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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IRLH5030TRPBF-VB一種N溝道DFN8(5X6)封裝MOS管

型號: IRLH5030TRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 溝道 N溝道
  • 封裝 DFN8(5X6)封裝

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

**詳細參數說明:**
- **型號:** IRLH5030TRPBF-VB
- **絲印:** VBQA1105
- **品牌:** VBsemi
- **參數:**
 - 封裝類型: DFN8(5X6)
 - 溝道類型: N—Channel
 - 額定電壓(VDS): 100V
 - 額定電流(ID): 100A
 - 導通電阻(RDS(ON)): 5mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
 - 閾值電壓(Vth): 1~3V

**應用簡介:**
這款N—Channel溝道MOSFET適用于高功率和高電壓的應用場景,常見于以下領域:

1. **電源開關模塊:** 由于其高電壓和電流特性,適用于大功率電源開關模塊,提供可靠的高電壓開關控制。

2. **電源逆變器:** 用于大功率電源逆變器,將直流電源轉換為交流電源,例如大型逆變器或UPS系統。

3. **電機控制:** 在高功率電機驅動和控制模塊中,作為電流開關,用于實現電機的精確控制。

4. **電動汽車充電樁:** 在需要高電流和電壓的電動汽車充電樁中,用于控制電流和實現快速充電。

**使用注意事項:**
1. **封裝類型:** 確保正確選擇和處理DFN8(5X6)封裝,以確保焊接質量和適當的散熱。

2. **電壓和電流限制:** 不要超過額定的電壓和電流參數,以防止器件損壞。

3. **散熱設計:** 在高功率應用中,需要有效的散熱設計,以確保器件工作在適當的溫度范圍內。

4. **閾值電壓注意:** 考慮閾值電壓范圍,確保在實際應用中得到合適的電壓偏置。

在任何應用中,都應仔細閱讀產品手冊和規格書,以確保正確的使用和操作。

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