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廣電計(jì)量

廣電計(jì)量一家全國(guó)化、綜合性的國(guó)有第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)。專(zhuān)注于為客戶(hù)提供計(jì)量、檢測(cè)、認(rèn)證以及技術(shù)咨詢(xún)與培訓(xùn)等專(zhuān)業(yè)技術(shù)服務(wù)。

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MOSFET,IGBT功率器件失效根因分析功

型號(hào)： 率器件失效根因分析
品牌： GRGTEST(廣電計(jì)量)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 服務(wù)區(qū)域 全國(guó)
  • 服務(wù)資質(zhì) CNAS認(rèn)可
  • 加急服務(wù) 可提供
  • 報(bào)告類(lèi)型 中英文電子/紙質(zhì)報(bào)告

--- 產(chǎn)品詳情 ---

基本介紹

功率器件可靠性是器件廠商和應(yīng)用方除性能參數(shù)外最為關(guān)注的，也是特性參數(shù)測(cè)試無(wú)法評(píng)估的，失效分析則是分析器件封裝缺陷、提升器件封裝水平和應(yīng)用可靠性的基礎(chǔ)。廣電計(jì)量擁有業(yè)界領(lǐng)先的專(zhuān)家團(tuán)隊(duì)及先進(jìn)的失效分析設(shè)備，專(zhuān)注功率器件失效根因分析，可為客戶(hù)提供完整的失效根因分析服務(wù)。

服務(wù)范圍

MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半導(dǎo)體器件等分立器件，以及上述元件構(gòu)成的功率模塊

檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)

  GJB548B-2005微電子器件試驗(yàn)?法和程序

  QJ3065.5-98元器件失效分析管理要求

檢測(cè)項(xiàng)目

試驗(yàn)類(lèi)型

試驗(yàn)項(xiàng)?

?損分析

X 射線(xiàn)透視、聲學(xué)掃描顯微鏡、?相顯微鏡

電特性/電性定位分析

電參數(shù)測(cè)試、IV&CV 曲線(xiàn)量測(cè)、ESD、Photon Emission、OBIRCH、ATE 測(cè)試與三溫(常溫/低溫/高溫) 驗(yàn)證

破壞性分析

開(kāi)封、去層、切片、芯片級(jí)切片、推拉力測(cè)試

微觀顯微分析

DB FIB切片截?分析、FESEM 檢查、EDS微區(qū)元素分析、掃描電鏡、透射電鏡

相關(guān)資質(zhì)

CNAS

服務(wù)背景

國(guó)內(nèi)功率器件廠商迎來(lái)了空前的發(fā)展機(jī)會(huì)。在成長(zhǎng)中廠商迫切希望減少或消除產(chǎn)品失效，并在設(shè)計(jì)、?藝和產(chǎn)品研發(fā)、量產(chǎn)、可靠性測(cè)試、封裝等階段進(jìn)?改進(jìn)，以迅速占領(lǐng)市場(chǎng)。

我們的優(yōu)勢(shì)

廣電計(jì)量擁有業(yè)界領(lǐng)先的專(zhuān)家團(tuán)隊(duì)及先進(jìn)的失效分析設(shè)備，專(zhuān)注功率器件失效根因分析，可為客戶(hù)提供完整的失效根因分析服務(wù)，針對(duì)產(chǎn)品的研發(fā)設(shè)計(jì)、來(lái)料檢驗(yàn)、加?組裝、測(cè)試篩選、客戶(hù)端使用等各個(gè)環(huán)節(jié)，為客戶(hù)提供失效分析咨詢(xún)、協(xié)助客戶(hù)開(kāi)展設(shè)計(jì)規(guī)劃、以及分析測(cè)試服務(wù)。

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