T1-E3-VB
絲印：VBA2412
品牌：VBsemi
參數：
- 溝道類型：P溝道
- 額定電壓：-40V
- 最大持續電流：-11A
- 靜態導通電阻 (RDS(ON))：13mΩ @ 10V, 17mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 閾值電壓 (Vth)：-1.7V
- 封裝：SOP8

詳細參數說明：
SI4401BDY-T1-E3-VB 是一款 P 溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）器件，具有-40V 的額定電壓和最大持續電流為-11A。它的 RDS(ON) 在不同電壓下表現出色良好，分別為 13mΩ @ 10V 和 17mΩ @ 4.5V。此外，它的閾值電壓（Vth）為-1.7V。

應用簡介：
SI4401BDY-T1-E3-VB 是一種高性能的 P 溝道 MOSFET，適用于需要 P 溝道器件的電路應用。由于其 P 溝道特性，它通常用于電源開關、電池保護電路、負電源開關和其他需要 P 溝道 MOSFET 的應用。SOP8 封裝使其易于集成到小型電子設備中。這種型號的 MOSFET 可以在需要高性能 P 溝道開關的應用中提供可靠的性能，適用于電源管理、電池保護、負電源控制和其他領域的模塊。其低導通電阻和高電流承受能力使其在高效率和高功率應用中非常有用。