--- 產品參數 ---
- 溝道 N溝道
- 封裝 TO252封裝
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
型號: FR420-VB
絲印: VBE165R04
品牌: VBsemi
參數: TO-252; N-Channel溝道, 650V; 4A; RDS(ON)=2200mΩ @ VGS=10V, VGS=20V; Vth=3.5V;
封裝: TO-252
詳細參數說明和應用簡介:
- **型號:** FR420-VB
- **絲印:** VBE165R04
- **品牌:** VBsemi
- **封裝:** TO-252
**主要參數:**
- **溝道類型:** N-Channel
- **最大耐壓:** 650V
- **最大電流:** 4A
- **導通電阻 (RDS(ON)):** 2200mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- **閾值電壓 (Vth):** 3.5V
**應用簡介:**
這款 N-Channel MOSFET 適用于多種領域的電子模塊,特別是在需要控制電流的場合。以下是一些可能的應用領域:
1. **電源模塊:** 適用于電源開關,功率管理,以及需要 N-Channel MOSFET 的其他電源電路。
2. **電源因素校正 (PFC):** 由于其較高的耐壓能力,適用于功率因素校正電路,提高電源效率。
3. **電源逆變器:** 用于電源逆變器,將直流電源轉換為交流電源,常見于太陽能和電池應用中。
4. **高電壓應用:** 由于其較高的耐壓能力,適用于需要處理高電壓的電子設備。
**使用注意事項:**
- 在使用時要確保工作電壓不超過 650V。
- 根據數據手冊提供的參數,選擇適當的驅動電壓(VGS)來實現所需的性能。
- 避免超過最大額定電流和功率,以確保元件的可靠性和長壽命。
為你推薦
-
BUK661R9-40C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:26
產品型號:BUK661R9-40C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK661R8-30C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:23
產品型號:BUK661R8-30C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK661R6-30C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:20
產品型號:BUK661R6-30C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK6610-75C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:16
產品型號:BUK6610-75C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK6607-55C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:14
產品型號:BUK6607-55C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK657-600B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:12
產品型號:BUK657-600B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-500B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:09
產品型號:BUK657-500B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-500A-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:07
產品型號:BUK657-500A-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-450B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:06
產品型號:BUK657-450B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-400B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:03
產品型號:BUK657-400B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N